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文檔簡介
wRciC頻譜2w3wLC回路阻抗0
wicωtθ
θic1ic2ic4IcoIcmaxEbEcic
=
Ic0
+
ic1
+
ic
2
+...=
Ic0
+
Ic1m
coswt
+
Ic
2m
cos
2wt
+...-cωθB3.3
功率和效率(1)晶體管集電極輸出的交流功率2ocmc0c1mc
2mcm
c1mTP
=
1TU
coswt
(I
+
I
coswt
+
I0cos
2wt
+...)dt=
1
U
ITTTccmTcos
wt
i
(t
)dtp(t
)dt
=
1P
=
1-
u
(t
)i
(t
)dt
=
1
UT
T00c1
c00uc1
(t
)=
-U
cm
cos
wt=
-I
c1mRc
cos
wtEc(2)電源供給的直流功率T
Tc
cs
00P¢=
1
T
p(t
)dt
=
1
T
-
E i
(t
)dt0c
2mc1mTc
c0sT=
-Ec
Ic0P¢=
1cos
2wt
+...)dt-
E
(I
+
I
coswt
+
IPs
=
Ec
Ic0Ec(3)集電極損耗功率TCETcTu ic
(t
)dt
=
Ps
-
PoP
=00p(t
)dt
=
1cccs(4)集電極效率1c·Ucm00
c
maxc0Ucm
·
Ic1m1=
·P
2
E
I=
P0
1=
·2
a
E1
a1=
·2
E
a
IUcm
·
a1Ic
maxhEcPs
=
Ec
Ic00
cm
c1m2P
=
1
U
I為了兼顧效率和輸出功率,一般以400~700為宜。此時,比值在1.7到1.9之間。極效率2cDc·Ucm0=
·P
2
a
E1
a1(4)集電h
=P0ucEce
min
=
Ec
-Ucm若飽和壓降為1V,在E
=12V時,電壓利用系數(shù)類1=
0.78
~
0.87丙
hc
=
2
·(1.7
~
1.9)·0.917甲類1hc
=
2
·1·0.917
=
0.46乙1cUcm/Ec=11/12=0.917類
hc
=
2
·1.58·0.917
=
0.72α1/α2Uj=0.6V,g=10mA/V,Icmax=20mA,Ec=12V時,忽略飽和壓降。求θ=600時的輸出功率、效率和Eb。20=
1
·
7.6
·12
=
0.86
=
86%2 4.4
·12C
0
CcC
0
C
maxo2
I
E=
1
I
c1mUcmP
=
·7.6
·12
=
45.6mWhIc1m
=
IC
maxa
(60 )
=
20
·0.38
=
7.6mA11從分解系數(shù)曲線圖可讀出,α1(600)=0.38
,
α0(600)
=0.22UbmU
+
Ecosq
=
j
bI
=
I
a
(60 )
=
20
·0.22
=
4.4mA
Ic
max
=
g
Ubm
-
Eb
-U
j可求出Eb-EcEbuce=
EC
-Ucm
cos
wtube
=Ubm
coswt
-
Eb放大區(qū):ic=g(ube-Uj)ic
=
g(-
Eb
-U
j
)Q
:
uce
=
Ec
;C
:
wt
=
0;ic
=
Ic
max
=
g
Ubm
-
Eb
-U
j
;uce
=
Ec
-Ucm導(dǎo)通B
:uce
=Ec
-Ucm
cosq,ic
=0
點B假設(shè)點
Q(靜態(tài)工作點)3.4
諧振功率放大器的工作狀態(tài)分析3.4.1諧振功率放大器的動態(tài)特性對于放大區(qū)中的動態(tài)特性直線,斜率絕對值的倒數(shù)稱為動態(tài)電阻
Rc’。cosq,0)c
cmB(E
-UC(Ec
-Ucm
,
Ic
max
)Q
Ec
,
g
-
Eb
-U
j3.4.2
諧振功放的三種工作狀態(tài)欠壓狀態(tài):Ucemin>Uces,晶體管工作在放大和截止區(qū)。臨界狀態(tài):Ucemin=Uces,進(jìn)入飽和區(qū)邊緣。過壓狀態(tài):
Ucemin<Uces,晶體管工作在飽和、放大和截止區(qū)。根據(jù)C點位置判斷例某高頻功放工作在臨界狀態(tài),已知E
C
=18V
,gcr=0.6A/V(線段OC,也稱為臨界飽和線),θ=60°,Rc=100Ω,求Po、Ps和集電極效率ηc。C(Ec
-Ucm
,
Ic
max
)B(Ec
-Ucm
cosq,0)cmccrIc
maxIc
maxEc
-
Ic
maxa1Rc=E
-Ug
=3.4.3
參數(shù)變化對工作狀態(tài)的影響1.電阻的影響:負(fù)載特性研究的問題:當(dāng)EC、Eb和Ubm
不變,改變諧振電阻Rc時,放大器的電流,電壓,功率和效率隨Rc的變化情況。Rc
=
a1
(1-
cosq)Rc當(dāng)Rc由小變大時,斜率絕對值(R’c是斜率絕對值的倒數(shù))由大變小,動態(tài)線以Q為圓心,由①變到③。Q(Ec
,
g(-Eb
-U
j
))bjUbmU
+
Ecosq
=ubeic-?Eb?UjqqicqqgUbm?ubeubemaxicmaxuceicECQUces??uceminuceminubemax?當(dāng)Rc小時,Ucemin>Uces,欠壓狀態(tài)。當(dāng)Rc大時,Ucemin<Uces,過壓狀態(tài)。Ucemin=Uces,臨界狀態(tài),Rc=Rcp(最佳負(fù)載電阻)。icuce負(fù)載特性(1)欠壓區(qū)Rc欠壓區(qū) 過壓區(qū)臨界區(qū)Rc臨界區(qū)Ic1mIc0hcPsubemaxUcm22
I
EP
=
1U
I?fi
Pc
=
Ps
-
P0
flc0
c=
1
Ic1m
Ucmc0
cm
c1m?fi
hPC欠壓區(qū) 過壓區(qū)當(dāng)Rc線性增加時,Icmax幾乎不變(略減?。琁c1m,Ic0幾乎不變(略減?。︰cm=Ic1mRc線性增加,Ps=ECIc0幾乎不變(略減?。㏄ouceRc欠壓區(qū) 過壓區(qū)臨界區(qū)Rc臨界區(qū)Ic1mIc0chPsPcUcmUcmIc
max=Ic1m
Rc幾乎不變(略有上升)欠壓區(qū) 過壓區(qū)Ic1m
,
Ic
0
flflfiRc
?fi
flflfi變化緩慢oc
scc-P
變化緩慢,P
=
Pc0c1m
cmcm
Ic1m
fls
c
c0
o2
I
E1
I
U2P
=
E
I
flflfi
P
=
1
Ufi
h
=Po負(fù)載特性(2)過壓區(qū):余弦脈沖頂部下凹在強過壓狀態(tài),電流波形強烈畸變,效率會下降。ubemaxic負(fù)載特性(3)小結(jié)2.Ec的影響—集電極調(diào)制特性uceicubemax?EC
EC
EC?Q
?Q
?Q????w
tic過壓區(qū) 欠壓區(qū)
EC臨界區(qū)Ic1mIc0研究的問題:當(dāng)Rc、Ubm、Eb不變時,EC的影響。在欠壓區(qū),Ic0、Ic1m基本不變。只有工作在過壓區(qū),才能有效地實現(xiàn)EC對Ic1m的控制作用,故集電極調(diào)幅電路應(yīng)工作在過壓區(qū)。UbmU
+
Ecosq
=
j
bRc
=
a1
(1-
cosq)RcQ(Ec
,
g(-Eb
-U
j
))進(jìn)入過壓狀態(tài)后,隨著Eb在正向偏置方向增大,脈沖電流的寬度增加,最大幅度幾乎不變,但凹陷加深,結(jié)果使Ic0、Ic1m和相應(yīng)的Ucm增大得十分緩慢。UcmIc1mIc0臨界-Eb過壓欠壓OicUic飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)當(dāng)Ubm固定,基極漸漸變?yōu)檎?/p>
偏置時,電流的幅度和寬度均增大,狀態(tài)由欠壓區(qū)進(jìn)入過壓區(qū)。qC
1qC
2qC
3b3.E
的影響—基極調(diào)制特性研究的問題:當(dāng)Rc、Ubm、EC不變時,Eb的影響。要實現(xiàn)E
對bUcm的有效控制,要求工作在欠壓區(qū)bmUU
+
Ecosq
=
j
bRc
=
a1
(1-
cosq)RcQ(Ec
,
g(-Eb
-U
j))bm4.
U
的影響—振幅特性U飽和區(qū)放大區(qū)截止區(qū)qC
1qC
2qC
3UcmIc1mIc0Ubm過壓臨界欠壓OO
ωtOωtωt
O
ωt
OUbm增大Ubm線性功率放大器UcmUbmUcm振幅限幅器UcmUbmUcm固定Eb、增大Ubm和固定Ubm、-Eb增加類似。ube
=Ubm
coswt
-
Eb3.5
調(diào)諧功率放大器的實用電路要使高頻諧振功率放大器正常工作,在其輸入和輸出端還需接有:直流饋電(供電)線路:為晶體管各級提供合適的偏置;交流匹配網(wǎng)絡(luò):將交流功率信號有效地傳輸。3.5.1
直流饋電電路以集電極直流饋(供)電電路為例。饋電電路有兩種基本形式:串聯(lián)饋電和并聯(lián)饋電。串饋就是把功放管,負(fù)載回路和直流電源三部分串聯(lián)起來。并饋就是將這三部分并聯(lián)起來。電路構(gòu)成原則:除晶體管內(nèi)部外,盡量沒有其他電阻消耗直流能量。負(fù)載回路產(chǎn)生所需的高頻輸出功率,濾除不要的諧波分量。Cc:旁路電容,對交流有短路作用。
Lc:扼流圈,對交流呈現(xiàn)大感抗,相當(dāng)于斷路。3.5.2自給偏壓環(huán)節(jié)基極饋電電路也分串饋和并饋。串饋就是將高頻輸入信號電壓、基極直流電源和晶體管的發(fā)射結(jié)相串聯(lián)。并饋就是將三部分并聯(lián)起來。但基極很少使用獨立電源,多利用射極電流或基極電流的
直流分量,在某個電阻上產(chǎn)生
的電壓作為放大器的自給偏壓。串IeoCBLBLBLBCERBReVTVT
VTIBOEb+Eb-自給偏壓方式(1)
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