-模電期末自測(cè)題A

模電自測(cè)練習(xí)題（A）-選擇、埴空題模電自測(cè)練習(xí)題（A）一、填空二極管.半導(dǎo)體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導(dǎo)電。PN結(jié)在上偏時(shí)導(dǎo)通，.反偏時(shí)截止，這種特性稱(chēng)為單向?qū)щ娨恍?。PN結(jié)具有_單向?qū)щ娦阅埽醇诱螂妷簳r(shí)，PN結(jié)導(dǎo)通_，加反向電壓時(shí)，PN結(jié)截止―。導(dǎo)通后，硅管的管壓降約為—3―鍺管約為3—。.本征半導(dǎo)體中，若摻入微量的五價(jià)元素，則形成N型半導(dǎo)體，其多數(shù)載流子是電子一；若摻入微量的三價(jià)元素，則形成_P型半導(dǎo)體，其多數(shù)載流子是-空穴 。3、PN結(jié)的正向接法是P型區(qū)接電源的正極，N型區(qū)接電源的負(fù)—極。P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是—空穴，少數(shù)載流子是電子。N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子_、少數(shù)載流子是—空穴一。.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管的反向飽和電流將厘大，正向壓降將。小。.整流電路是利用二極管的單向?qū)щ娨恍?，將交流電變?yōu)閱蜗蛎}動(dòng)的直流電。穩(wěn)壓二極管是利用二極管的反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓的。.硅穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電路是由一限流電阻一、硅穩(wěn)壓一.極管—與—負(fù)載電阻一組成。.發(fā)光二極管是一種通以正向電流就會(huì)發(fā)光的二極管。.光電二極管能將洸信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楱D電信號(hào)，它工作時(shí)需加*向偏置電壓。.半導(dǎo)體是一種導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體一與絕緣體一之間的物質(zhì)。半導(dǎo)體按導(dǎo)電類(lèi)型分為，型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體主要靠電子一來(lái)導(dǎo)電，P型半導(dǎo)體主要靠空穴一來(lái)導(dǎo)電。半導(dǎo)體中的空穴帶正電。9、PN結(jié)中的內(nèi)電場(chǎng)阻止多數(shù)載流子的一擴(kuò)，運(yùn)動(dòng)，促進(jìn)少數(shù)載流子的_漂移_運(yùn)動(dòng)。.晶體二極管主要參數(shù)是最大正向電流—與一最高反向電壓一。.晶體二極管按所用的材料可分為鍺和硅—兩類(lèi)，按PN結(jié)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可分為點(diǎn)接觸型一和面接觸型兩種。按用途可把晶體二極管分為檢波一.極管，整流一.機(jī)管；穩(wěn)壓一.極管；開(kāi)關(guān)一.極管，變?nèi)菀?極管等。12、點(diǎn)接觸型晶體二極管因其結(jié)電容小，可用于高頻—和超高頻的場(chǎng)合；面接觸型晶體二極管因其接觸面積大，可用于大功率—的場(chǎng)合。13、2AP系列晶體二極管是鍺材料做成的，其工作溫度較_低。2CP、2cz系列晶體二極管是硅材料做成的，其工作溫度較—高_(dá)。三極管.晶體管從結(jié)構(gòu)上可以分成一PNP和NPN一兩種類(lèi)型，它工作時(shí)有_2種載流子參與導(dǎo)電。硅管以_^PN_型居多，鍺管以_PNP_型居多。.晶體管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)工偏一,集電結(jié)「反偏_。.晶體管的輸出特性曲線(xiàn)通常分為三個(gè)區(qū)域，分別是我大、飽和、截止_。.當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的參數(shù)F一增大一1cBO一增大，導(dǎo)通電壓ube減小_。.某晶體管工作在放大區(qū)，如果基極電流從10gA變化到20gA時(shí)，集電極電流從1mA變?yōu)?.99mA,則交流電流放大系數(shù)F約為一99 。?某晶體管的極限參數(shù)Icm=20mA、心=10.W、Uo=30V，因此，當(dāng)工作電壓UCE=10V時(shí)，工作電流IC不得超過(guò)-J0—mA；當(dāng)工作電壓UCE=1V時(shí)，1c不得超過(guò)20mA；當(dāng)工作電流1c=2mA時(shí)，UCE不得超過(guò)-30-V。.晶體三極管三個(gè)電極分別稱(chēng)為發(fā)射極、.基極和集電一極，它們分別用字母E、.b-和C-表示。.當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，各極電位關(guān)系為：NPN管的uC->uB->uE,PNP管的ucJ%.<_uE；工作在飽和區(qū)時(shí)ic<piB；工作在截止區(qū)時(shí)，若忽略IcBO和IcEO，則iB=-0,ic=_0。.由晶體三極管的輸出特性可知，它存在_截止區(qū)、_放大區(qū)和飽和區(qū)三個(gè)區(qū)域。為了使晶體三極管在放大器中正常工作，發(fā)射結(jié)須加正向電壓，集電結(jié)須加反向—電壓。10、晶體三極管是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種半導(dǎo)體器件，其中一個(gè)PN結(jié)叫做集電結(jié)，另一個(gè)叫做》射結(jié)一。.晶體三極管具有電流放大作用的條件是:第一（內(nèi)部條件），使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度高，集電區(qū)的面積大，一基一區(qū)盡可能地??；第二（外部條件），使j射—結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。.晶體三極管發(fā)射極電流/、基極電流1b和集電極電流/之間的關(guān)系是一七ji^一。其中/〃b叫做直模電自測(cè)練習(xí)題（A）-選擇、埴空題流電流放大系數(shù)―，用字母表示;AI/Mbb叫做—交流電流放大系數(shù)―，用字母日表示。.晶體三極管的電流放大作用，是通過(guò)改變一基板_電流來(lái)控制集電機(jī)_電流的，其實(shí)質(zhì)是以微小電流控制一較大電流。.硅晶體三極管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約為—07乂，飽和電壓降為03*—,鍺晶體三極管發(fā)射結(jié)的導(dǎo)通電壓約為0.3V,飽和電壓降為01V—。.當(dāng)晶體三極管處于飽和狀態(tài)時(shí)，它的發(fā)射結(jié)必定加正向_電壓，集電結(jié)必定加正向或零電壓。.當(dāng)晶體三極管的隊(duì)U“一定時(shí)，基極與發(fā)射極間的電壓U加與基極電流Ib間的關(guān)系曲線(xiàn)稱(chēng)為輸入特件曲線(xiàn);當(dāng)基極電流Ib一定時(shí)，集電極與發(fā)射極間的電壓Ue與集電極電流人Ic關(guān)系曲線(xiàn)稱(chēng)為輸出特性曲線(xiàn)一.晶體三極管的輸入特性曲線(xiàn)和晶體二極管的伏皿J相似，晶體三極管輸入特性的最重要參數(shù)是交流輸入電阻，它是_\的增量—和t的增量的比值。18晶體三極管的電流放大系數(shù)太小時(shí)，電流放大作用將較差―；而電流放大系數(shù)太大時(shí)，又會(huì)使晶體三極管的性能—不穩(wěn)定一。19.按晶體三極管在電路中不同的連接方式，可組成共發(fā)射機(jī)_、共集極和共基極三種基本放大電路。20.晶體三極管的穿透電流Iceo隨溫度的升高而增大，由于硅三極管的穿透電流比鍺三極管小得多，所以硅三極管的—熱穩(wěn)定性—比鍺三極管好。1、在判別鍺、硅晶體二極管時(shí)，當(dāng)測(cè)出正向電壓為—02V—時(shí)，就認(rèn)為此晶體二極管為鍺二極管；當(dāng)測(cè)出正向電壓為0.K時(shí)，就認(rèn)為此二極管為硅二極管。2、NPN型晶體三極管的發(fā)射區(qū)是N型半導(dǎo)體，集電區(qū)是N型半導(dǎo)體，基區(qū)是P-型半導(dǎo)體。3、有一個(gè)晶體管繼電器電路，其晶體管與繼電器的吸引線(xiàn)圈相串聯(lián)，繼電器的動(dòng)作電流為6mA。若晶體三極管的直流電流放大系數(shù)B=50,便使繼電器開(kāi)始動(dòng)作，晶體三極管的基極電流至少為0.12mA._。.共發(fā)射極電路的輸入端由發(fā)射板和基極組成，輸出端由集電極_和發(fā)射機(jī)_組成，它不但具有盅流一放大、一電壓一放大作用，而且其功率增益也是三種基本線(xiàn)路中最大的。.晶體三極管是依靠基極電流控制集電極電流的，而場(chǎng)效應(yīng)晶體管則是以柵極電壓控制漏極電流一的，所以它的輸入阻抗很高。.共發(fā)射極單管放大電路，輸出電壓與輸入電壓相位差為翼咚，這是放大器的重要特征，稱(chēng)為放大器的例相作用—。.常用的耦合方式有—阻容耦合―、.變壓器耦合和—直接耦合—三種形式。晶體三極管低頻小信號(hào)電壓放大電路通常采用—阻容—耦合電路..放大器的靜態(tài)是指沒(méi)有輸入信號(hào)—時(shí)的工作狀態(tài)，靜態(tài)工作點(diǎn)可根據(jù)電路參數(shù)用_估算一方法確定，也可以用一圖4方法確定。表征放大器中晶體三極管的靜態(tài)工作點(diǎn)的參數(shù)有Ib_、Ie_和U_。場(chǎng)效應(yīng)晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)由一J Id—和一UDS——確定。.晶體三極管放大器按放大信號(hào)和輸出信號(hào)的強(qiáng)弱可分為電壓—放大和功率放大兩類(lèi)。.為了使放大器輸出波形不失真，除需設(shè)置—適當(dāng)?shù)撵o態(tài)波作點(diǎn)外，還需要采用穩(wěn)定工作點(diǎn)—的方法，且輸入信號(hào)幅度要適中。.在晶體三極管放大電路中，當(dāng)輸入電流一定時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置太低將產(chǎn)生截止―失真；靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置太高將產(chǎn)生飽和—失真。.在晶體三極管放大電路中，當(dāng)輸入電流一定時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置太高，會(huì)使I。的.正_半周及Uce的負(fù)半周失真；靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置太低時(shí)，會(huì)使Ic的j半周及Uce的上半周失真。.晶體三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)Uce隨Ib而變化，如果1b增加，貝則Uce將減小—；如果Ib減小，則Uce將一增大—。因此，Ib可以起調(diào)節(jié)電壓作用。 ".在晶體三極管放大電路中，如果其它條件不變，減小Rb,則靜態(tài)工作點(diǎn)沿著負(fù)載線(xiàn)二^,容易出現(xiàn)—飽和失真；若增大Rb,工作點(diǎn)沿著負(fù)載線(xiàn)下移一容易出現(xiàn)一截止一失真。.如果晶體三極管放大器Ed曾大，而其它條件不變，則晶體三極管放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)將隨負(fù)載線(xiàn)——石移。在晶體三極放大器中RC減小，而其它條件不變，則晶體三極管負(fù)載線(xiàn)變一陡——。模電自測(cè)練習(xí)題（A）-選擇、埴空題.對(duì)于一個(gè)放大器來(lái)說(shuō)，一般希望其輸入電阻—大一些，以減輕信號(hào)源的負(fù)擔(dān)，輸出電阻小一些，以增大帶動(dòng)負(fù)載的能力。.由于電容C具有一隔直流通交流—的作用，所以，交流放大器負(fù)載兩端的電壓，只是晶體三極管c、e極間總電壓的y流一部分。.為了保證小信號(hào)交流放大器能不失真地進(jìn)行放大，并且有最大的動(dòng)態(tài)范圍，靜態(tài)工作點(diǎn)應(yīng)選在一。Uce（或直流負(fù)載線(xiàn)的中點(diǎn)）_。219、在一個(gè)放大電路中，三只三極管三個(gè)管腳①、②、③的電位分別如表所示，將每只管子所用材料（Si或Ge）、類(lèi)型（NPN或PNP）及管腳為哪個(gè)極（e、b或c）填入表內(nèi)。管號(hào)T1T2T3管號(hào)T1T2T3管腳電位（V）①0.76.23電極名稱(chēng)①②0610②③533.7③材料類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管?場(chǎng)效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上可分為兩大類(lèi)：一結(jié)型、絕緣柵型*MOS；根據(jù)導(dǎo)電溝道的不同又可分為N溝道、P溝道兩類(lèi)；對(duì)于MOSFET,根據(jù)柵源電壓為零時(shí)是否存在導(dǎo)電溝道，又可分為兩種：耗盡型、增強(qiáng)型一。由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管幾乎不存在一柵流—，所以其輸入直流電阻一很大—。.U表示夾斷電壓，IDSS表示飽和漏極電流，它們是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)。.增強(qiáng)^場(chǎng)效應(yīng)管當(dāng)其UGS=0時(shí)不存在導(dǎo)電溝道。JFET和耗盡型MOS管在柵-源電壓為零時(shí)存在_導(dǎo)電溝道，而增強(qiáng)型MOS管則一不存在一導(dǎo)電溝道。.MOS管的直流輸入電阻比結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的人―。.場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般采用自偏壓（或柵極偏壓）一和一分壓式（或分壓式自偏壓兩種偏置電路。放大電路.放大電路的輸入電壓q=10mV,輸出電壓U0=1V,該放大電路的電壓放大倍數(shù)為100_，電壓增益為-40—dB。 1.放大電路的輸入電阻越大，放大電路向信號(hào)源索取的電流就越i，輸入電壓也就越。 ；輸出電阻越小，負(fù)載對(duì)輸出電壓的影響就越小-，放大電路的負(fù)載能力就越強(qiáng)_。.共集電極放大電路的輸出電壓與輸入電壓』相，電壓放大倍數(shù)近似為二，輸入電阻j，輸出電阻j。差分放大電路.差分放大電路的輸入電壓Ui1=1V,Ui2=0.98V,則它的差模輸入電壓Uid=-0.02V,共模輸入電壓U.C=-0.99——V。 1 1 1.差分放大電路對(duì)差模輸入信號(hào)具有良好的放大作用，對(duì)決模輸入信號(hào)具有很強(qiáng)的抑制作用，差分放大電路的零點(diǎn)漂移很小。.兩級(jí)放大電路，第一級(jí)電壓增益為40dB，第二級(jí)電壓放大倍數(shù)為10倍,則兩級(jí)總電壓放大倍數(shù)為一1000倍，總電壓增益為_(kāi)60_dB。.集成運(yùn)算放大器輸入級(jí)一般采用放大電路，其作用是用來(lái)減小零點(diǎn)成移 -。.理想集成運(yùn)算放大器工作在線(xiàn)性狀態(tài)時(shí)，兩輸入端電壓近似理等，稱(chēng)為端短_；輸入電流近似為,0_稱(chēng)為虛斷。.集成運(yùn)算放大器的兩輸入端分別稱(chēng)為同相輸入端和反相輸入端，前者的極性與輸出端反相后者的極性與輸出端同相。.電壓負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電壓，電流負(fù)反饋穩(wěn)定輸出電流。使輸入量減小的反饋是負(fù)反饋。引入直流負(fù)反饋可以穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)。負(fù)反饋越深，電路的性能越穩(wěn)定。.同相比例運(yùn)算放大電路是一個(gè)深度的電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路；反相比例運(yùn)算放大電路是一個(gè)深度的電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路。.參數(shù)理想對(duì)稱(chēng)的雙端輸入雙端輸出差分放大電路只能放大差摸信號(hào)，不能放大共模信號(hào)。模電自測(cè)練習(xí)題（A）-選擇、埴空題.將交流電轉(zhuǎn)換為直流電的過(guò)程稱(chēng)為整流。把脈動(dòng)直流電變成較為平穩(wěn)的直流電的過(guò)程，稱(chēng)為—濾波.單相整流電路按其電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)來(lái)分，有半波整流電路、全波整流電路和橋式—整流電路。.乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功放由NPN-和PNP一兩種類(lèi)型晶體管構(gòu)成，其主要優(yōu)點(diǎn)是一效率高二、選擇題二極管.P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是B一,N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是A.電子B.空穴C.正離子D.負(fù)離子.雜質(zhì)半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度C—本征半導(dǎo)體中載流子濃度。A.大于B.等于C.小于.室溫附近，當(dāng)溫度升高時(shí)，雜質(zhì)半導(dǎo)體中-C一濃度明顯增加。A.載流子B.多數(shù)載流子 C.少數(shù)載流子.雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（C）。A.溫度B.摻雜工藝C.摻雜濃度D.晶格缺陷.PN結(jié)形成后，空間電荷區(qū)由（D）構(gòu)成。A.價(jià)電子B.自由電子C.空穴D.雜質(zhì)離子.硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管，反向飽和電流比鍺二極管B。A.大B.小C.相等.溫度升高時(shí)，二極管在正向電流不變的情況下的正向電壓,B-，反向電流A-。A.增大B.減小C.不變.硅二極管的反向電流很小，其大小隨反向電壓的增大而（B）。 A.減小B.基本不變C.增大.流過(guò)二極管的正向電流增大，其直流電阻將（C）。 A.增大 B.基本不變 C.減小.變?nèi)荻O管在電路中主要用作（D）。 A.整流B.穩(wěn)壓 C.發(fā)光D.可變電容器.當(dāng)PN結(jié)兩端加正向電壓時(shí)，那么參加導(dǎo)電的是 （A）。A.多數(shù)載流子；B.少數(shù)載流子；^既有多數(shù)載流子又有少數(shù)載流子.如果晶體二極管的正、反向電阻都很大，則該晶體二極管（C）。A.正常;B.已被擊穿；C.內(nèi)部斷路.如果晶體二極管的正、反向電阻都很小或?yàn)榱悖瑒t該晶體二極管（B）。A.正常；B.已被擊穿；C.內(nèi)部斷路.晶體二極管的陽(yáng)極電位是-20V,陰極電位是-10V,則該二極管處于（A）。A.反偏，B.正偏，二零偏.當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，晶體二極管的反向電流將（A）。 A.增大； B.減??； C.不變.在晶體二極管特性的正向區(qū)，晶體二極管相當(dāng)于（B）。A.大電阻；B.接通的開(kāi)關(guān)；C.斷開(kāi)的開(kāi)關(guān)三極管.當(dāng)晶體三極管的兩個(gè)PN結(jié)都反偏時(shí)，則晶體三極管處于（C）。A.飽和狀態(tài);B.放大狀態(tài);C.截止?fàn)顟B(tài).當(dāng)晶體三極管的兩個(gè)PN結(jié)都正偏時(shí)，則晶體三極管處于（C）。A.截止?fàn)顟B(tài);B.放大狀態(tài);C.飽和狀態(tài).當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，則晶體三極管處于（A）。A.放大狀態(tài)；B.飽和狀態(tài)；C.截止?fàn)顟B(tài).晶體三極管處于飽和狀態(tài)時(shí)，它的集電極電流將 （C）。A.隨基極電流的增加而增加；B.隨基極電流的增加而減小，C.與基極電流變化無(wú)關(guān)，只決定于Uce.當(dāng)晶體三極管的基極電源使發(fā)射結(jié)反問(wèn)時(shí)，則晶體三極管的集電極電流將（C）。A.反向；B.增大；C.中斷.當(dāng)溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體電阻將（B）。A.增大；b,減??；二不變.工作在放大狀態(tài)的晶體管，流過(guò)發(fā)射結(jié)的是A電流，流過(guò)集電結(jié)的是B—電流。A.擴(kuò)散B.漂移.晶體管電流由B形成，而場(chǎng)效應(yīng)管的電流由 A形成。因此，晶體管電流受溫度的影響比場(chǎng)效應(yīng)管-C一。 A.一種載流子B.兩種載流子C.大D.小.晶體管通過(guò)改變A來(lái)控制C ；而場(chǎng)效應(yīng)管是通過(guò)改變 B控制D，是一種控制器件。A.基極電流 B.柵-源電壓C.集電極電流 D.漏極電流 E.電壓F.電流.某NPN型管電路中，測(cè)得Ube=0V,UBC=—5V,則可知管子工作于（C）狀態(tài)。A.放大B.飽和C.截止D.不能確定

模電自測(cè)練習(xí)題（A）-選擇、埴空題.根據(jù)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法可知，3DG6為（B）。A.NPN型低頻小功率硅晶體管 B.NPN型高頻小功率硅晶體管C.PNP型低頻小功率鍺晶體管 D.NPN型低頻大功率硅晶體管.輸入（C）時(shí)，可利用H參數(shù)小信號(hào)電路模型對(duì)放大電路進(jìn)行交流分析。A.正弦小信號(hào)B.低頻大信號(hào)C.低頻小信號(hào)D.高頻小信號(hào)D.多.在絕對(duì)零度（0K）時(shí)，本征半導(dǎo)體中B載流子。A.有B.沒(méi)有C.D.多數(shù)14.在熱激發(fā)條件下，少數(shù)價(jià)電子獲得足夠激發(fā)能，A.負(fù)離子14.在熱激發(fā)條件下，少數(shù)價(jià)電子獲得足夠激發(fā)能，A.負(fù)離子B.空穴C.正離子D.15、半導(dǎo)體中的載流子為D___。A.電子16、N型半導(dǎo)體中的多子是_A。A.電子17、P型半導(dǎo)體中的多子是—B。A.電子18、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流A—B.空穴C.正離子D.電子和空穴B.空穴C.正離子D.負(fù)離子B.空穴C.正離子D.負(fù)離子進(jìn)入導(dǎo)帶，產(chǎn)生____D電子-空穴對(duì)漂移電流。A.大于B.小于C.等與19、當(dāng)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流B―漂移電流。A.大于B.小于C.等于20、在單級(jí)共射放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則u和u.的相位_B。A.同相B.反相C.相差90度TOC\o"1-5"\h\z\o"CurrentDocument"D.不確定 ° 121、在單級(jí)共基放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則u°和與的相位_A_。A.同相B.反相C.相差90度D.不確定 ° 1122、既能放大電壓，也能放大電流的是__工_組態(tài)放大電路。A.共射B.共集C.共基D.不確定23、在單級(jí)共集放大電路中，若輸入電壓為正弦波形，則u°和uu的相位_A。A.同相B.反相C.相差90度D.不確定 °U24、可以放大電壓，但不能放大電流的是_C_組態(tài)放大電路。A.共射B.共集C.共基D.不確定25、可以放大電流，但不能放大電壓的是B__組態(tài)放大電路。A.共射B.共集C.共基D.不確定26、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，電壓放大倍數(shù)小于1的是―B―組態(tài)。A.共射B.共集C.共基D.不確定27、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最大的是_B___組態(tài)。A.共射B.共集C.共基D.不確定28、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最小的是_C組態(tài)。A.共射 B.共集 C.共基 D.不確定29、在共射、共集和共基三種基本放大電路組態(tài)中，輸出電阻最小的是_B組態(tài)。共射 B.共集 C.共基 D.不確定30、三極管是_D_器件。A.電壓控制電壓 B.電流控制電壓C.電壓控制電流D.電流控制電流.測(cè)量某放大電路負(fù)載開(kāi)路時(shí)輸出電壓為3丫，接入2kQ的負(fù)載后，測(cè)得輸出電壓為1V,則該放大電路的輸出電阻為（D）kQ。A.0.5B.1.0C.2.0D.4圖T3.1.為了獲得反相電壓放大，則應(yīng)選用（A）放大電路。A.共發(fā)射極B.共集電極C.共基極D圖T3.1.為了使高內(nèi)阻的信號(hào)源與低阻負(fù)載能很好配合，可以在信號(hào)源與負(fù)載之間接入（B）放大電路。A.共發(fā)射極 B.共集電極 C.共基極D.共源極.放大電路如圖T3.1所示，已知RS=RD，且電容器容量足夠大，則該放大電路兩輸出電壓u0l與u02之間的大小關(guān)系為（B）。 A.u0l=u02u0l=-u02Cu0l>u02D.u0i<u02.在晶體三極管放大電路中，晶體三極管最高電位的一端應(yīng)該是（E）。A.PNP型的基極；B.PNP型的集電極；C.NPN型的基極；D.NPN型的發(fā)射極E.PNP型的發(fā)射極；F.NPN型的基極.在NPN型晶體三極管放大電路中，如果基極與發(fā)射極短路，則（B）。A.晶體三極管將深度飽和；B.晶體三極管將截止；C.晶體三極管的集電結(jié)將是正偏模電自測(cè)練習(xí)題（A）-選擇、埴空題.在NPN型晶體三極管放大電路中，如果集電極與基極短路，則（A）。A.晶體三極管將深度飽和；B.晶體三極管將截止；C.晶體三極管的集電結(jié)將是正偏。.在晶體三極管放大電路中，當(dāng)輸入電流一定時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置太低將產(chǎn)生（B ）。A.飽和失真；B.截止失真；C.不失真.在晶體三極管放大電路中，當(dāng)輸入電流一定時(shí)，靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置太高將產(chǎn)生（A ）。A.飽和失真；B.截止失真.C.不失真.晶體三極管低頻小信號(hào)放大器能（A）。A.放大交流信號(hào)；B.放大直流信號(hào)；C.放大交流與直流信號(hào).在晶體三極管放大電路中，出現(xiàn)截止失真的原因是工作點(diǎn)（B）A.偏高；B.偏低；C.適當(dāng).畫(huà)放大器直流通道時(shí)，電容應(yīng)視為（B）A.短路；B.開(kāi)路；C.不變.在晶體三極管低頻電壓放大電路中，輸出電壓應(yīng)視為uo=（B）。A.iRc；B.-RiC； C.-IRcD.IbRc.為了使晶體三極管工作于飽和區(qū)，必須保證（A）。A.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；B.發(fā)時(shí)結(jié)正偏，集電結(jié)反偏；C.發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)零偏.共發(fā)射極放大器的輸出電壓和輸入電壓在相位上的關(guān)系是（C）。A.同相位B.相位差90°;C.相位共為180°；D.不能確定.在阻容耦合多級(jí)級(jí)大器中，在輸入信號(hào)一定的情況下，為了提高級(jí)間耦合的效率，必須（ C）。A.電阻的阻值盡可能??；B.提高輸入信號(hào)的頻率；C.加大電容以減小容抗；D.盡可能減小時(shí)間常數(shù)。.為了使工作于飽和狀態(tài)的晶體三極管進(jìn)入放大狀態(tài)，可采用（A ）的方法。A.減小Ib B.減小R° C.提高Ec的絕對(duì)值.為調(diào)整放大器的靜態(tài)工作點(diǎn):使之上移，應(yīng)該使Rb電阻值（B ）。A.增大B.減??；C.不變.如