IC制作流程課件

IC製作流程(I)IC制作流程IC製作流程(II)電路設(shè)計(jì)的主要目的在產(chǎn)生佈局圖〈layout〉，它能定義出晶圓加工製程中所需要的各層圖案〈pattern〉。藉由佈局圖，可做成晶圓加工製程中所需要的各道光罩〈maskorreticle〉晶圓加工製程是要將上一個(gè)設(shè)計(jì)程序所設(shè)計(jì)出來的電路及電子元件，能在晶圓上加以實(shí)現(xiàn)。而電路上所用到的電子元件〈電晶體、電阻、電容、電感...〉及其間的連線〈interconnection〉，則必須靠各單元製程〈氧化、黃光微影、薄膜沉積、蝕刻、參雜...〉間的反覆配合才能完成。光罩在此的功用在於能定義出各層薄膜的圖案、元件區(qū)域，或元件間的連線情形，以達(dá)所要的電路功能及規(guī)格晶圓加工完後的晶圓，一般會(huì)經(jīng)過晶圓針測〈waferprobe〉的過程，將失敗的晶粒加以標(biāo)記〈inkdot〉。後將晶圓切割成一小片一小片的晶粒，好的晶粒才會(huì)送到構(gòu)裝〈packaging〉廠加以構(gòu)裝。構(gòu)裝的材料一般為陶瓷或塑膠，而構(gòu)裝的目地在保護(hù)其內(nèi)的晶粒不會(huì)受到外界的機(jī)械性破壞〈刮痕...〉或免於水氣微塵的滲入。除此以外，它還要提供內(nèi)部晶粒電極和外部電路板相連的管道〈藉由內(nèi)部打線，再用IC外殼的pin和電路板接通〉。隨著IC功能的提升，構(gòu)裝的散熱能力和尺寸大小都是構(gòu)裝技術(shù)必須考量的。構(gòu)裝後的IC為了品質(zhì)的確認(rèn)，會(huì)進(jìn)行測試〈test〉的步驟。在這裡會(huì)進(jìn)行一連串的電氣測試，如速度、功率消耗...等IC制作流程晶圓

(Wafer)矽晶圓來源是石英〈主成份為氧化矽〉經(jīng)過純化、高溫溶解、蒸溜、沉積等步驟，得到所謂高純度的矽棒siliconrod再以單晶成長方法來得到所需的單晶矽,經(jīng)過grinding、slicing、lapping、etching、polishing、cleaning及inspection步驟，最後一片片的晶圓才會(huì)被包裝起來

晶圓的大小〈指其直徑〉由早先的三吋〈約7.5公分〉到目前的八吋〈約20公分〉，未來將朝的十二吋、十六吋等大尺吋方向前進(jìn)，主要是為了提高VLSI的產(chǎn)能且提升IC的良率，以增加廠商自身的競爭力。

IC制作流程WaferTestingWAT(WaferAcceptTest):每個(gè)Lot抽幾片wafer判定是否整個(gè)Lot允收CP1(ChipProbe):100%screen,test晶圓的好壞LaserRepair:晶圓修復(fù)CP2:每個(gè)Lot抽1到2片wafer看repair狀況Mapping:使用此方法看wafer上哪些晶圓是好哪些是壞的IC制作流程封裝(Assembly)IQC(incomingqualitycontrol)晶圓研磨Grinding晶圓切割DicingDieAttach(leadframe/substrate)Wirebond(gold)MoldingP1lasermarkingforBGAPlating(IC腳電鍍)/BallMountIC腳切割/清除助焊劑成型IC制作流程PackageDesignFlow產(chǎn)品尺寸晶片尺寸及銲墊位置耗電量預(yù)算申請(qǐng)電性及熱傳的模擬分析銲線圖設(shè)備的採購驗(yàn)收?qǐng)?bào)告

PackageOutlineChipSizeandBondpadLocationBudgetApplicationElectricalandThermalSimulationBondingDiagramEquipmentpreparationBuy-offreportIC制作流程試產(chǎn)報(bào)告

SAT分析材料清單QualRunAssemblyReport可靠性測試報(bào)告TrialRun

ReportSATAnalysisBOMQualRunAssemblyReportReliabilityTestReportIC制作流程為了確保電子元件能符合電性需求，在產(chǎn)品開發(fā)時(shí)就導(dǎo)入電性模擬分析，可以先期分析RLC數(shù)值，有效達(dá)到最佳化的設(shè)計(jì)。主要分析：1.Package電氣模型(ElectricalModel)：

提供RLC數(shù)值及TransmissionLine的參數(shù)(Parameters)。2.電性分析(ElectricalPerformanceAnalysis)：

瞭解電子元件是否合乎系統(tǒng)在時(shí)序(Time)，速度(Speed)，

及信號(hào)完整度(SignalIntegrity)上的要求。IC制作流程為了確保電子元件能符合散熱需求，能將熱量從元件傳遞至系統(tǒng)，在產(chǎn)品開發(fā)時(shí)就導(dǎo)入熱傳模擬分析，可以有效達(dá)到最佳化的設(shè)計(jì)。主要目的：1.確保元件能符合功能和溫度限制2.確保元件的工作溫度符合可靠性的要IC制作流程TSOPICPackageFlow

IC制作流程BGAICPackageFlow

IC制作流程BGAOutlineBGAPackage“CentralPad”WindowWBGAforCentralPadIC“PeripheralPad”WindowWBGAforPeripheralPadICThermoplasticAdhesiveOrganicSubstrateWireEncapsulantDie0.3mmEncapsulantThermoplasticAdhesiveOrganicSubstrateWireEncapsulantDie0.3mmIC制作流程PackagePerformanceComparisonIC制作流程FinalTestingAdvantest5581/5585/5593日本愛德萬公司生產(chǎn)5581forSDRAM一次可測64顆DRAM一臺(tái)1億5585forDDRSDRAM一次可測128顆DRAM一臺(tái)2億可做高低溫,高低電壓,功能,速度測試5593forDDRIIIC制作流程FTflowFT1:常溫25度先做基本功能測試,如open/short,basicread/write,PatternBurn-In(燒機(jī)):125度,高電壓長時(shí)間read/writetest,主要是將早夭期的IC給提早死亡FT2:低溫-10度基本功能測試FT3:高溫75度基本功能測試及速度分類IC制作流程ICBURN-INBASICTHEORYDe