1+X集成電路理論模擬題及答案

1+X集成電路理論模擬題及答案1、對晶向為<111>、6英寸N型半導體材料來說，()是作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。A、主平面B、次平面C、兩個平面均可D、定位槽答案：A晶向為<111>、6英寸N型半導體材料在定位時有兩個基準面，主平面主要用于硅片上芯片圖形的定位和機械加工的定位，即作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。2、料盤完成外觀檢查后,需要進入()環(huán)節(jié)。A、分選B、上料C、測試D、真空包裝答案：D平移式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為:上料→測試一分選一外觀檢查-真空包裝。3、如果遇到需要加溫的晶圓，對晶圓的加溫是在扎針調(diào)試()。A、之前B、之后C、過程中D、都可以答案：A根據(jù)熱脹冷縮的原理，需要加溫的晶圓要在加溫結(jié)束后再進行扎針調(diào)試。若先進行扎針調(diào)試再加溫可能會扎透鋁層。4、探針臺上的()處于()狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。A、紅色指示燈、亮燈B、指示燈、亮燈C、綠色指示燈、亮燈D、紅色指示燈、滅燈答案：B探針臺上的指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作，容易引起探針臺死機，導致晶圓撞擊探針測試卡。其中紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升，當至少有一盞指示燈處于亮燈狀態(tài)時不能進行其他操作。5、根據(jù)以下隨件單信息可知，從待檢查品貨架上找到的編號為()的中轉(zhuǎn)箱。A、7LK8B、57493C、1586D、1568答案：D由隨件單信息可知，該批次的中轉(zhuǎn)箱號為1568。6、工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的()到待檢查品貨架上領取待外檢的芯片。A、芯片測試隨件單B、晶圓測試隨件單C、中轉(zhuǎn)箱號D、芯片名稱答案：C工作臺整理干凈后，根據(jù)物流提供的中轉(zhuǎn)箱號到待檢查品貨架上領取待外檢的芯片。7、主控有較多的選擇空間，這里主要考慮檢測方案是（）。A、輸入、輸出數(shù)量B、工作頻率高低C、是否需要A/D轉(zhuǎn)換D、能耗大小答案：C8、（）分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行，上料后主轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)，每轉(zhuǎn)動一格，都會將產(chǎn)品送到各個工位，每個工位對應不同的作用，包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等，從而實現(xiàn)芯片的測試與分選。A、真空螺旋分選機B、轉(zhuǎn)塔式分選機C、重力式分選機D、平移式分選機答案：B9、激光打字在打標前需要調(diào)整（）的位置。A、場鏡和收料架B、場鏡和光具座C、光具座和顯示器D、顯示器和收料架答案：B10、下列關于重力式分選設備描述錯誤的是（）。A、手動裝料需要操作人員取下待測料管一端的塞釘，并將料管整齊地擺放在操作臺B、重力式分選機手動上料的步驟分為兩步，裝料和上料夾具夾持C、自動裝料減少了人工補料的次數(shù)，節(jié)省了取塞釘與擺放料管的時間，降低了人工成本D、裝料時不需要注意芯片方向和管腳朝向答案：D11、用編帶機進行編帶前預留空載帶的原因是()。A、比較美觀B、防止芯片散落C、確認編帶機正常運行D、節(jié)省人工檢查時間答案：B空余載帶預留設置是為了防止卷盤上編帶的兩端在操作過程中可能會出現(xiàn)封口分離的情況，導致端口的芯片散落。12、封裝工藝的電鍍工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。A、高溫退火B(yǎng)、后期清洗C、電鍍D、裝料答案：C13、PE板函數(shù)：_set_drvpin()函數(shù)原形：void_set_drvpin(char*logic，unsignedintPin，...)；函數(shù)功能：設置輸出（驅(qū)動）管腳的邏輯狀態(tài)；參數(shù)說明：*logic——邏輯標志（“H”，“L”），H：高電平，L：低電平，pin，...——管腳序列（1，2，3，…64），管腳序列要以0結(jié)尾；現(xiàn)設定PIN1，3，5輸出高電平，實例代碼為：（）。A、_sel_drv_pin“H”，1，3，5，0；B、_sel_drv_pin“H”，1，5，3，0；C、_sel_drv_pin“L”，1，3，5，1；D、_sel_drv_pin“L”，1，5，3，1；答案：A14、植球時，球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合，此時形成的焊點為（）。A、第一焊點B、第二焊點C、第三焊點D、芯片焊點答案：A劈刀下降到芯片焊點表面，加大壓力和功率，使球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合，形成第一焊點。15、用轉(zhuǎn)塔式分選機設備進行芯片檢測的第二個環(huán)節(jié)是()。A、編帶B、上料C、測試D、外觀檢查答案：C轉(zhuǎn)塔式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。16、料盤外觀檢查的步驟正確的是()。A、查詢零頭（若有）→零頭檢查→檢查外觀→電路拼零→零頭儲存B、檢查外觀→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲存C、查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲存→檢查外觀D、檢查外觀→零頭儲存→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零答案：B料盤外觀檢查的步驟：檢查外觀→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲存。17、平移式分選機完成測試后，會進入()環(huán)節(jié)。A、上料B、分選C、外觀檢查D、真空包裝答案：B平移式分選機的操作步驟一般為：上料→測試→分選→外觀檢查→真空包裝。18、在實現(xiàn)LED流水燈程序中主要用到了（）語句。A、順序B、條件C、掃描D、循環(huán)答案：D19、利用全自動探針臺進行扎針測試時，關于上片的步驟，下列所述正確的是（）。A、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子答案：A20、晶圓檢測工藝中，在進行真空入庫之前，需要進行的操作是()。A、烘烤B、打點C、外檢D、扎針測試答案：C晶圓檢測工藝流程：導片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點→烘烤→外檢→真空入庫。21、晶圓烘烤時，溫度一般設置在()℃。A、110B、120C、130D、140答案：B晶圓烘烤時，溫度一般設置在120℃。22、晶圓檢測工藝的測試車間符合()潔凈區(qū)標準。A、10萬級B、萬級C、千級D、100萬級答案：B晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求：測試車間符合10萬級潔凈區(qū)標準，溫度常年保持在22±3℃，濕度保持在45±15%。23、金屬鎢在集成電路中通常用于（）。A、填充塞B、金屬連線C、阻擋層D、焊接層答案：A金屬鎢在集成電路中通常用于鎢填充塞。24、清洗是晶圓制程中不可缺少的環(huán)節(jié)，使用SC-1清洗液進行清洗時，可以去除的物質(zhì)是（）。A、光刻膠B、顆粒C、金屬D、自然氧化物答案：B25、晶圓貼膜過程中，需要外加一個（），它起到支撐的作用。A、晶圓基底圓片B、晶圓貼片環(huán)C、藍膜支撐架D、固定掛鉤答案：B在貼膜過程中，需要外加一個厚度與晶圓一致但環(huán)內(nèi)徑比晶圓直徑大的金屬環(huán)，也就是晶圓貼片環(huán)。它起到支撐的作用，可以使切割后的晶圓保持原來的形狀，避免晶粒相互碰撞，便于搬運。26、根據(jù)下列三張同一單元圖可判斷，該單元為：（）。A、圖片題B、圖片題C、圖片題D、圖片題答案：A27、共模抑制比定義為放大器（）之比。A、對共模電壓放大倍數(shù)與差模電壓的放大倍數(shù)B、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)C、差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓縮小倍數(shù)D、差模電壓的縮小倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)答案：B28、在扎針測試時，如果遇到需要加溫的晶圓，對晶圓的加溫是（）。A、在扎針調(diào)試之后B、在扎針調(diào)試前后都可以C、在扎針調(diào)試之前D、在扎針調(diào)試過程中答案：C29、下列描述錯誤的是（）。A、平移式分選機是在水平面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測試與分選的設備B、重力式分選機為斜背式雙工位或多工位自動測試分選機C、轉(zhuǎn)塔式分選機分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行D、以上描述都不對答案：D30、最大不失真輸出電壓測試，輸入信號步進值（），但測試時間會隨輸入電壓步進值（）。A、越小越好、減小而增加B、越大越好、增加而減小C、越小越好、增加而增加D、越大越好，減小而減小答案：A31、請選擇光刻工序的正確操作步驟（）。A、預處理→涂膠→對準和曝光→軟烘→曝光后烘焙→顯影→堅膜烘焙→顯影檢查B、預處理→涂膠→堅膜烘焙→對準和曝光→曝光后烘焙→顯影→軟烘→顯影檢查C、預處理→涂膠→軟烘→對準和曝光→曝光后烘焙→顯影→堅膜烘焙→顯影檢查D、預處理→涂膠→對準和曝光→軟烘→曝光后烘焙→堅膜烘焙→顯影→顯影檢查答案：C光刻工序的正確操作步驟為預處理→涂膠→軟烘→對準和曝光→曝光后烘焙→顯影→堅膜烘焙→顯影檢查。32、封裝工藝中，（）工序后的合格品進入塑封工序。A、第二道光檢B、芯片粘接C、第三道光檢D、引線鍵合答案：C33、（）是指按照一定的方式將雜質(zhì)摻入到半導體等材料中，改變材料電學性質(zhì)，達到形成半導體器件的目的。A、光刻B、摻雜C、刻蝕D、金屬化答案：B摻雜是指按照一定的方式將雜質(zhì)摻入到半導體等材料中，改變材料電學性質(zhì)，達到形成半導體器件的目的。34、轉(zhuǎn)塔式分選機設備進行編帶后，進入()環(huán)節(jié)。A、上料B、測試C、外觀檢查D、真空包裝答案：C轉(zhuǎn)塔式分選機設備芯片檢測工藝的操作步驟一般為：上料→測試→編帶→外觀檢查→真空包裝。35、重力式分選機進行芯片檢測時，上料的第一步是()。A、設置參數(shù)B、吸取芯片C、裝料D、上料夾具夾持答案：C裝料是上料的第一步。裝料是將待測料管放入上料槽內(nèi)。裝料完成后由上料夾具夾持上料。36、芯片檢測工藝通常在（）無塵車間內(nèi)進行。A、百級B、千級C、十萬級D、三十萬級答案：B芯片檢測工藝是對完成封裝的芯片進行電性測試，其芯片為非裸露狀態(tài)，通常在常規(guī)千級無塵車間內(nèi)進行，其溫度為22±3℃，濕度為55±10％。37、在進行料盤真空包裝時，需要在()上進行。A、平移式分選機B、真空包裝機C、測試機D、高溫烘箱答案：B在進行料盤真空包裝時，需要在真空包裝機上進行。38、一個花籃最多裝()片晶圓。A、15B、20C、25D、30答案：C一個花籃最多裝25片晶圓。39、通常情況下，一個內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片()顆。A、3000B、1000C、5000D、2000答案：D一般情況下，一個內(nèi)盒中裝入的DIP管裝芯片2000顆。40、芯片檢測工藝中，進行管裝包裝時，將真空包裝的編帶盤放入內(nèi)盒、合上蓋子后，需要在內(nèi)盒的封口邊（）處貼上“合格”標簽。A、右側(cè)B、任意位置C、左側(cè)D、中央答案：D41、屬于氧化層表面缺陷的是（）。A、白霧B、針孔C、斑點D、層錯答案：AC氧化層缺陷包括表面缺陷、體內(nèi)缺陷。表面缺陷有斑點、裂紋、白霧等，可用目檢或顯微鏡檢驗；體內(nèi)缺陷主要有針孔和氧化層錯。42、電子產(chǎn)品性能測試的測試環(huán)境包括（）。A、模擬使用時的環(huán)境B、軟件環(huán)境C、組裝電子產(chǎn)品的環(huán)境D、硬件環(huán)境答案：ABD43、在封裝工藝的晶圓貼膜過程中可能出現(xiàn)的不良情況有（）。A、晶圓刮傷B、藍膜起皺C、出現(xiàn)飛邊D、晶圓盒藍膜之間存在氣泡答案：ABD44、晶圓框架盒的主要作用為（）和（）。A、固定并保護晶圓，避免其隨意滑動而發(fā)生碰撞B、用于儲存晶圓的容器C、保護藍膜，防止晶圓上的藍膜受到污染D、便于周轉(zhuǎn)搬運答案：AD晶圓框架盒是用于裝載已經(jīng)外加晶圓貼片環(huán)的晶圓的容器，可以避免晶圓隨意滑動而發(fā)生碰撞，有效的保護晶圓和晶粒的完整度，同時便于周轉(zhuǎn)搬運。45、AltiumDesigner的設計規(guī)則系統(tǒng)的強大功能是（）。A、同種類型可以定義多種規(guī)則B、每個規(guī)則有不同的對象C、每個規(guī)則目標的確切設置是由規(guī)則的范圍決定的D、規(guī)則系統(tǒng)使用預定義優(yōu)先級，來確定規(guī)則適用的對象答案：ABCD46、芯片測試過程中，需要貼標簽的項目為（）。A、鋁箔袋貼標簽B、在編帶的封口處貼標簽C、在內(nèi)盒封口處的中央位置貼“合格”標簽D、內(nèi)盒貼標簽答案：ACD47、防靜電鋁箔袋的作用是（）。A、防靜電B、防電磁干擾C、防潮D、防水答案：ABCD防靜電鋁箔袋具有防靜電、防電磁干擾、防潮三大功能，具有良好的防水、阻氧、避光等特點，可以最大程度地保護靜電敏感元器件免受潛在靜電危害。48、在全自動探針臺上進行扎針測試時，需要根據(jù)晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面上輸入的信息有（）。A、晶圓片號B、晶圓印章批號C、晶圓產(chǎn)品名稱D、晶圓尺寸答案：ABCD49、在下列語句中，延時函數(shù)的作用是（）。A、保證LED燈光效果足夠明顯B、控制程序運行時序C、控制函數(shù)生效時間D、保證程序穩(wěn)定運行答案：AC50、以下哪些是轉(zhuǎn)塔式分選機常見故障（）。A、料軌堵塞。B、測試卡與測試機調(diào)用的測試程序錯誤C、真空吸嘴無芯片D、開路短路不良答案：ABC51、新建keil環(huán)境下工程目錄需要添加文件，把Windows目錄內(nèi)的文件一一對應添加到新建的Keil目錄內(nèi)如（）文件。A、HeadersB、UserC、SrcD、Core答案：ABCD52、下列屬于晶圓外檢的步驟的是：()。A、從待檢花籃中取出晶圓，核對晶圓批號隨件單一致B、檢查晶圓背面有無沾污、受損等情況C、用油墨筆剔除指紋等印記D、在顯微鏡下檢查晶圓有無墨點沾污等異常情況答案：ABCD晶圓外檢步驟為：從待檢測花籃中取出晶圓，檢查晶圓的批號是否與晶圓測試隨件單一致。對晶圓背面進行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。發(fā)現(xiàn)晶圓周邊有指紋等印記時，用油墨筆進行剔除。將晶圓放入顯微鏡下進行檢查，移動晶圓，檢查是否有墨點沾污、扎針異常等情況，若發(fā)現(xiàn)異常，需用打點器進行打點標記。53、集成電路的性能指標有哪些（）。A、功耗B、特征尺寸C、可靠性D、集成度答案：ABCD54、相較于高溫銅質(zhì)花籃，高溫實心花籃有()等特點。A、質(zhì)輕B、制造成本高C、花籃本身重D、制造成本低答案：AD高溫銅質(zhì)花籃本身較重，制造成本高，一般用于尺寸較小的晶圓，如5英寸、6英寸。高溫實心花籃具有質(zhì)輕、制造成本低等特點，目前工業(yè)上一般多用高溫實心花籃。55、離子注入過程中，常用的退火方法有（）。A、高溫退火B(yǎng)、快速熱退火C、氧化退火D、電阻絲退火答案：AB離子注入過程中，常用的退火方法有高溫退火和快速熱退火。56、LK32T102單片機的時鐘系統(tǒng)有（）。A、內(nèi)置32KHz低頻RCLB、PLL最高支持72MHzC、1~24MHz晶體振蕩器D、內(nèi)置16MHz高精度RCH答案：ACD57、在全自動探針臺上進行扎針調(diào)試時，需要根據(jù)晶圓測試隨件單在探針臺輸入界面輸入的信息有()。A、晶圓產(chǎn)品名稱B、晶圓印章批號C、晶圓片號D、晶圓尺寸E、X軸步距尺寸F、Y軸步距尺寸答案：ABCDEF在全自動探針臺上進行扎針調(diào)試時，根據(jù)晶圓測試隨件單，在探針臺操作界面輸入晶圓產(chǎn)品名稱、印章批號、片號等信息，同時設定晶圓尺寸、X軸和Y軸等步進參數(shù)。58、下列對數(shù)字芯片測試描述正確的是（）。A、能測試后一般為直流參數(shù)測試B、在開短路測試后一般為直流參數(shù)測試C、開短路測試一般為芯片測試的第一步驟，目的是驗證被測芯片與測試機的電氣連接D、在直流參數(shù)測試后一般為功能測試測試答案：AC59、平移式分選機的分選機構(gòu)主要由()組成。A、出料梭B、吸嘴C、料盤D、收料架答案：ABCD平移式分選機的分選機構(gòu)主要由出料梭、吸嘴、料盤、收料架組成。60、料盤真空入庫操作時，需要將料盤裝入防靜電鋁箔袋內(nèi)，同時還需要裝入的有（）。A、干燥劑B、海綿C、標簽D、濕度卡答案：AD61、開短路測試通常被稱為continuitytest或者open/shorttest，是對芯片管腳內(nèi)部對地或?qū)CC是否出現(xiàn)開路或短路的一種測試方法。（）A、正確B、錯誤答案：A62、輸入引線一定要盡量短，而且盡量用最上層的金屬設計，且輸入輸出引線盡量遠離，盡量不要交叉。A、正確B、錯誤答案：A63、Cadence軟件中，圖層的顏色決定了圖層的性質(zhì)和作用。A、正確B、錯誤答案：B64、經(jīng)轉(zhuǎn)塔式分選機測試的芯片都需要進行編帶。A、正確B、錯誤答案：BTO封裝的芯片不需要進行編帶。65、SOP封裝的芯片只能進行編帶包裝。A、正確B、錯誤答案：B根據(jù)客戶的不同要求，可以采用不同方式包裝，SOP可以進行料管包裝。66、由于電源線、地線非常重要，因此可以盡量增加它們的寬度，以避免電壓降和電遷移問題。A、正確B、錯誤答案：A67、料盤外觀檢查采用全檢的方式。A、正確B、錯誤答案：A68、打標時首先需要試片進行確認，先完成一個框架條的打標，若刻寫位置無誤、刻寫線均勻、文字圖案都清晰無誤，打印沒有問題，即可開始批量生產(chǎn)。A、正確B、錯誤答案：A打標首先需要試片進行確認，先完成一個框架條的打標。目視檢測試片，打印沒有問題，開始批量生產(chǎn)；若有問題則需重新調(diào)整。69、帶隙基準源中，PNP晶體管的比例一般是1：4或是1:8。A、正確B、錯誤答案：A70、轉(zhuǎn)塔式分選機上料無需將芯片放置在上料盒中，而是將待測芯片倒入標準容器內(nèi)，打開擋板，待測芯片從標準容器內(nèi)均勻地落入料斗中，等待進入氣軌。（）A、正確B