SOI及其制備工藝

概述SIMOXBESOISmart-cutSimbond

SOI及其制備技術(shù)1概述SOI(SiliconOnInsulator),又稱絕緣層上硅。一種新型結(jié)構(gòu)的硅材料，通過在體硅中加入一層絕緣層，而具有一些特殊的性質(zhì)。被稱為有望替代體硅成為新一代的集成電路襯底材料。

SOI絕緣層（埋氧層）頂硅層襯底

（a）典型SOICMOS橫截面示意圖 （b）SOICMOSTEM(Transmissionelectron microscope)側(cè)面圖2概述

SOI的技術(shù)特點：速度高----全耗盡SOI器件具有遷移率高、跨導(dǎo)大、寄生電容小等優(yōu)點使SOICMOS具有極高的速度特性。功耗低----全耗盡SOI器件具有陡直的亞閾值斜率，漏電流小，靜態(tài)功耗小；結(jié)電容與連線電容均很小，動態(tài)功耗小。集成密度高----SOI采用介質(zhì)隔離，不需要制備體硅CMOS電路的阱等復(fù)雜隔離工藝，器件最小間隔僅取決于光刻和刻蝕技術(shù)的限制。完全消除閂鎖效應(yīng)。成本低----SOI技術(shù)除了襯底材料成本高于硅材料外，其他成本均低于體硅。SOICMOS的制造工藝比體硅至少少3塊掩模板，減少13~20%的工序。抗輻照特性好---全介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)，且具有極小的結(jié)面積，因此具有非常好的抗軟失效，瞬時輻照和單粒子翻轉(zhuǎn)能力?！璖OI的技術(shù)存在的問題：浮體效應(yīng)----SOIMOS的體區(qū)處于浮空狀態(tài)，器件內(nèi)部碰撞電離產(chǎn)生的載流子無法從器件中排除，影響器件性能。（FDSOI、引入復(fù)合中心）自加熱效應(yīng)----BOX熱導(dǎo)率低3典型1mmCMOS工藝條件下體硅和

SOI器件的寄生電容(pF/mm2)4概述

SOI的制備：SOI材料制造技術(shù)分類多晶/非晶單晶化硅單晶薄膜的沉積熔融再結(jié)晶（ZMR）固相外延（SPE）束致再結(jié)晶---激光或電子束區(qū)熔再結(jié)晶---石墨條加熱或鹵素?zé)魡尉бr底的隔離氧離子注入形成SiO2埋層（SIMOX）BESOI、Smart-cut、SIMBOND工藝多孔硅氧化隔離法（FIPOS）選擇外延橫向生長法（ELO）(厚膜、抗輻射)異質(zhì)外延法（SOS（污染、透明、抗輻射）,SOZ,SOM等）5SIMOX2.1SIMOX工藝流程：SIMOX(SeparatebyIMplantOxygen),又稱注氧隔離技術(shù)。此方法有兩個關(guān)鍵步驟：離子注入和退火。在注入過程中，氧離子被注入圓片里，與硅發(fā)生反應(yīng)形成二氧化硅沉淀物。然而注入對圓片造成相當(dāng)大的損壞，而二氧化硅沉淀物的均勻性也不好。隨后進行的高溫退火能幫助修復(fù)圓片損壞層并使二氧化硅沉淀物的均勻性保持一致。這時圓片的質(zhì)量得以恢復(fù)而二氧化硅沉淀物所形成的埋層具有良好的絕緣性。

SisubstrateO+離子注入SOI材料高溫退火6SIMOX2.過程參數(shù)影響注入劑量：控制埋氧層的厚度，提高注入劑量，埋氧層增加同時頂硅層厚度減小。注入能量：控制離子注入的射程，從而影響頂層硅厚度。另外研究表明，注入能量越高注入粒子分散程度越大，形成連續(xù)埋氧層所需劑量也越高。退火溫度：高溫退火消除注入缺陷，消融頂層硅中氧沉淀，促使埋層形成。退火氣氛：惰性氣氛通常加入少量氧，增加氧分壓防止由于形成SiO而導(dǎo)致的表面缺失。硅片溫度：影響注入過程缺陷形成，低溫容易導(dǎo)致頂層硅的非晶化。

SIMOX需要高溫離子注入和長時間高溫離子退火，難以控制顆粒，低劑量乃至超低劑量注入難以得到完整的埋層，氧離子注入容易形成重金屬污染，不易得到陡峭的界面，工藝成本限制，產(chǎn)品質(zhì)量和穩(wěn)定性方面無法取得更好的成果。法國SOITEC、美國IBIS和IBM相繼放棄了simox制備技術(shù)。200mm和300mmSIMOX片只有日本S.E.H、SUMCO少量供應(yīng)。7BESOI3.1BESOI（BondingandEtchbackSOI）鍵合和背面腐蝕工藝流程： 鍵合技術(shù)指將兩個平整表面的硅片相互靠近，硅片間的范德瓦爾斯力使兩個硅片緊密的結(jié)合在一起。鍵合技術(shù)形成的SOI材料的頂層硅膜來自于襯底硅膜，未經(jīng)過SIMOX技術(shù)中的高溫氧離子注入，所以頂層硅膜中的缺陷較少，其器件性能可以達到體硅器件的水平。 BESOI過程分三步來完成。第一步是在室溫的環(huán)境下使一熱氧化圓

片在另一硅片上鍵合；第二步是經(jīng)過退火增強兩個圓片的鍵合力度；第三步通過研磨、拋光及腐蝕來消薄其中一個圓片到所要求的厚度。

硅片熱氧化高溫鍵合腐蝕減薄8鍵合技術(shù)形成SOI的主要工藝步驟9BESOI3.2腐蝕減薄工藝通常采用兩種基本的減薄技術(shù)：粗磨后化學(xué)機械拋光后粗磨后背面選擇腐蝕研磨+拋光：粗磨迅速減薄硅片，化學(xué)機械拋光進一步精確減薄硅層。由于缺乏有效的腐蝕終止控制技術(shù)只能獲得相當(dāng)厚的頂部硅膜背面選擇腐蝕技術(shù)：預(yù)粗磨之后采用有腐蝕終點指示的化學(xué)腐蝕方法，腐蝕終止是采用在上層硅片下表面建立雜質(zhì)濃度梯度實現(xiàn)的。如采用重摻襯底P+，在其上生長輕摻的N－或P－外延層（工藝完成后作為頂層單晶硅薄膜），首先粗磨重摻雜區(qū)，然后化學(xué)腐蝕得到頂層硅膜，腐蝕劑選用具有較強選擇比腐蝕性的試劑。對頂層膜及其厚度均勻性難以精確控制，適用于制造厚膜SOI材料。

10Smart-cut4.1Smart-cut工藝流程：結(jié)合了離子注入和鍵合的雙重優(yōu)勢。第一步是在室溫的環(huán)境下使一圓片熱氧化,并注入一定劑量H+。第二步常溫下與另一非氧化圓片鍵合；第三步低溫退火使注入氫離子形成氣泡令硅片剝離，后高溫退火增強兩圓片的鍵合力度；第四步硅片表面平坦化。

2.硅片鍵合3.低溫剝離+高溫鍵合4.平坦化1.注入氫離子H+硅片B硅片A11Soitec公司smart-cut工藝流程圖12Smart-cut4.2Smart-cut技術(shù)優(yōu)點H+注入劑量為1016cm-2，比SIMOX低兩個數(shù)量級，可采用普通的離子注入機完成。埋氧層由熱氧化形成，具有良好的Si/SiO2界面，同時氧化層質(zhì)量較高。剝離后的硅片可以繼續(xù)作為鍵合襯底大大降低成本。

Smart-cut技術(shù)已成為SOI材料制備技術(shù)中最具競爭力、最具發(fā)展前途的一種技術(shù)。自1995年開發(fā)該技術(shù)以來，已得到飛速發(fā)展，法國SOITEC公司已經(jīng)能夠提供Smart-cut技術(shù)制備的商用SOI硅片，并擁有其專利13Simbond5.

SIMBOND工藝：

國內(nèi)的SOI產(chǎn)業(yè)發(fā)展緩慢，目前上海新傲科技股份有限公司率先實現(xiàn)國內(nèi)SOI的產(chǎn)業(yè)化。陳猛等人結(jié)合了離子注入和鍵合技術(shù)提出了注氧鍵合技術(shù)，形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Simbond技術(shù)。14年，新傲與法國SOITEC簽訂了中國地區(qū)200mmSOI晶圓獨家代理協(xié)議。

向器件片的鍵合面注入氧離子，高溫退火形成埋氧層，這個埋氧層就是之后的腐蝕停止層。與另一片支撐片鍵合，然后高溫退火，以形成完好的鍵合