1+X集成電路理論模擬題及答案

1+X集成電路理論模擬題及答案1、對(duì)晶向?yàn)?lt;111>、6英寸N型半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)，()是作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。A、主平面B、次平面C、兩個(gè)平面均可D、定位槽答案：A晶向?yàn)?lt;111>、6英寸N型半導(dǎo)體材料在定位時(shí)有兩個(gè)基準(zhǔn)面，主平面主要用于硅片上芯片圖形的定位和機(jī)械加工的定位，即作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。2、料盤(pán)完成外觀檢查后,需要進(jìn)入()環(huán)節(jié)。A、分選B、上料C、測(cè)試D、真空包裝答案：D平移式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為:上料→測(cè)試一分選一外觀檢查-真空包裝。3、如果遇到需要加溫的晶圓，對(duì)晶圓的加溫是在扎針調(diào)試()。A、之前B、之后C、過(guò)程中D、都可以答案：A根據(jù)熱脹冷縮的原理，需要加溫的晶圓要在加溫結(jié)束后再進(jìn)行扎針調(diào)試。若先進(jìn)行扎針調(diào)試再加溫可能會(huì)扎透鋁層。4、探針臺(tái)上的()處于()狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作，容易引起探針臺(tái)死機(jī)，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測(cè)試卡。A、紅色指示燈、亮燈B、指示燈、亮燈C、綠色指示燈、亮燈D、紅色指示燈、滅燈答案：B探針臺(tái)上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作，容易引起探針臺(tái)死機(jī)，導(dǎo)致晶圓撞擊探針測(cè)試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升，當(dāng)至少有一盞指示燈處于亮燈狀態(tài)時(shí)不能進(jìn)行其他操作。5、根據(jù)以下隨件單信息可知，從待檢查品貨架上找到的編號(hào)為()的中轉(zhuǎn)箱。A、7LK8B、57493C、1586D、1568答案：D由隨件單信息可知，該批次的中轉(zhuǎn)箱號(hào)為1568。6、工作臺(tái)整理干凈后，根據(jù)物流提供的()到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。A、芯片測(cè)試隨件單B、晶圓測(cè)試隨件單C、中轉(zhuǎn)箱號(hào)D、芯片名稱(chēng)答案：C工作臺(tái)整理干凈后，根據(jù)物流提供的中轉(zhuǎn)箱號(hào)到待檢查品貨架上領(lǐng)取待外檢的芯片。7、主控有較多的選擇空間，這里主要考慮檢測(cè)方案是（）。A、輸入、輸出數(shù)量B、工作頻率高低C、是否需要A/D轉(zhuǎn)換D、能耗大小答案：C8、（）分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤(pán)執(zhí)行，上料后主轉(zhuǎn)盤(pán)旋轉(zhuǎn)，每轉(zhuǎn)動(dòng)一格，都會(huì)將產(chǎn)品送到各個(gè)工位，每個(gè)工位對(duì)應(yīng)不同的作用，包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測(cè)試位等，從而實(shí)現(xiàn)芯片的測(cè)試與分選。A、真空螺旋分選機(jī)B、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)C、重力式分選機(jī)D、平移式分選機(jī)答案：B9、激光打字在打標(biāo)前需要調(diào)整（）的位置。A、場(chǎng)鏡和收料架B、場(chǎng)鏡和光具座C、光具座和顯示器D、顯示器和收料架答案：B10、下列關(guān)于重力式分選設(shè)備描述錯(cuò)誤的是（）。A、手動(dòng)裝料需要操作人員取下待測(cè)料管一端的塞釘，并將料管整齊地?cái)[放在操作臺(tái)B、重力式分選機(jī)手動(dòng)上料的步驟分為兩步，裝料和上料夾具夾持C、自動(dòng)裝料減少了人工補(bǔ)料的次數(shù)，節(jié)省了取塞釘與擺放料管的時(shí)間，降低了人工成本D、裝料時(shí)不需要注意芯片方向和管腳朝向答案：D11、用編帶機(jī)進(jìn)行編帶前預(yù)留空載帶的原因是()。A、比較美觀B、防止芯片散落C、確認(rèn)編帶機(jī)正常運(yùn)行D、節(jié)省人工檢查時(shí)間答案：B空余載帶預(yù)留設(shè)置是為了防止卷盤(pán)上編帶的兩端在操作過(guò)程中可能會(huì)出現(xiàn)封口分離的情況，導(dǎo)致端口的芯片散落。12、封裝工藝的電鍍工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。A、高溫退火B(yǎng)、后期清洗C、電鍍D、裝料答案：C13、PE板函數(shù)：_set_drvpin()函數(shù)原形：void_set_drvpin(char*logic，unsignedintPin，...)；函數(shù)功能：設(shè)置輸出（驅(qū)動(dòng)）管腳的邏輯狀態(tài)；參數(shù)說(shuō)明：*logic——邏輯標(biāo)志（“H”，“L”），H：高電平，L：低電平，pin，...——管腳序列（1，2，3，…64），管腳序列要以0結(jié)尾；現(xiàn)設(shè)定PIN1，3，5輸出高電平，實(shí)例代碼為：（）。A、_sel_drv_pin“H”，1，3，5，0；B、_sel_drv_pin“H”，1，5，3，0；C、_sel_drv_pin“L”，1，3，5，1；D、_sel_drv_pin“L”，1，5，3，1；答案：A14、植球時(shí)，球和焊盤(pán)金屬形成冶金結(jié)合，此時(shí)形成的焊點(diǎn)為（）。A、第一焊點(diǎn)B、第二焊點(diǎn)C、第三焊點(diǎn)D、芯片焊點(diǎn)答案：A劈刀下降到芯片焊點(diǎn)表面，加大壓力和功率，使球和焊盤(pán)金屬形成冶金結(jié)合，形成第一焊點(diǎn)。15、用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行芯片檢測(cè)的第二個(gè)環(huán)節(jié)是()。A、編帶B、上料C、測(cè)試D、外觀檢查答案：C轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料→測(cè)試→編帶→外觀檢查→真空包裝。16、料盤(pán)外觀檢查的步驟正確的是()。A、查詢(xún)零頭（若有）→零頭檢查→檢查外觀→電路拼零→零頭儲(chǔ)存B、檢查外觀→查詢(xún)零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存C、查詢(xún)零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存→檢查外觀D、檢查外觀→零頭儲(chǔ)存→查詢(xún)零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零答案：B料盤(pán)外觀檢查的步驟：檢查外觀→查詢(xún)零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存。17、平移式分選機(jī)完成測(cè)試后，會(huì)進(jìn)入()環(huán)節(jié)。A、上料B、分選C、外觀檢查D、真空包裝答案：B平移式分選機(jī)的操作步驟一般為：上料→測(cè)試→分選→外觀檢查→真空包裝。18、在實(shí)現(xiàn)LED流水燈程序中主要用到了（）語(yǔ)句。A、順序B、條件C、掃描D、循環(huán)答案：D19、利用全自動(dòng)探針臺(tái)進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確的是（）。A、打開(kāi)蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子B、打開(kāi)蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子C、打開(kāi)蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子D、打開(kāi)蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子答案：A20、晶圓檢測(cè)工藝中，在進(jìn)行真空入庫(kù)之前，需要進(jìn)行的操作是()。A、烘烤B、打點(diǎn)C、外檢D、扎針測(cè)試答案：C晶圓檢測(cè)工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測(cè)試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫(kù)。21、晶圓烘烤時(shí)，溫度一般設(shè)置在()℃。A、110B、120C、130D、140答案：B晶圓烘烤時(shí)，溫度一般設(shè)置在120℃。22、晶圓檢測(cè)工藝的測(cè)試車(chē)間符合()潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。A、10萬(wàn)級(jí)B、萬(wàn)級(jí)C、千級(jí)D、100萬(wàn)級(jí)答案：B晶圓檢測(cè)工藝對(duì)環(huán)境的要求：測(cè)試車(chē)間符合10萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)，溫度常年保持在22±3℃，濕度保持在45±15%。23、金屬鎢在集成電路中通常用于（）。A、填充塞B、金屬連線(xiàn)C、阻擋層D、焊接層答案：A金屬鎢在集成電路中通常用于鎢填充塞。24、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用SC-1清洗液進(jìn)行清洗時(shí)，可以去除的物質(zhì)是（）。A、光刻膠B、顆粒C、金屬D、自然氧化物答案：B25、晶圓貼膜過(guò)程中，需要外加一個(gè)（），它起到支撐的作用。A、晶圓基底圓片B、晶圓貼片環(huán)C、藍(lán)膜支撐架D、固定掛鉤答案：B在貼膜過(guò)程中，需要外加一個(gè)厚度與晶圓一致但環(huán)內(nèi)徑比晶圓直徑大的金屬環(huán)，也就是晶圓貼片環(huán)。它起到支撐的作用，可以使切割后的晶圓保持原來(lái)的形狀，避免晶粒相互碰撞，便于搬運(yùn)。26、根據(jù)下列三張同一單元圖可判斷，該單元為：（）。A、圖片題B、圖片題C、圖片題D、圖片題答案：A27、共模抑制比定義為放大器（）之比。A、對(duì)共模電壓放大倍數(shù)與差模電壓的放大倍數(shù)B、差模電壓的放大倍數(shù)與對(duì)共模電壓放大倍數(shù)C、差模電壓的放大倍數(shù)與對(duì)共模電壓縮小倍數(shù)D、差模電壓的縮小倍數(shù)與對(duì)共模電壓放大倍數(shù)答案：B28、在扎針測(cè)試時(shí)，如果遇到需要加溫的晶圓，對(duì)晶圓的加溫是（）。A、在扎針調(diào)試之后B、在扎針調(diào)試前后都可以C、在扎針調(diào)試之前D、在扎針調(diào)試過(guò)程中答案：C29、下列描述錯(cuò)誤的是（）。A、平移式分選機(jī)是在水平面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測(cè)試與分選的設(shè)備B、重力式分選機(jī)為斜背式雙工位或多工位自動(dòng)測(cè)試分選機(jī)C、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤(pán)執(zhí)行D、以上描述都不對(duì)答案：D30、最大不失真輸出電壓測(cè)試，輸入信號(hào)步進(jìn)值（），但測(cè)試時(shí)間會(huì)隨輸入電壓步進(jìn)值（）。A、越小越好、減小而增加B、越大越好、增加而減小C、越小越好、增加而增加D、越大越好，減小而減小答案：A31、請(qǐng)選擇光刻工序的正確操作步驟（）。A、預(yù)處理→涂膠→對(duì)準(zhǔn)和曝光→軟烘→曝光后烘焙→顯影→堅(jiān)膜烘焙→顯影檢查B、預(yù)處理→涂膠→堅(jiān)膜烘焙→對(duì)準(zhǔn)和曝光→曝光后烘焙→顯影→軟烘→顯影檢查C、預(yù)處理→涂膠→軟烘→對(duì)準(zhǔn)和曝光→曝光后烘焙→顯影→堅(jiān)膜烘焙→顯影檢查D、預(yù)處理→涂膠→對(duì)準(zhǔn)和曝光→軟烘→曝光后烘焙→堅(jiān)膜烘焙→顯影→顯影檢查答案：C光刻工序的正確操作步驟為預(yù)處理→涂膠→軟烘→對(duì)準(zhǔn)和曝光→曝光后烘焙→顯影→堅(jiān)膜烘焙→顯影檢查。32、封裝工藝中，（）工序后的合格品進(jìn)入塑封工序。A、第二道光檢B、芯片粘接C、第三道光檢D、引線(xiàn)鍵合答案：C33、（）是指按照一定的方式將雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體等材料中，改變材料電學(xué)性質(zhì)，達(dá)到形成半導(dǎo)體器件的目的。A、光刻B、摻雜C、刻蝕D、金屬化答案：B摻雜是指按照一定的方式將雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體等材料中，改變材料電學(xué)性質(zhì)，達(dá)到形成半導(dǎo)體器件的目的。34、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行編帶后，進(jìn)入()環(huán)節(jié)。A、上料B、測(cè)試C、外觀檢查D、真空包裝答案：C轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備芯片檢測(cè)工藝的操作步驟一般為：上料→測(cè)試→編帶→外觀檢查→真空包裝。35、重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片檢測(cè)時(shí)，上料的第一步是()。A、設(shè)置參數(shù)B、吸取芯片C、裝料D、上料夾具夾持答案：C裝料是上料的第一步。裝料是將待測(cè)料管放入上料槽內(nèi)。裝料完成后由上料夾具夾持上料。36、芯片檢測(cè)工藝通常在（）無(wú)塵車(chē)間內(nèi)進(jìn)行。A、百級(jí)B、千級(jí)C、十萬(wàn)級(jí)D、三十萬(wàn)級(jí)答案：B芯片檢測(cè)工藝是對(duì)完成封裝的芯片進(jìn)行電性測(cè)試，其芯片為非裸露狀態(tài)，通常在常規(guī)千級(jí)無(wú)塵車(chē)間內(nèi)進(jìn)行，其溫度為22±3℃，濕度為55±10％。37、在進(jìn)行料盤(pán)真空包裝時(shí)，需要在()上進(jìn)行。A、平移式分選機(jī)B、真空包裝機(jī)C、測(cè)試機(jī)D、高溫烘箱答案：B在進(jìn)行料盤(pán)真空包裝時(shí)，需要在真空包裝機(jī)上進(jìn)行。38、一個(gè)花籃最多裝()片晶圓。A、15B、20C、25D、30答案：C一個(gè)花籃最多裝25片晶圓。39、通常情況下，一個(gè)內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片()顆。A、3000B、1000C、5000D、2000答案：D一般情況下，一個(gè)內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片2000顆。40、芯片檢測(cè)工藝中，進(jìn)行管裝包裝時(shí)，將真空包裝的編帶盤(pán)放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊（）處貼上“合格”標(biāo)簽。A、右側(cè)B、任意位置C、左側(cè)D、中央答案：D41、屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、白霧B、針孔C、斑點(diǎn)D、層錯(cuò)答案：AC氧化層缺陷包括表面缺陷、體內(nèi)缺陷。表面缺陷有斑點(diǎn)、裂紋、白霧等，可用目檢或顯微鏡檢驗(yàn)；體內(nèi)缺陷主要有針孔和氧化層錯(cuò)。42、電子產(chǎn)品性能測(cè)試的測(cè)試環(huán)境包括（）。A、模擬使用時(shí)的環(huán)境B、軟件環(huán)境C、組裝電子產(chǎn)品的環(huán)境D、硬件環(huán)境答案：ABD43、在封裝工藝的晶圓貼膜過(guò)程中可能出現(xiàn)的不良情況有（）。A、晶圓刮傷B、藍(lán)膜起皺C(jī)、出現(xiàn)飛邊D、晶圓盒藍(lán)膜之間存在氣泡答案：ABD44、晶圓框架盒的主要作用為（）和（）。A、固定并保護(hù)晶圓，避免其隨意滑動(dòng)而發(fā)生碰撞B、用于儲(chǔ)存晶圓的容器C、保護(hù)藍(lán)膜，防止晶圓上的藍(lán)膜受到污染D、便于周轉(zhuǎn)搬運(yùn)答案：AD晶圓框架盒是用于裝載已經(jīng)外加晶圓貼片環(huán)的晶圓的容器，可以避免晶圓隨意滑動(dòng)而發(fā)生碰撞，有效的保護(hù)晶圓和晶粒的完整度，同時(shí)便于周轉(zhuǎn)搬運(yùn)。45、AltiumDesigner的設(shè)計(jì)規(guī)則系統(tǒng)的強(qiáng)大功能是（）。A、同種類(lèi)型可以定義多種規(guī)則B、每個(gè)規(guī)則有不同的對(duì)象C、每個(gè)規(guī)則目標(biāo)的確切設(shè)置是由規(guī)則的范圍決定的D、規(guī)則系統(tǒng)使用預(yù)定義優(yōu)先級(jí)，來(lái)確定規(guī)則適用的對(duì)象答案：ABCD46、芯片測(cè)試過(guò)程中，需要貼標(biāo)簽的項(xiàng)目為（）。A、鋁箔袋貼標(biāo)簽B、在編帶的封口處貼標(biāo)簽C、在內(nèi)盒封口處的中央位置貼“合格”標(biāo)簽D、內(nèi)盒貼標(biāo)簽答案：ACD47、防靜電鋁箔袋的作用是（）。A、防靜電B、防電磁干擾C、防潮D、防水答案：ABCD防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點(diǎn)，可以最大程度地保護(hù)靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。48、在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針測(cè)試時(shí)，需要根據(jù)晶圓測(cè)試隨件單在探針臺(tái)輸入界面上輸入的信息有（）。A、晶圓片號(hào)B、晶圓印章批號(hào)C、晶圓產(chǎn)品名稱(chēng)D、晶圓尺寸答案：ABCD49、在下列語(yǔ)句中，延時(shí)函數(shù)的作用是（）。A、保證LED燈光效果足夠明顯B、控制程序運(yùn)行時(shí)序C、控制函數(shù)生效時(shí)間D、保證程序穩(wěn)定運(yùn)行答案：AC50、以下哪些是轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)常見(jiàn)故障（）。A、料軌堵塞。B、測(cè)試卡與測(cè)試機(jī)調(diào)用的測(cè)試程序錯(cuò)誤C、真空吸嘴無(wú)芯片D、開(kāi)路短路不良答案：ABC51、新建keil環(huán)境下工程目錄需要添加文件，把Windows目錄內(nèi)的文件一一對(duì)應(yīng)添加到新建的Keil目錄內(nèi)如（）文件。A、HeadersB、UserC、SrcD、Core答案：ABCD52、下列屬于晶圓外檢的步驟的是：()。A、從待檢花籃中取出晶圓，核對(duì)晶圓批號(hào)隨件單一致B、檢查晶圓背面有無(wú)沾污、受損等情況C、用油墨筆剔除指紋等印記D、在顯微鏡下檢查晶圓有無(wú)墨點(diǎn)沾污等異常情況答案：ABCD晶圓外檢步驟為：從待檢測(cè)花籃中取出晶圓，檢查晶圓的批號(hào)是否與晶圓測(cè)試隨件單一致。對(duì)晶圓背面進(jìn)行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。發(fā)現(xiàn)晶圓周邊有指紋等印記時(shí)，用油墨筆進(jìn)行剔除。將晶圓放入顯微鏡下進(jìn)行檢查，移動(dòng)晶圓，檢查是否有墨點(diǎn)沾污、扎針異常等情況，若發(fā)現(xiàn)異常，需用打點(diǎn)器進(jìn)行打點(diǎn)標(biāo)記。53、集成電路的性能指標(biāo)有哪些（）。A、功耗B、特征尺寸C、可靠性D、集成度答案：ABCD54、相較于高溫銅質(zhì)花籃，高溫實(shí)心花籃有()等特點(diǎn)。A、質(zhì)輕B、制造成本高C、花籃本身重D、制造成本低答案：AD高溫銅質(zhì)花籃本身較重，制造成本高，一般用于尺寸較小的晶圓，如5英寸、6英寸。高溫實(shí)心花籃具有質(zhì)輕、制造成本低等特點(diǎn)，目前工業(yè)上一般多用高溫實(shí)心花籃。55、離子注入過(guò)程中，常用的退火方法有（）。A、高溫退火B(yǎng)、快速熱退火C、氧化退火D、電阻絲退火答案：AB離子注入過(guò)程中，常用的退火方法有高溫退火和快速熱退火。56、LK32T102單片機(jī)的時(shí)鐘系統(tǒng)有（）。A、內(nèi)置32KHz低頻RCLB、PLL最高支持72MHzC、1~24MHz晶體振蕩器D、內(nèi)置16MHz高精度RCH答案：ACD57、在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，需要根據(jù)晶圓測(cè)試隨件單在探針臺(tái)輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產(chǎn)品名稱(chēng)B、晶圓印章批號(hào)C、晶圓片號(hào)D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸答案：ABCDEF在全自動(dòng)探針臺(tái)上進(jìn)行扎針調(diào)試時(shí)，根據(jù)晶圓測(cè)試隨件單，在探針臺(tái)操作界面輸入晶圓產(chǎn)品名稱(chēng)、印章批號(hào)、片號(hào)等信息，同時(shí)設(shè)定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進(jìn)參數(shù)。58、下列對(duì)數(shù)字芯片測(cè)試描述正確的是（）。A、能測(cè)試后一般為直流參數(shù)測(cè)試B、在開(kāi)短路測(cè)試后一般為直流參數(shù)測(cè)試C、開(kāi)短路測(cè)試一般為芯片測(cè)試的第一步驟，目的是驗(yàn)證被測(cè)芯片與測(cè)試機(jī)的電氣連接D、在直流參數(shù)測(cè)試后一般為功能測(cè)試測(cè)試答案：AC59、平移式分選機(jī)的分選機(jī)構(gòu)主要由()組成。A、出料梭B、吸嘴C、料盤(pán)D、收料架答案：ABCD平移式分選機(jī)的分選機(jī)構(gòu)主要由出料梭、吸嘴、料盤(pán)、收料架組成。60、料盤(pán)真空入庫(kù)操作時(shí)，需要將料盤(pán)裝入防靜電鋁箔袋內(nèi)，同時(shí)還需要裝入的有（）。A、干燥劑B、海綿C、標(biāo)簽D、濕度卡答案：AD61、開(kāi)短路測(cè)試通常被稱(chēng)為continuitytest或者open/shorttest，是對(duì)芯片管腳內(nèi)部對(duì)地或?qū)CC是否出現(xiàn)開(kāi)路或短路的一種測(cè)試方法。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A62、輸入引線(xiàn)一定要盡量短，而且盡量用最上層的金屬設(shè)計(jì)，且輸入輸出引線(xiàn)盡量遠(yuǎn)離，盡量不要交叉。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A63、Cadence軟件中，圖層的顏色決定了圖層的性質(zhì)和作用。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B64、經(jīng)轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)測(cè)試的芯片都需要進(jìn)行編帶。A、正確B、錯(cuò)誤答案：BTO封裝的芯片不需要進(jìn)行編帶。65、SOP封裝的芯片只能進(jìn)行編帶包裝。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B根據(jù)客戶(hù)的不同要求，可以采用不同方式包裝，SOP可以進(jìn)行料管包裝。66、由于電源線(xiàn)、地線(xiàn)非常重要，因此可以盡量增加它們的寬度，以避免電壓降和電遷移問(wèn)題。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A67、料盤(pán)外觀檢查采用全檢的方式。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A68、打標(biāo)時(shí)首先需要試片進(jìn)行確認(rèn)，先完成一個(gè)框架條的打標(biāo)，若刻寫(xiě)位置無(wú)誤、刻寫(xiě)線(xiàn)均勻、文字圖案都清晰無(wú)誤，打印沒(méi)有問(wèn)題，即可開(kāi)始批量生產(chǎn)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A打標(biāo)首先需要試片進(jìn)行確認(rèn)，先完成一個(gè)框架條的打標(biāo)。目視檢測(cè)試片，打印沒(méi)有問(wèn)題，開(kāi)始批量生產(chǎn)；若有問(wèn)題則需重新調(diào)整。69、帶隙基準(zhǔn)源中，PNP晶體管的比例一般是1：4或是1:8。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A70、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)上料無(wú)需將芯片放置在上料盒中，而是將待測(cè)芯片倒入標(biāo)準(zhǔn)容器內(nèi)，打開(kāi)擋板，待測(cè)芯片從標(biāo)準(zhǔn)容器內(nèi)均勻地落入料斗中，等待進(jìn)入氣軌。（）A、正確B