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文檔簡介

4.1刻蝕生產(chǎn)工藝流程4.1.1硅片刻蝕生產(chǎn)的目的擴(kuò)散過程中，雖然采用背靠背擴(kuò)散，硅片的邊緣將不可避免地擴(kuò)散上磷。p-n結(jié)的正面所收集到的光生電子會沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到p-n結(jié)的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并聯(lián)電阻。同時，由于在擴(kuò)散過程中氧的通入，在硅片表面形成一層二氧化硅，在高溫下POCl3與O2形成的P2O5，部分P原子進(jìn)入Si取代部分晶格上的Si原子形成N型半導(dǎo)體，部分則留在了SiO2中形成磷硅玻璃（PSG），如圖4-1所示。圖4-1擴(kuò)散制結(jié)后硅片表面PSG的生產(chǎn)磷硅玻璃的存在，影響硅片表面的性質(zhì)，對太陽電池的生產(chǎn)有不利的影響：①磷硅玻璃的存在使得硅片在空氣中表面容易受潮，導(dǎo)致電流的降低和功率的衰減；②死層的存在，大大增加了發(fā)射區(qū)電子的復(fù)合，會導(dǎo)致少子壽命的降低，進(jìn)而降低了Voc和Isc；③磷硅玻璃的存在，使得PECVD后產(chǎn)生色差。針對上述問題，硅片刻蝕生產(chǎn)的目的，一方面要去除多余的p-n結(jié)，另一方面去除硅片表面的PSG。4.1.2濕法刻蝕生產(chǎn)和去除PSG的原理利用HNO3和HF的混合液體，對擴(kuò)散后硅片下表面和邊緣進(jìn)行腐蝕，去除邊緣的N型硅，使得硅片的上下表面相互絕緣，如圖4-2所示。圖4-2硅片濕法刻蝕生產(chǎn)圖及示意圖邊緣刻蝕原理反應(yīng)方程式：3Si+4HNO3+18HF=3H2[SiF6]+4NO2↑+8H2O硅片上表面PSG的存在，對于太陽電池的制備有較大的影響，可以通過酸洗的方法去除（圖4-3），原理如下：圖4-3去除表面PSGSiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2[SiF6]SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O去除PSG工序檢驗(yàn)方法：當(dāng)硅片從HF槽出來時，觀察其表面是否脫水，如果脫水，則表明磷硅玻璃已去除干

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