結(jié)構(gòu)化學(xué)筆記

教師：陳泳物理化學(xué)的爭論方法：1,熱力學(xué)2,量子力學(xué)構(gòu)造化學(xué)定義：構(gòu)造化學(xué)是從分子，原子和晶體的水平上，從微觀構(gòu)造上爭論的科學(xué)。構(gòu)造化學(xué)式一量子力學(xué)為根底的科學(xué)。量子理論化學(xué)鍵理論點陣?yán)碚摌?gòu)造形式〔〔2〕幾何構(gòu)造；分子空間構(gòu)架，特別是分子中原子在空間的排布的對稱性。電子構(gòu)造打算幾何構(gòu)造反響，推到理論和性質(zhì)。應(yīng)用方法去：演繹法歸納法應(yīng)用規(guī)律思維，形象思維學(xué)習(xí)方法：重點〔原理，概念，方法〕重點試驗方法〔衍射法，光譜法，磁共振法〕構(gòu)造與性能的關(guān)系量子力學(xué)的根底學(xué)問20世紀(jì)三大理論科學(xué)〔1〕相對論〔2)量子力學(xué)〔3〕DNA雙螺旋構(gòu)造微觀物體運動遵循的規(guī)律——量子力學(xué)19世紀(jì)經(jīng)典物理學(xué)〔1〕Newton力學(xué)〔2〕Maxwell電場理論〔3〕Gibbs熱力學(xué)Planck——黑體輻射：加熱是黑體會輻射出不同波長電磁波的現(xiàn)象。h——稱Planck常量；h=6.626×10-34J.s-1=2πhv3/C2(ehv/kt-1〕-1V留意：V能量量子化：黑體只能輻射頻率為V，數(shù)值為hvPlanck光電效應(yīng)〔Einstein〕試驗證明：1，增加射光強(qiáng)度，不能增加光電能量，但能增加數(shù)目2，光電子的動能與入射光強(qiáng)度與管〔正比〕3，只有入射光頻率強(qiáng)度到達(dá)v0

以后才有電子消滅Einsteinε=mc2光子質(zhì)量為 m=hv/c2 hv=ε光子能量：P=ｍｃ＝ｈｖ/ｃ＝ｈ/λ 〔ｃ＝λｖ〕產(chǎn)生光電效應(yīng)時得能量守恒：ｈｖ＝Ｗ+Ｅ＝ｈｖ

＋ｍｖ２/２ｋ ０電子能量最小溢出功E＝ｈｖ－ｈｖ〕ｋ ０Einsteinε=hｖ Ｐ=ｈ/λ粒子性 波性量子理論創(chuàng)始人Planck0〕實物微粒〔0等〕也有波粒二象性。對于實物E=〔1/2)mv2=p2/(2m〕 u=λv對于光E=mv2=pcλ=h/p=ｈ／ｍｖ=〔h/m〕.〔1/V)〔論質(zhì)量大小的波長〕ＤeBroglie〔靜止質(zhì)量0〕波性和這種波的統(tǒng)計性。原子分子中的電子的運動可以用波函數(shù)表示。DeBroglieHeisenberg測不中原理定義;一個例子不能同時具有確定的坐標(biāo)和動量。測不中：ΔPx=Px-0=Px=Psin?=P.〔λ/D〕D〔坐標(biāo)確定越不準(zhǔn)?電子經(jīng) 后運動方向分散越厲(量的不確定性)ΔX.ΔP=hXPX=h/mΔv〔Δx微觀解釋，Δx動量越明顯，應(yīng)用量子力學(xué)解釋〕宏觀物體：確定動量和坐標(biāo)圍觀物體：有確定的坐標(biāo)活動量〔兩者只能去一〕能級加快，速度加快，不確定性，譜線加寬。量子里學(xué)的根本假設(shè)量子力學(xué)：圍觀物體遵循規(guī)律主要特點能量量子化和運動的波形。1，波函數(shù)和微觀粒子的狀態(tài)。幾率密度：單位體積內(nèi)找到電子的幾率，即“?*?”電子用：用點的疏密程度表示幾率密度。?是狀態(tài)函數(shù)，微觀粒子從在的狀態(tài)和該狀態(tài)下個物理量的取值及其變化信息。波函數(shù)?單值性：再買個空間位置值只有一個。連續(xù)性：1。?*?d=1z在原子分子體系中?2，力學(xué)量和算符。?：?u〔x〕=v〔x〕〔1〕?sin，log：?〔??1

〕=??2

+??1 2〔3〕自扼算符：1

1

.〔??1

〕*diH一，用量子力學(xué)處理微觀體系的一般步驟：1，依據(jù)物理條件寫出勢能進(jìn)而寫出Schrodinger2，解方程，有邊界條件和品優(yōu)波函數(shù)條件確定波函數(shù)。3,描繪方程：?n ，

?*?n

圖形，爭論其分布特點。n4，用力學(xué)量算符作用于，求各個對應(yīng)狀態(tài)各種力學(xué)量的數(shù)值，了解體系性質(zhì)。5，聯(lián)系實際問題，應(yīng)用所得結(jié)果。波函數(shù)圖?〔r，?，φ〕電子云圖 ︳?〔r，?，φ〕︳2繪制的圖全為局部圖形。將波函數(shù)一樣的連接起來形成的面稱值面圖。第五章，多原子分子的化學(xué)鍵1)靜電排斥力〔2〕Pauil斥力作用的考慮1處理?！?〕孤電子的鍵肥大。BF3PCl

:電子空間構(gòu)造為四周體，分子為三角錐形。3鍵角?孤對電子的斥力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于成鍵電子對的斥力。價電子對互斥理論：m+n=m數(shù)，nmn孤電子對的或單電子的斥力遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于城建軌道的斥力。1〕等性雜化：成鍵〔2〕〔鍵級大則鍵長短，易發(fā)生化學(xué)反響，活性增加〕4m+n=nπ填充在成鍵軌道上。第六章晶體的點陣構(gòu)造和晶體性質(zhì):(1)晶體〔態(tài)：在作圖后有規(guī)章的尖峰〔2〕非晶態(tài)：塑料〔等〕1〕具有均勻性各向異性自范性對稱性確定的熔點〔6〕x熔程：熔解的時連續(xù)CaASsi，10-2〕飛秒：1fs=10-5s紅外熱成像NiAi整個晶體可以用一個三維點陣來表示。X點陣：可以平移，可復(fù)原。晶體構(gòu)造=點陣+構(gòu)造基元一個構(gòu)造基原代表一個點陣