電子科學與技術(shù)專業(yè)

電子科學與技術(shù)專業(yè)第一篇：電子科學與技術(shù)專業(yè)電子科學與技術(shù)專業(yè)主要課程:電子線路、計算機語言、微型計算機原理、電動力學、量子力學、理論物理、固體物理、半導體物理、物理電子與電子學、微電子學等。專業(yè)實驗:物理電子技術(shù)實驗、光電子技術(shù)實驗、半導體器件與集成電路實驗等.學制:4年.授予學位:工學學士.相近專業(yè):電子信息工程.就業(yè)方向:主要到該領(lǐng)域內(nèi)從事各種電子材料、元器件、集成電路乃至集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設(shè)計、制造和相應(yīng)的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究、開發(fā)工作.就業(yè)形勢:根據(jù)有關(guān)資料統(tǒng)計,近幾年該專業(yè)畢業(yè)生就業(yè)率在70%左右,重點名牌高校就業(yè)率在90%左右.根據(jù)對國內(nèi)外電子科學與技術(shù)行業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢分析，美國、西歐、日本、韓國、臺灣地區(qū)的電子科學與技術(shù)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入上升軌道。中國隨著市場開放和外資的不斷涌入，電子科學與技術(shù)產(chǎn)業(yè)開始煥發(fā)活力。中國“十一五”規(guī)劃的建議書將信息產(chǎn)業(yè)列入重點扶植產(chǎn)業(yè)之一，中國軍事和航天事業(yè)的蓬勃發(fā)展也必然帶動電子科學與技術(shù)行業(yè)的發(fā)展和內(nèi)需。中國電子科學與技術(shù)產(chǎn)業(yè)將有一個明顯的發(fā)展空間，高科技含量的自主研發(fā)的產(chǎn)品將進入市場，形成自主研發(fā)和來料加工共存的局面；中國大、中、小企業(yè)的分布和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)趨于合理，出口產(chǎn)品將穩(wěn)步增加；高技術(shù)含量產(chǎn)品將向民用化發(fā)展，必然促進產(chǎn)品的內(nèi)需和產(chǎn)量。隨著社會需求會逐步擴大，電子科學與技術(shù)專業(yè)總體就業(yè)前景看好。畢業(yè)生面臨“再學習”過程跟發(fā)達國家相比，我國目前在微電子領(lǐng)域的高等教育水平還比較低。清華大學微電子學研究所王志華教授在接受《中國電子報》記者采訪時表示，大學工科學科研究的重要目的是解決工業(yè)界期望解決而沒有解決（至少是沒有解決好）的科學和技術(shù)問題，這就是工科領(lǐng)域的創(chuàng)新。因此，大學中工科學科的研究水平一定與所在國家相關(guān)工業(yè)的發(fā)展水平密切相關(guān)。如果國家相關(guān)工業(yè)水平在世界上處于落后地位，相關(guān)工程學科的研究水平整體上不可能領(lǐng)先世界，即便能取得一些世界領(lǐng)先的成果，也一定是鳳毛麟角。與此相關(guān)的是，高水平工程技術(shù)的人才培養(yǎng)，與受教育者在大學中研究經(jīng)驗的積累密切相關(guān)，在工業(yè)落后的情況下，高等工程教育的整體水平不可能領(lǐng)先世界。我國微電子產(chǎn)業(yè)與教育的現(xiàn)狀和趨勢恰好印證了王教授的這個觀點。在看清楚差距之后，加大對高校微電子專業(yè)科研的投入就顯得尤為必要，因為高素質(zhì)的人才一定是通過科研實踐活動培養(yǎng)出來的?！斑@必須是國家行為?！蓖踔救A教授強調(diào)說，“高校的科研不應(yīng)該是與企業(yè)競爭，大學從事的創(chuàng)新性研究可能會面對失敗，高水平人才的培養(yǎng)過程中也常常要面臨各種形式的失敗，但這種失敗所付出的社會成本比在企業(yè)中失敗要小得多，這是對全社會都有利的；當然，高等院校在國家支持下所取得的科研成果應(yīng)該由全社會分享?！痹谕踔救A教授看來，高等院校在工科技術(shù)人才培養(yǎng)方面至少應(yīng)該做好兩件事，第一是基礎(chǔ)學科的教育，包括基本的數(shù)學知識、物理知識和工程知識等；第二是盡可能地為學生提供全面的工程訓練。對于研究型大學，還要培養(yǎng)學生的創(chuàng)新能力?！翱陀^地講，要完全達到上述目標難度非常大?！蓖踅淌诼詭нz憾地說。中國高校的招生規(guī)模已經(jīng)從1977年恢復高考時的27萬人擴大到20XX年的近600萬人，對于高校本科畢業(yè)生而言，中國的高等教育已經(jīng)不再是當年的精英教育，高校所培養(yǎng)的是一般意義上的勞動者，他們在大學里掌握的是從事各種工作所需要的基本技能、繼續(xù)學習所需要基礎(chǔ)知識及思維方法。王教授認為，作為教學機構(gòu)，高等院校不可能為各家企業(yè)量身定制他們所需的人才，因此，即便是具有很強專業(yè)技能的碩士畢業(yè)生，在其進入企業(yè)以后也將經(jīng)歷一個“再學習”的過程，這個任務(wù)，客觀上需要企業(yè)自己完成。電子信息科學與技術(shù)專業(yè)本專業(yè)培養(yǎng)系統(tǒng)地掌握電子信息科學與技術(shù)的基本理論、基本知識和基本技能，受到良好的現(xiàn)代化電子信息系統(tǒng)方面的科學研究訓練的高級專門人才.主要課程設(shè)置：電子科學與技術(shù)、計算機科學與技術(shù)、電子技術(shù)基礎(chǔ)、數(shù)字系統(tǒng)與邏輯設(shè)計、微機原理與應(yīng)用、信號與系統(tǒng)、信息理論與編碼、電磁場與電磁波、通信原理、信息處理技術(shù)及其應(yīng)用。本專業(yè)畢業(yè)生能夠在電子信息科學技術(shù)、計算機科學與技術(shù)及相關(guān)領(lǐng)域和行業(yè)，從事研究、教學、科技開發(fā)、工程設(shè)計和管理工作。學習這個專業(yè)的基本要求：1.具有較扎實的數(shù)理基礎(chǔ)；2.掌握電子學、信息科學、計算機科學等的基本理論、基本方法和技能；3.具有在信息的獲取、傳遞、處理及應(yīng)用等方面從事理論研究和解決實際問題的能力；4.了解電子信息學科的理論前沿、應(yīng)用前景和最新發(fā)展動態(tài)，以及電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展狀況；5.掌握文獻檢索、資料查詢以及應(yīng)用現(xiàn)代信息技術(shù)獲取相關(guān)信息的基本方法；6.具有良好的口頭和書面表達能力，以及較強撰寫科學論文的能力，并能熟練運用一門外語進行溝通和交流；7.具有良好的人文素養(yǎng)和科學素養(yǎng)、較好的心理素質(zhì)、較強的創(chuàng)新精神。主干學科：電子科學與技術(shù)、計算機科學與技術(shù)。主要課程：高等數(shù)學、工程數(shù)學、大學物理、C語言程序設(shè)計、電路理論、模擬電子技術(shù)、數(shù)字電路與邏輯設(shè)計、信號與系統(tǒng)、微機原理、單片機與嵌入式系統(tǒng)、通信電子線路、數(shù)字信號處理、信息論與編碼、通信原理、可編程器件原理、DSP技術(shù)與應(yīng)用、數(shù)字語音處理、數(shù)字圖象處理等。主要專業(yè)實驗：物理實驗、電子線路實驗、數(shù)字電路實驗等。就業(yè)單位：國有企業(yè)、民營及私營企業(yè)，IT企業(yè)，信息與計算科學專業(yè)的畢業(yè)生進入IT企業(yè)是一個重要的就業(yè)方向，它們可以在這些企業(yè)非常高效的從事計算機軟件開發(fā)、信息安全與網(wǎng)絡(luò)安全等工作。信息產(chǎn)業(yè)對人才的需求首先是基本的“技能”，包括計算機編程的基本能力，要求具有良好的數(shù)據(jù)庫和計算機網(wǎng)絡(luò)的知識和使用技能，熟悉基本的軟件開發(fā)平臺。由于信息產(chǎn)業(yè)進入“應(yīng)用”為主流的時代，高水平的從業(yè)人員不僅要掌握基本的“技能”，關(guān)鍵還要具備將實際問題提煉為計算問題以及求解該問題的能力，這正是信息與計算科學專業(yè)學生的優(yōu)勢所在，也是近幾年來國內(nèi)大型IT企業(yè)“搶購”知名高校計算數(shù)學專業(yè)畢業(yè)生的原因所在。電子信息科學與技術(shù)專業(yè)就業(yè)前景專業(yè)就業(yè)前景：這一行業(yè)的前景是十分廣闊的，將來的分工也會越來越細，未來中國需要大量這方面的專業(yè)人員。目前不僅沒有飽和，而且需求會越來越大。不過要有真本事，將來的競爭肯定也會越來越激烈。主要到應(yīng)用光學、光電子學及相關(guān)的電子信息科學、計算機科學等領(lǐng)域(特別是光機電算一體化產(chǎn)業(yè))從事科學研究、教學、產(chǎn)品設(shè)計、生產(chǎn)技術(shù)或管理工作。隨著計算機技術(shù)廣泛深入地應(yīng)用于人類社會生活，以及全球信息產(chǎn)業(yè)的迅速崛起，二十一世紀的中國將向知識經(jīng)濟時代邁進，教育、科研、社會、經(jīng)濟等各個領(lǐng)域需要越來越多的信息與計算科學的人才，信息與計算科學的研究和應(yīng)用將邁向更深入和更廣泛的領(lǐng)域?？梢灶A計，信息科學與技術(shù)在今后較長時間里仍然是極具生命力的領(lǐng)域。畢業(yè)生就業(yè)面寬，適應(yīng)能力強，適宜到科技、教育、經(jīng)濟和管理部門從事科研、開發(fā)、管理及教學工作，特別是與數(shù)學、計算機應(yīng)用和經(jīng)濟管理相關(guān)的工作，可以繼續(xù)攻讀數(shù)學、計算機科學、經(jīng)濟管理和一些相關(guān)學科的碩士學位研究生。三、基本要求本專業(yè)主要學習電子信息科學的基本理論、基本方法、基本知識，掌握扎實的電子技術(shù)與信息理論基礎(chǔ)，具備在電子信息及相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)從事科學研究、應(yīng)用開發(fā)的能力。畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識和能力：1.掌握較扎實的數(shù)學、物理等自然科學和一定的社會科學基礎(chǔ)知識，具有較強的運用外語的能力；2.較系統(tǒng)地掌握本專業(yè)所必需的電子技術(shù)信息的基本理論與技能；3.能熟練使用計算機（包括常用語言、工具及一些專用軟件）進行信息處理，具有基本的算法分析、設(shè)計能力和較強的編程能力；4.掌握必要的相關(guān)學科和相關(guān)專業(yè)的知識，包括智能信息處理、文字語音視覺圖象處理、光電信息處理等領(lǐng)域的基本知識；5.掌握文獻檢索、資料查詢的基本方法，具有較強的分析、解決實際問題的能力和從事科研的初步能力。預言半導體產(chǎn)業(yè)四大趨勢第一大趨勢：30年河“西”，30年河“東”。回望晶體管誕生這60年，我們可以明顯看到半導體產(chǎn)業(yè)明顯向東方遷移的趨勢，特別是從80年代末開始。1987年臺積電這個純晶圓代工廠的成立，宣告著半導體制造業(yè)開始從西方向東方遷移；90年代初，三星成為全球最大的DRAM廠商，隨后，再成為全球閃存的最大廠商；90年代中，臺灣智原、聯(lián)發(fā)科、聯(lián)詠等一批IC公司從聯(lián)電分離出來，吹響了東方IC公司挑戰(zhàn)西方IC公司的號角；進入21世紀，中芯國際帶動中國大陸代工業(yè)成長起來，成為另一個制造中心，并且也帶動了中國IC設(shè)計業(yè)的成長；最后，德州儀器、飛思卡爾、英飛凌、LSI以及ADI等眾多傳統(tǒng)的IDM廠商轉(zhuǎn)向輕資產(chǎn)模式，放棄獨自建造45nm工廠，而分別與臺積電、特許和聯(lián)電等合作研制，20XX年，在集成電路誕生50周年的這一年，這些傳統(tǒng)IDM公司的45nm產(chǎn)品都將亮相，但是，不是在這些IDM自己的工廠生產(chǎn)，而是在以上亞洲的代工廠里生產(chǎn)。90nm是一個轉(zhuǎn)折點，當臺積電等代工廠突破了這個節(jié)點后，它們已將先進工藝的大旗從IDM手中接了過來，未來，臺灣晶圓代工廠在半導體工藝技術(shù)上將領(lǐng)先全球，并且成為全球IC產(chǎn)量最大的基地。雖然英特爾仍主宰著PC產(chǎn)業(yè)，并繼續(xù)IDM模式和領(lǐng)導最先進的工藝，但是，半導體產(chǎn)業(yè)的推動力已由PC轉(zhuǎn)向消費電子。展望未來，不論是在應(yīng)用推動還是在技術(shù)創(chuàng)新上東方都將取代西方成為產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導著。全球半導體產(chǎn)業(yè)將演義30年河“西”，30年河“東”的歷史大戲。第二大趨勢：有更多的私募基金加入半導體行業(yè)，且IC公司之間的整合加速。半導體行業(yè)將會越來越遵循大者恒大的定律。恩智浦半導體大中華區(qū)區(qū)域執(zhí)行官葉昱良指出：“私募基金加入半導體行業(yè)是一個趨勢，這個趨勢源起于IC公司會有愈來愈多的整合需求，基于大者恒大的定論，在IC產(chǎn)業(yè)通常也只有前5強才能生存?！痹诖笳吆愦蠖傻尿?qū)動下，會有更多半導體公司的整合。其中最值得期待的是中國臺灣與大陸半導體公司之間的整合。義隆電子董事長葉儀晧指出：“因臺灣沒有具經(jīng)濟規(guī)模的市場，故不易培養(yǎng)出可以主導新應(yīng)用的產(chǎn)品規(guī)格的大型OEM，而沒有這些有品牌的系統(tǒng)廠商配合時，臺灣IC設(shè)計公司新產(chǎn)品開發(fā)的策略，很自然地大多以跟隨者為主。但中國大陸擁有廣大的市場及具規(guī)模的系統(tǒng)廠商，所以臺灣IC設(shè)計公司與大陸市場及系統(tǒng)公司合作是未來的趨勢?！贝俪筛喟雽w公司整合的另一個重要原因是IP需求，隨著半導體產(chǎn)業(yè)向高端SoC發(fā)展，對IP的需求巨增。但是，對于IP的獲得卻會越來越難。一些擁有豐富IP的半導體廠商并不希望將IP授權(quán)出去，正如NXP的葉昱良表示：“事實上，一個公司光靠授權(quán)IP是很難長期發(fā)展的，所以我們的策略是如何加快我們自己的SoC研發(fā)，并且更加靈活的和partner合作。我們擁有大量優(yōu)秀的IP，我們的挑戰(zhàn)就是如何將這些IP最快地轉(zhuǎn)化為IC。”（對于ARM來說可能是例外，ARM是只靠授權(quán)獲取利潤獲得很好發(fā)展的公司）因此，中小歐美半導體廠商之間整合也會越來越頻繁。希圖視鼎總裁兼CEO劉錦湘分析道：“和10年前相比，硅谷的公司生態(tài)環(huán)境發(fā)生了很大變化。很多公司相互合并，或者大公司把小公司吃掉，很多公司面臨嚴重的生存危機。公司規(guī)模越來越大，但公司數(shù)量越來越少，每一個市場最終生存下來不會超過三個公司。”第三大趨勢：歐美廠商不再輕易放棄低利潤市場。未來10年，半導體產(chǎn)業(yè)會逐漸成為一個成熟的產(chǎn)業(yè)，一個微利的產(chǎn)業(yè)。半導體產(chǎn)業(yè)年增長率會從兩位數(shù)降到單位數(shù)，IC總產(chǎn)量和總銷售額會繼續(xù)增加，但利潤率會下降。在利潤率逐漸下降的趨勢下，歐美半導體廠商不再輕易放棄低利潤的市場。義隆電子董事長葉儀晧說道：“以前歐美日大廠IC的毛利率如果低45%時，他們通常會放棄而漸由臺灣IC設(shè)計公司取代，他們會轉(zhuǎn)移到更高毛利的新興應(yīng)用市場上。但這幾年殺手級的產(chǎn)品并不多，那些大廠不再輕易放棄，且會進行各種CostDown規(guī)劃，以維持市占率及產(chǎn)品的毛利率，讓臺灣IC設(shè)計公司的競爭愈來愈辛苦。未來，隨著亞洲成為全球的應(yīng)用創(chuàng)新與消費中心，歐美廠商在該市場將與中國大陸和臺灣的眾多IC公司爭奪一些關(guān)鍵領(lǐng)域，而利潤會越來越低。最典型的將是移動多媒體處理器，也稱為應(yīng)用處理器。此外，模擬IC的利潤也會越來越低。圣邦微電子總裁張世龍表示：“在模擬IC領(lǐng)域，相對技術(shù)門檻正在逐年降低。越來越多的臺灣和大陸公司開始涉足這一領(lǐng)域。隨著模擬器件市場競爭越來越激烈，傳統(tǒng)歐美公司在模擬器件市場上越來越難以維持其競爭力，只能向更高的系統(tǒng)集成度發(fā)展?！钡谒拇筅厔荩悍志帽睾希暇帽胤?。在20XX年前后，眾多的半導體廠商從母公司剝離，包括英飛凌、科勝迅、杰爾、NEC、飛思卡爾以及NXP等。但是剝離出來后的獨立半導體公司活得并不如預期的好，其中不少是連續(xù)多年虧損。最典型的是杰爾，不斷出售產(chǎn)品線，最后被被LSI收購。雖然他們有著令人羨慕的技術(shù)積累與IP積累，但分離出來后，他們?nèi)試乐匾蕾嚸抗荆陂_拓新的大牌OEM客戶方面做得并不好。其實，最重要的是，由于SoC向高系統(tǒng)集成發(fā)展，在開發(fā)大規(guī)模的LSI時，仍需要IC公司與OEM的緊密合作。瑞薩半導體管理(中國)有限公司CEO山村雅宏表示：“在開發(fā)大規(guī)模LSI方面，我們認為與大型OEM和服務(wù)商合作是一個方向?！比鹚_在開發(fā)3G手機芯片時就是與六家公司聯(lián)合開發(fā)的，包括日本最大的電信運營商NTTDocomo和幾家手機制造商。很明顯，聯(lián)合開發(fā)將帶來IP、開發(fā)成本以及開發(fā)時間的優(yōu)勢?！澳壳鞍雽w制造商難以獨自開發(fā)領(lǐng)先的技術(shù)。我們必須利用過去的研發(fā)資本包括IP、與OEM合作伙伴以及第三方的關(guān)系?！币虼?，展望未來，大型半導體廠商與OEM會再度整合，但可能是一種松散的組合。合久必分，分久必合，這一遠古的名言，用于半導體產(chǎn)業(yè)再合適不過。今年是“十二五”開局之年，也是集成電路產(chǎn)業(yè)迎來新一輪發(fā)展的大好時機，20XX年10月十七屆五中全會的決議，把新一代新意技術(shù)列為七大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之首，明確指出要增強科技創(chuàng)新能力，在核心電子器件等集成電路細分領(lǐng)域攻克一批核心關(guān)鍵技術(shù)。今年1月12日，國務(wù)院召開的常務(wù)會議研究部署進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策措施，會議指出，軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)是國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，是國民經(jīng)濟和社會信息化的重要基礎(chǔ)，這一切充分體現(xiàn)了國家對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高度重視，而且繼續(xù)給予大力支持。集成電路產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略基礎(chǔ)地位和國家的高度重視，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展營造了良好的發(fā)展環(huán)境，我們行業(yè)同仁們受到了極大的鼓舞?；厥仔屡f世紀之交，國務(wù)院18號文的頒布，開辟了產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新歷程，迎來了產(chǎn)業(yè)歷史上最好的十年的發(fā)展時期，這期間所取得的成就為產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展奠定了難能可貴的基礎(chǔ)。產(chǎn)業(yè)規(guī)模繼續(xù)擴大，產(chǎn)業(yè)銷售收入從20XX年僅僅186億元到20XX年為700億元，到20XX年現(xiàn)在根據(jù)預估有望實現(xiàn)同比增長28%以上，銷售收入超過1400億元。同時，技術(shù)創(chuàng)新取得進展，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改善，企業(yè)在國際競爭中迅速成長，以集成電路企業(yè)為例，20XX年大家知道全球金融危機，全球集成電路產(chǎn)業(yè)由此深度下滑，但是在這種情況下，我們的設(shè)計業(yè)實現(xiàn)了近15%的正增長，09年銷售收入過億元的設(shè)計企業(yè)有40家，最高的達到41億元。剛過去的20XX年，設(shè)計業(yè)又實現(xiàn)大幅度增長，過億元的企業(yè)數(shù)量和整個設(shè)計業(yè)的銷售額還將進一步大幅度增加，各種跡象表明我國集成電路設(shè)計企業(yè)在經(jīng)歷了成功與挫折，磨難與考驗之后，正在進入快速發(fā)展階段，他們所積累聚集的能量正在迸發(fā)出來，我們完全有信心期待更好的發(fā)展前景，我們也完全有信息期待更多的公司在眾多產(chǎn)品的工藝技術(shù)領(lǐng)域有更好的發(fā)展前景。第二篇：電子科學與技術(shù)專業(yè)《半導體照明技術(shù)及其應(yīng)用》課程教學大綱（秋季）一、課程名稱：半導體照明技術(shù)及其應(yīng)用SemiconductorLightingTechnologyandApplications二、課程編碼：三、學時與學分：32/2四、先修課程:微積分、大學物理、固體物理、半導體物理、微電子器件與IC設(shè)計五、課程教學目標：半導體照明是指用全固態(tài)發(fā)光器件LED作為光源的照明，具有高效、節(jié)能、環(huán)保、壽命長、易維護等顯著特點，是近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)領(lǐng)域之一，是人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的又一場照明光源的革命。本課程注重理論的系統(tǒng)性﹑結(jié)構(gòu)的科學性和內(nèi)容的實用性，在重點講解發(fā)光二極管的材料、機理及其制造技術(shù)后，詳細介紹器件的光電參數(shù)測試方法，器件的可靠性分析、驅(qū)動和控制方法，以及各種半導體照明的應(yīng)用技術(shù)，使學生學完本課程以后，能對半導體照明有深入而全面的理解。六﹑適用學科專業(yè)：電子科學與技術(shù)七、基本教學內(nèi)容與學時安排：緒論（1學時）半導體照明簡介、學習本課程的目的及要求第一章光視覺顏色（2學時）光的本質(zhì)光的產(chǎn)生和傳播3人眼的光譜靈敏度4光度學及其測量5作為光學系統(tǒng)的人眼6視覺的特征與功能7顏色的性質(zhì)國際照明委員會色度學系統(tǒng)9色度學及其測量第二章光源（1學時）太陽月亮和行星人工光源的發(fā)明與發(fā)展4白熾燈5鹵鎢燈6熒光燈7低壓鈉燈高壓放電燈9無電極放電燈10發(fā)光二極管11照明的經(jīng)濟核算第三章半導體發(fā)光材料晶體導論（2學時）1晶體結(jié)構(gòu)2能帶結(jié)構(gòu)3半導體晶體材料的電學性質(zhì)4半導體發(fā)光材料的條件第四章半導體的激發(fā)與發(fā)光（1學時）PN結(jié)及其特性2注入載流子的復合輻射與非輻射復合之間的競爭4異質(zhì)結(jié)構(gòu)和量子阱第五章半導體發(fā)光材料體系（2學時）砷化鎵2磷化鎵3磷砷化鎵4鎵鋁砷5鋁鎵銦磷6銦鎵氮第六章半導體照明光源的發(fā)展和特征參量（1學時）發(fā)光二極管的發(fā)展發(fā)光二極管材料生長方法3高亮度發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)4照明用LED的特征參數(shù)和要求第七章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長（3學時）磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）2氫化物外延體系的熱力學分析3液相外延原理4磷化鎵的液相外延5鎵鋁砷的液相外延第八章鋁鎵銦磷發(fā)光二極管（2學時）AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論2外延材料的規(guī)模生產(chǎn)問題3電流擴展4電流阻擋結(jié)構(gòu)5光的取出6芯片制造技術(shù)器件特性第九章銦鎵氮發(fā)光二極管（2學時）GaN生長2InGaN生長3InGaNLED4提高質(zhì)量和降低成本的幾個重要技術(shù)問題第十章LED芯片制造技術(shù)（3學時）1光刻技術(shù)2氮化硅生長3擴散4歐姆接觸電極5ITO透明電極6表面粗化7光子晶體8激光剝離（LaserLiftoff，LLO）9倒裝芯片技術(shù)垂直結(jié)構(gòu)芯片技術(shù)11芯片的切割LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展第十一章白光發(fā)光二極管（2學時）1新世紀光源的研制目標2人造白光的最佳化3熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED4多芯片白光LED第十二章LED封裝技術(shù)（3學時）LED器件的設(shè)計2LED封裝技術(shù)第十三章發(fā)光二極管的測試及可靠性（2學時）發(fā)光器件的效率2電學參數(shù)3光電特性參數(shù)——光電響應(yīng)特性4光度學參數(shù)5色度學參數(shù)6熱學參數(shù)（結(jié)溫、熱阻）7靜電耐受性8LED可靠性概念9LED的失效分析10可靠性試驗11壽命試驗可靠性篩選例行試驗和鑒定驗收試驗第十四章有機發(fā)光二極管（2學時）OLED4有機發(fā)光56白光OLED發(fā)展趨勢和實用化預測第十五章半導體照明驅(qū)動和控制（2學時）LED驅(qū)動技術(shù)2LED驅(qū)動器LED集成驅(qū)動電路4控制技術(shù)第十六章半導體照明應(yīng)用技術(shù)、市場現(xiàn)狀和展望（1學時）1半導體照明應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)原則2LED顯示屏3交通信號燈4景觀照明5手機應(yīng)用6汽車用燈LCD顯示背光源8微型投影機9通用照明光源效率和照明系統(tǒng)整體效率11LED外延12LED芯片技術(shù)13LED封裝技術(shù)LED發(fā)光效率的發(fā)展15市場現(xiàn)狀和預測16半導體照明發(fā)展目標八﹑教材及參考書方志烈編著，《半導體照明技術(shù)》，電子工業(yè)出版社，20XX九、參考書1、史光國編著，《半導體發(fā)光二極管及固體照明》，科學出版社，20XX2、陳元燈編著，《LED制造技術(shù)與應(yīng)用》，電子工業(yè)出版社，20XX3、肖志國編著，《半導體照明發(fā)光材料及應(yīng)用》，工學工業(yè)出版社，20XX4、毛興武等編著，《新一代綠色光源LED及其應(yīng)用技術(shù)》，人民郵電出版社，20XX十、考核方式：開卷考試第三篇：電子科學與技術(shù)專業(yè)描述電子科學與技術(shù)專業(yè)描述首發(fā)外貿(mào)電子科學與技術(shù)專業(yè)描述本專業(yè)培養(yǎng)具備物理電子、光電子與微電子學領(lǐng)域內(nèi)寬廣理論基礎(chǔ)、實驗能力和專業(yè)知識，能在該領(lǐng)域內(nèi)從事各種電子材料、元器件、集成電路、乃至集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)的設(shè)計、制造和相應(yīng)的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究、開發(fā)等方面工作的高級工程技術(shù)人才。業(yè)務(wù)培養(yǎng)要求：本專業(yè)學生主要學習數(shù)學、物理、物理電子、光電子、微電子學領(lǐng)域的基本理論和基本知識，受到相關(guān)的信息電子實驗技術(shù)、計算機技術(shù)等方面的基本訓練，掌握各種電子材料、工藝、零件及系統(tǒng)的設(shè)計、研究與開發(fā)的基本能力。畢業(yè)生應(yīng)獲得以下幾方面的知識和能力：1．具有堅實的自然科學基礎(chǔ)，較好的人文社會科學基礎(chǔ)，并熟練掌握一門外語；2．系統(tǒng)地掌握本專業(yè)領(lǐng)域必需的較寬的技術(shù)基礎(chǔ)理論；3．具有較強的本專業(yè)領(lǐng)域的實驗能力，計算機輔助設(shè)計與測試能力和工程實踐能力；4．了解本專業(yè)領(lǐng)域的理論前沿和發(fā)展動態(tài)；5．掌握文獻檢索、資料查詢的基本方法，具有一定的科學研究和實際工作能力。主干課程電子科學與技術(shù)主要課程：電子線路、計算機語言、微型計算機原理、電動力學、量子力學、理論物理、固體物理、半導體物理、物理電子與電子學以及微電子學等方面的專業(yè)課程。主要實踐性教學環(huán)節(jié)：包括電子工藝實習、電子線路實驗、計算機語言和算法實踐、課程設(shè)計、生產(chǎn)實習、畢業(yè)設(shè)計等。一般安排20XX修業(yè)年限：四年授予學位：工學學士相近專業(yè)：微電子學自動化電子信息工程通信工程計算機科學與技術(shù)電子科學與技術(shù)生物醫(yī)學工程電氣工程與自動化信息工程信息科學技術(shù)軟件工程影視藝術(shù)技術(shù)絡(luò)工程信息顯示與光電技術(shù)集成電路設(shè)計與集成系統(tǒng)光電信息工程廣播電視工程電氣信息工程計算機軟件電力工程與管理智能科學與技術(shù)數(shù)字媒體藝術(shù)計算機科學與技術(shù)探測制導與控制技術(shù)電氣工程及其自動化數(shù)字媒體技術(shù)信息與通信工程建筑電氣與智能化電磁場與無線技術(shù)首發(fā)外貿(mào)第四篇：電子科學與技術(shù)專業(yè)問卷調(diào)查問卷調(diào)查你好，我們是的學生，耽誤你幾分鐘，做一份關(guān)于我們專業(yè)的調(diào)查報告，在此承諾對于你的答案我們會做好保密工作，謝謝你的配合。1.您的性別是？（）A.男B.女2.您現(xiàn)在是？（）A.已畢業(yè)工作的大學生B.正在工作的大學生C.高中畢業(yè)或仍在高中學習的準大學生3.您學的（想學的）專業(yè)是？（）A.理工科方面的B.商業(yè)方面的C.傳媒新聞方面的D.醫(yī)學方面的E.創(chuàng)意方面的F.其它方面4.您對您所學（將學）的專業(yè)的未來信心如何？（）A.很有信心，覺得自己一定可以在該專業(yè)領(lǐng)域取得成就B.不看好，可以以后會從事其它工作。C.順其自然，畢業(yè)后能找到專業(yè)工作就找專業(yè)工作，找不到不在乎快專業(yè)。電子科學與技術(shù)是以電子器件及其系統(tǒng)應(yīng)用為核心，重視器件與系統(tǒng)的交叉與融合，面向微電子、光電子、光通信、高清晰度顯示產(chǎn)業(yè)等國民經(jīng)濟發(fā)展需求，培養(yǎng)在通信、電子系統(tǒng)、計算機、自動控制、電子材料與器件等領(lǐng)域具有寬廣的適應(yīng)能力、扎實的理論基礎(chǔ)、系統(tǒng)的專業(yè)知識、較強的實踐能力、具備創(chuàng)新意識的高級技術(shù)人才和管理人才，并掌握一定的人文社會科學及經(jīng)濟管理方面的基礎(chǔ)知識，能從事這些領(lǐng)域的科學研究、工程設(shè)計及技術(shù)開發(fā)等方面工作。5.你對電子科學技術(shù)有一定了解么？（）A.不是很了解B.有一定的了解C.很是了解6.你身邊是否有人從事通信或者電子產(chǎn)業(yè)的工作？（）A有B沒有7.他們反響如何？（接上題，如果上題選B此題可以不解答）（）A就業(yè)情況良好，薪水也較可觀B就業(yè)前景一般，薪水方面也一般。C就業(yè)前景堪憂，推薦換份新專業(yè)或工作。8.你認為如今的電子產(chǎn)品吸引顧客的方面是？（多選）（）A外觀B功能C品牌D價格E售后服務(wù)F輔助功能G其他9.電子科學領(lǐng)域畢業(yè)，你認為在當下從事哪項工作會更有希望成功？（）A電子工程師B軟件工程師C項目主管D質(zhì)量管理E銷售10.你認為發(fā)展該專業(yè)需要哪些必備的能力？（）A表達溝通技巧B英語水平C物理數(shù)學能力D動手能力E創(chuàng)新能力F邏輯能力G其它能力謝謝你的配合，祝你生活愉快！第五篇：電子科學與技術(shù)專業(yè)外語翻譯Figure1-1】圖1－1給出了在三種材料中一些重要材料相關(guān)的電阻值（相應(yīng)電導率ρ≡1/δ)。However】然而鍺不太適合在很多方面應(yīng)用因為溫度適當提高后鍺器件會產(chǎn)生高的漏電流。Foragiven】對于給定的半導體，存在代表整個晶格的晶胞，通過在晶體中重復晶胞組成晶格。Thisstructure】這種結(jié)構(gòu)也屬于金剛石結(jié)構(gòu)并且視為兩個互相貫穿的fcc亞點陣結(jié)構(gòu)，這個結(jié)構(gòu)具有一個可以從其它沿立方對角線距離的四分之一處移動的子晶格（位移/4）Mostof】多數(shù)Ⅲ-Ⅴ半導體化合物具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)，它與金剛石有相同結(jié)構(gòu)除了一個有Ⅲ族Ga原子的fcc子晶格結(jié)構(gòu)和有Ⅴ族As原子的另一個。.Forexample】例如，孤立氫原子的能級可由玻爾模型得出：式中m0代表自由電子質(zhì)量,q是電荷量,ε0是真空中電導率,h是普朗克常數(shù)，n是正整數(shù)稱為主量子數(shù)。Furtherdecrease】空間更多減少將導致能帶從不連續(xù)能級失去其特性并合并起來，產(chǎn)生一個簡單的帶。Asshown】如圖1－4（a）能帶圖所示，有一個大帶隙。注意到所有的價帶都被電子充滿而導帶中能級是空的Asaconsequence】結(jié)果，半滿帶的最上層電子以及價帶頂部電子在獲得動能（外加電場）時可以運動到與其相應(yīng)的較高能級上Atroom】在室溫和標準大氣壓下，帶隙值硅（1.12ev）砷化鎵（1.42ev）在0K帶隙研究值硅（1.17ev）砷化鎵（1.52ev）Thus】于是，導帶的電子密度等于把N(E)F(E)dE從導帶底Ec（為簡化起見設(shè)為0）積分到導帶頂EtopFigure1-5】圖1-5從左到右示意地表示了本征半導體的能帶圖,態(tài)密度(N(E)~E1/2),費米分布函數(shù),本征半導體的載流子濃度Inanextrinsic】在非本征半導體中，一種載流子類型增加將會通過復合減少其它類型的數(shù)目；因此，兩種類型載流子的數(shù)量在一定溫度下保持常數(shù)Forshallow】對硅和砷化鎵中的淺施主,在室溫下,常常有足夠的熱能電離所有的施主雜質(zhì),給導帶提供等量的電子Weshall】我們先討論剩余載流子注入的概念。剩余載流子在非平衡條件下會增加，這就是說，載流子的濃度的乘積p*n不等于平衡時ni*ni的值Thethermal】作熱的運動單一電子可以形象的當做是原子晶格或雜質(zhì)原子或其他散射中心碰撞產(chǎn)生的連續(xù)隨即散射。就像所闡述的Whenexcess】當載流子濃度過度時就引入一個直接能隙半導體，這在電子和空穴將再直接復合時是很有可能的，因為導帶底和價帶頂是整隊的和沒有足夠躍遷過能隙的額外的晶體動力Thesep-n】這些PN結(jié)是根本功能表現(xiàn)如整流,增幅,開關(guān),和另外一些電路元器件Theremust】在這個PN結(jié)之間一定存在一些經(jīng)過完整的數(shù)學處理將使簡單的PN結(jié)的活動物理特征難理解；另一方面，在統(tǒng)計時，一個完整的定性分析將沒用However】但是，因為結(jié)的偏壓的增加導致電場的增大，導致靜電流。如果我們明白這4中電流組成的本質(zhì)，無論有沒有偏壓，一個合理的PN結(jié)理論都成立Withthe】有了前一節(jié)的背景知識，電流流動的基本特征理解起來相對簡單，而這些定性的概念形成了對結(jié)中的正向和反向電流的分析性描述的基礎(chǔ)Butinmost】但是，在大多數(shù)的p-n結(jié)型器件中，與它的面積相比，每個區(qū)域的長度是很小的，而摻雜通常是中等到重度摻雜；因此每個中性區(qū)的電阻是很小的，在空間電荷（過渡）區(qū)外，只有很小的電壓降能被維持Ifthedoping】如果p區(qū)域摻雜大于1019cm-3，那么這種結(jié)構(gòu)無疑就是p+-n，因為np型比pn型要小五個數(shù)量級以上。既然這種結(jié)構(gòu)在科技設(shè)備上這么普遍應(yīng)用，我們將在下面做更多的討論舉例來說，當空穴在Xno被電勢場領(lǐng)域的p邊在整個聯(lián)接被掃射的時候，在n材料空穴分布有一個傾斜度存在，而且在n區(qū)域的空穴向結(jié)點擴散。重要的是，雖然方向相反的電流發(fā)生在結(jié)點由于載流子的漂移，這個電流由每邊中間區(qū)域的兩邊的少數(shù)載流子流入的Theresistivity】一個好的導體電阻率數(shù)量級為10－6ohm*cm，對一個半導體而言，數(shù)量級的范圍為10－3到10（6）ohm*cm，對絕緣體，可能是10（10）ohm*cm或更大Abovethe】以上費米能級，入住概率（一個狀態(tài)是由一個電子）接近零，低于該標準。因此，費米能級是一種“頂面”的電子對分布，類似于一個容器一個面對面的液體Ofgreat】極重要的是漂移運動是關(guān)于載流子濃度和電場兩個變量的函數(shù)，而擴散運動是關(guān)于濃度梯度一個變量的函數(shù)Therate】速率的變化密度承運人在一個點（或積累的運營商在一個地區(qū)），可以由等同于向合并的影響，交通運輸，發(fā)電，并在重組這一點（或附近地區(qū)），其結(jié)果是一個延續(xù)性方程Earlyinthe1950s】早在20XX50年代，shockley提出了用附屬雙極來描述他新設(shè)想的器件，因為兩種載流子類型在晶體管作用機理里起重要作用。相反，他描述在場效應(yīng)的期間中（他所提出的就實用具體器件而言）都是單極的，因為晶體管的工作原理主要還是依賴于單種載流子類型。TheindividualBJTs】分立的雙極結(jié)型晶體管通過靈活互聯(lián)可形成具有一定功能的實用化電路，由此可以把含有十萬個以上器件的電路集成在同一個硅芯片上。SincetheBJT】由于晶體管是一個三接線端的器件，其中一端作為輸入端和輸出端的公共端，其他兩端獨立并與對應(yīng)端相聯(lián)系。Itisacurious】這是一個難以理解的事實，在發(fā)射極和集電極區(qū)域的均勻摻雜，且有時也會均勻摻雜在基區(qū)突變結(jié)，現(xiàn)在技術(shù)越來越接近應(yīng)用最簡單分析的觀點Inspiteofthe】盡管基極電流比較小，但它是非常重要的。因為正如我們所看到的，它是提供給共射極晶體管輸入端的控制電流Forexample,inaMESFET】半導體場效應(yīng)晶體管器件中必須減小柵極長度以提高截止頻率，必須減少源極和漏極的接觸電阻以使頻率響應(yīng)不受RC的限制。Therangeoflight】可見光范圍近似為0.4μm到0.7μm,紫外光范圍為0.01μm到0.4μm,紅外光范圍為0.7μm到1000μm.這章中主要感興趣的范圍是從近紫外(~0.3μm)到近紅外(~1.5μm)。Toconvertthe】用下式可把波長轉(zhuǎn)換為光子能量，上式中c是真空中的光速，v是光的頻率，h是普朗克常數(shù)，hv是光子能量，單位為電子伏特，Therearebasically】光和固體中電子的相互作用基本上有三個過程；吸收，自發(fā)輻射和受激輻射。Thedominantoperation】發(fā)光二極管中主要的過程是自發(fā)輻射；激光器中主要的過程是受激輻射，光電探測器和太陽能電池中主要的過程是吸收。Forexample,anelectron】例如導帶邊的電子和價帶邊的空穴復合，發(fā)射一個能量為禁帶寬度的光子theBJTsis】雙極結(jié)型晶體管是最常用的共發(fā)射極配置，這意味著輸入信號施加到基于終端，輸出信號從集電極和發(fā)射極端子接線，共同投入輸出端口Theepitaxialprocessoffersanimportantmeansofcontrollingthedopingprofilessothatdeviceandcircuitperformancescanbeoptimized】外延工藝提供了控制摻雜分布的重要手段，使設(shè)備和電路性能可以得到優(yōu)化Undertheseconditions,anoverpressureofarsenicisestablished(1)tocausethetransportofarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenicvaportothegalliummelt,convertingitintogalliumarsenide,and(2)topreventdecompositionofthegalliumarsenidewhileitisbeingformedinthefurnace】在這種條件下，砷過壓的形成（1）是使砷氣體輸送到鎵熔體，使之從砷化鎵氣體轉(zhuǎn)化到鎵熔體，轉(zhuǎn)化為砷化鎵，（2）防止砷化鎵在（反應(yīng)爐中）合成過程中分解Thed