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文檔簡介
晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)習(xí)題習(xí)題1.已知金剛石立方晶胞的晶胞參數(shù)a=356.7pm,寫出其中碳原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo),并計(jì)算C-C鍵長和晶體密度。解:金剛石中碳原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:習(xí)題2.寫出在3個(gè)坐標(biāo)軸上的截距分別為2a、-3b和-3c的點(diǎn)陣面的指標(biāo);寫出指標(biāo)為(321)的點(diǎn)陣面在3個(gè)坐標(biāo)軸上的截距之比。解:晶面指標(biāo)為晶面在三個(gè)坐標(biāo)軸上的倒易截?cái)?shù)的互質(zhì)整數(shù)比,即:所以:點(diǎn)陣面指標(biāo)為:設(shè):指標(biāo)為(321)的點(diǎn)陣面在3個(gè)坐標(biāo)軸上的截?cái)?shù)之比為:r、s、t。則根據(jù)晶面指標(biāo)定義有:r:s:t=2:3:6,即指標(biāo)為(321)的點(diǎn)陣面在三個(gè)軸上的截距之比為2a:3b:6c。習(xí)題3.硅的晶體結(jié)構(gòu)和金剛石相似。20度下測得其立方晶胞參數(shù)a=543.089pm,密度為2.3283,Si的相對(duì)原子質(zhì)量為28.0854,計(jì)算Avogadro常數(shù)。解:由公式,可得:所以:習(xí)題4.冰為六方晶系晶體,晶胞參數(shù)a=452.27pm,c=736.71pm,晶胞中含4H2O,O原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:據(jù)此計(jì)算或說明:計(jì)算冰的密度;計(jì)算氫鍵鍵長O—H…O;冰的點(diǎn)陣型式是什么?結(jié)構(gòu)基元包含那些內(nèi)容。解:(a)(b)距離最近的的兩個(gè)O原子間的距離即為氫鍵鍵長。所以:氫鍵鍵長為坐標(biāo)為(0,0,0)和(0,0,0.375)的兩個(gè)O原子間的距離。(c)空間點(diǎn)陣型式為簡單六方空間點(diǎn)陣型式;結(jié)構(gòu)基元為4H2O。習(xí)題5.金屬鈉為體心立方結(jié)構(gòu),a=429pm,計(jì)算:(a)鈉的原子半徑;(b)金屬鈉的理論密度;(c)(110)面的間距。解:金屬鈉為體心立方結(jié)構(gòu),原子在晶胞的體對(duì)角線上緊密接觸。這樣,有:所以:鈉的原子半徑為:鈉的理論密度為:(110)面的間距為(立方晶系):習(xí)題6.金屬鎂屬于A3型結(jié)構(gòu),鎂的原子半徑為160pm。(a)指出鎂晶體所屬的空間點(diǎn)陣型式;(b)寫出晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo);(c)若原子符合硬球堆積規(guī)律,計(jì)算金屬鎂的摩爾體積;(d)求d002值。解:(a)空間點(diǎn)陣型式為簡單六方(屬于六方晶)。
(b)晶胞中原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:(c)1mol鎂原子的真實(shí)體積為:而鎂晶體中原子的空間利用率為0.7405,所以鎂晶體的摩爾體積為:(d)計(jì)算衍射面間距d002:習(xí)題7.具有六方ZnS型結(jié)構(gòu)的SiC晶體,其六方晶胞參數(shù)為a=308pm,c=505pm。已知C原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為0,0,0和2/3,1/3,1/2;Si原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為0,0,5/8和2/3,1/3,1/8。請(qǐng)回答或計(jì)算下列問題:(a)按比例清楚地畫出這個(gè)六方晶胞;(b)晶胞中含有幾個(gè)SiC;(c)畫出點(diǎn)陣型式,說明每個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)代表什么?(d)Si作什么型式的堆積,C添在什么空隙中?(e)計(jì)算Si-C鍵長。解:(a)晶胞如圖所示:(c)空間點(diǎn)陣型式:簡單六方。每個(gè)點(diǎn)陣點(diǎn)代表2個(gè)SiC。(b)如圖,晶胞中含有2個(gè)SiC;(d)Si作六方最密堆積,C添在四面體空隙中(e)CSi習(xí)題8.由Ca,Ti和O組成的三元離子晶體的結(jié)構(gòu)可看作是Ca2+和O2-一起有序地進(jìn)行立方最密堆積。該晶體晶胞的頂點(diǎn)位置被Ca2+占據(jù),體心位置被Ti4+占據(jù),面心位置被O2-占據(jù)。(a)畫出晶胞,寫出各粒子的坐標(biāo)參數(shù);(b)寫出該晶體的化學(xué)式;(c)寫出該晶體的空間點(diǎn)陣型式;(d)以Ti4+為晶胞頂點(diǎn),寫出各粒子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo);解:(a)晶胞如圖所示:(b)該晶體的化學(xué)式為:
CaTiO3(c)屬于簡單空間點(diǎn)陣型式;(d)以Ca的位置為晶胞頂點(diǎn)寫出的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為:將坐標(biāo)原點(diǎn)移到Ti的位置,即坐標(biāo)原點(diǎn)由0,0,0變?yōu)?/2,1/2,1/2。此時(shí)各坐標(biāo)變?yōu)椋篊a2+O2-Ti4+習(xí)題9.今年3月發(fā)現(xiàn)硼化鎂在39K呈超導(dǎo)性,可能是人類對(duì)超導(dǎo)認(rèn)識(shí)的新里程碑。在硼化鎂晶體的理想模型中,鎂原子和硼原子是分層排布的,像維夫餅干,一層鎂一層硼地相間,如圖是該晶體微觀空間中取出的部分原于沿c軸方向的投影,白球是鎂原子投影,黑球是硼原子投影,圖中的硼原子和鎂原子投影在同一平面上。硼化鎂的晶體結(jié)構(gòu)投影圖(1)由圖確定硼化鎂的化學(xué)式。(2)畫出硼化鎂的一個(gè)晶胞的透視圖,標(biāo)出該晶胞內(nèi)面、棱、頂角上可能存在的所有硼原子和鎂原子(鎂原子用大白球,硼原子用小黑球表示)。解:(1)MgB2
(2)習(xí)題10.氫是重要而潔凈的能源。要利用氫氣作能源,必須解決好安全有效地儲(chǔ)存氫氣問題。化學(xué)家研究出利用合金儲(chǔ)存氫氣,LaNi5是一種儲(chǔ)氫材料。LaNi5的晶體結(jié)構(gòu)已經(jīng)測定,屬六方晶系,晶胞參數(shù)a=511pm,c=397pm,晶體結(jié)構(gòu)如圖所示:LaNi5晶體結(jié)構(gòu)圖
OLa●Ni1.從LaNi5晶體結(jié)構(gòu)圖中勾畫出一個(gè)LaNi5晶胞。2.每個(gè)晶胞中含有多少個(gè)La原子和Ni原子?3.LaNi5晶胞中含有3個(gè)八面體空隙和6個(gè)四面體空隙,若每個(gè)空隙填入1個(gè)H原子,計(jì)算該儲(chǔ)氫材料吸氫后氫的密度,該密度是標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下氫氣密度(8.98710-5g·cm-3)的多少倍?(氫的相對(duì)原子質(zhì)量為1.008;光速c為2.998×108m·s-1;忽略吸氫前后晶胞的體積變化)。1、解:(2)晶胞中含有1個(gè)La原子和5個(gè)Ni原子。(3)計(jì)算過程:六方晶胞體積:V=a2csin120°=(5.11×10-8)2×3.97×10-8×31/2/2=89.7×10-24cm3
結(jié)果是氫氣密度的1.87×103倍。習(xí)題11.SiC具有高硬度、高耐磨性、高耐腐蝕性及較高的高溫強(qiáng)度等特點(diǎn),已成為一種重要的工程材料。其晶體具有六方ZnS型結(jié)構(gòu),晶胞參數(shù)為a=308pm,c=505pm,已知C原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為0,0,0和;Si原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為和。(1)
按比例畫出SiC六方晶胞;(2)每個(gè)晶胞中含有SiC
個(gè)。(3)晶體中Si的堆積型式是
。
C填充的空隙類型是
。(4)列式計(jì)算C—Si鍵長。解:(1)SiC六方晶胞(2)每個(gè)晶胞中含有2個(gè)SiC。(3)Si原子作六方最密堆積,C原子填充在Si圍成的四面體空隙中。(4)由(1)中晶胞圖可以看出,Si-C鍵長為:
習(xí)題12.某同學(xué)在學(xué)習(xí)等徑球最密堆積(立方最密堆積A1和六方最密堆積A3)后,提出了另一種最密堆積形式Ax。如右圖所示為Ax堆積的片層形式,然后第二層就堆積在第一層的空隙上。請(qǐng)根據(jù)Ax的堆積形式回答:(1)計(jì)算在片層結(jié)構(gòu)中(如圖所示)球數(shù)、空隙數(shù)和切點(diǎn)數(shù)之比
(2)在Ax堆積中將會(huì)形成正八面體空隙和正四面體空隙。確定球數(shù)、正八面體空隙數(shù)和正四面體空隙數(shù)之比
(3)指出Ax堆積中小球的配位數(shù)
(4)計(jì)算Ax堆積的原子空間利用率。(5)正八面體和正四面體空隙半徑(可填充小球的最大半徑,設(shè)等徑小球的半徑為r)。(6)已知金屬Ni晶體結(jié)構(gòu)為Ax堆積形式,Ni原子半徑為124.6pm,計(jì)算金屬Ni的密度。(Ni的相對(duì)原子質(zhì)量為58.70)(7)如果CuH晶體中Cu+的堆積形式為Ax型,H-填充在空隙中,且配位數(shù)是4。則H-填充的是哪一類空隙,占有率是多少?(8)當(dāng)該同學(xué)將這種Ax堆積形式告訴老師時(shí),老師說Ax就是A1或A3的某一種。你認(rèn)為是哪一種,為什么?(1)1︰1︰2(2)1︰1︰2一個(gè)球參與六個(gè)正八面體空隙,一個(gè)正八面體空隙由六個(gè)球圍成;一個(gè)球參與八個(gè)正四面體空隙,一個(gè)正四面體空隙由四個(gè)球圍成。(3)小球的配位數(shù)為12平面已配位4個(gè),中心球周圍的四個(gè)空隙上下各堆積4個(gè),共12個(gè)。解:(4)74.05%以4個(gè)相鄰小球中心構(gòu)成底面,空隙上小球的中心為上底面的中心構(gòu)成正四棱柱,設(shè)小球半徑為r,則正四棱柱邊長為2r,高為r,共包括1個(gè)小球(4個(gè)1/4,1個(gè)1/2),空間利用率為(5)正八面體空隙為0.414r,正四面體空隙為0.225r。(6)8.91g/cm3
根據(jù)第(4)題,正四棱柱質(zhì)量為58.70/NAg,體積為1.094×10-23cm3。(7)H-填充在正四面體空隙,占有率為50%正四面體為4配位,
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