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綠色無(wú)機(jī)合成第1頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四綠色合成及CVD綠色化學(xué)的理想在于不再使用有毒有害物質(zhì),不再產(chǎn)生廢物,不再處理廢物,是一門(mén)從源頭上阻止污染的化學(xué)化學(xué)氣相沉積法(CVD)是將含有組成材料的一種或幾種化合物氣體導(dǎo)入反應(yīng)室,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)形成所需要的材料的方法。第2頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四綠色化學(xué)12條原則

原子經(jīng)濟(jì)性:合成方法應(yīng)具有“原子經(jīng)濟(jì)性”,即盡量使參加反應(yīng)的原子都進(jìn)入最終產(chǎn)物。綠色化學(xué)合成:在合成中盡量不使用和不產(chǎn)生對(duì)人類健康和環(huán)境有毒、有害的物質(zhì)。設(shè)計(jì)安全化學(xué)品:設(shè)計(jì)具有高使用功效和低環(huán)境毒性的化學(xué)品。采用安全的溶劑和助劑:盡量不使用溶劑等輔助物質(zhì),必須使用時(shí)應(yīng)選用無(wú)毒、無(wú)害的。合理使用和節(jié)省能源:生產(chǎn)過(guò)程應(yīng)該在溫和的溫度和壓力下進(jìn)行,而且能耗應(yīng)最低。第3頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四綠色化學(xué)12條原則利用可再生資源合成化學(xué)品:盡量采用可再生的原料,特別是用生物質(zhì)代替礦物燃料。減少不必要的衍生化步驟:盡量減少副產(chǎn)品。采用高選擇性的催化劑。設(shè)計(jì)可降解化學(xué)品:化學(xué)品在使用完后應(yīng)能夠降解成無(wú)毒、無(wú)害的物質(zhì),并且能進(jìn)入自然生態(tài)循環(huán)。進(jìn)行預(yù)防污染的現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)分析:開(kāi)發(fā)實(shí)時(shí)分析技術(shù),以便監(jiān)控有毒、有害物質(zhì)的生成。使用安全工藝:選擇合適的參加化學(xué)過(guò)程的物質(zhì)及生產(chǎn)工藝,盡量減少發(fā)生意外事故的風(fēng)險(xiǎn)。第4頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四化學(xué)氣相沉積法的原理CVD的化學(xué)反應(yīng)主要有兩種:一種是通過(guò)各種初始?xì)怏w之間的反應(yīng)來(lái)產(chǎn)生沉積;另一種是通過(guò)氣相的一個(gè)組分與基體表面之間的反應(yīng)來(lái)沉積。最典型的是濃度邊界層模型(見(jiàn)圖1),它比較簡(jiǎn)單地說(shuō)明了CVD工藝中的主要現(xiàn)象———成核和生長(zhǎng)的過(guò)程。圖1濃度邊界層模型示意圖a.反應(yīng)氣體被強(qiáng)制導(dǎo)入系統(tǒng);b.反應(yīng)氣體由擴(kuò)散和整體流動(dòng)穿過(guò)邊界層;c.氣體在基體表面的吸附;d.吸附物之間或者吸附物與氣態(tài)物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng);e.吸附物從基體解吸;f.生成氣體從邊界層到氣流主體的擴(kuò)散和流動(dòng);g.氣體從系統(tǒng)中強(qiáng)制排出第5頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四Xiang等[1]用

作為磷源,首次展示了用CVD法合成高質(zhì)量的p型摻雜ZnO納米陣列薄膜,見(jiàn)圖2。這種p型ZnO陣列垂直生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上,石墨粉被用來(lái)將還原為單質(zhì)P蒸汽,也可以將原料ZnO還原為Zn蒸汽,反應(yīng)如下:產(chǎn)物氣液中將含有和,同時(shí)由于的高蒸汽壓,氣態(tài)的也會(huì)隨氣流向藍(lán)寶石襯底輸送,因此和均能作為摻雜元素P的來(lái)源。這種p型ZnO納米線可以作為基體來(lái)制造居里溫度高于室溫的一維稀磁性半導(dǎo)體(DMS)納米結(jié)構(gòu)。CVD法合成p型摻雜ZnO納米線實(shí)例一第6頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四圖2藍(lán)寶石襯底生長(zhǎng)的p型ZnO納米線陣列第7頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四CVD法合成p型摻雜ZnO納米線實(shí)例二Liu等用金屬鋅粉、石墨粉、NaCl作為原料,通過(guò)CVD途徑首次合成了Na摻雜的單晶p型ZnO納米線。三種固態(tài)粉末混合以后置于氧化鋁坩堝中,用200目的鐵篩蓋上。在石英管中加熱到950℃并同時(shí)通入夾帶水蒸氣的Ar氣流。經(jīng)過(guò)1h的生長(zhǎng),在Ar氣的保護(hù)下冷卻到室溫,就可以在鐵篩下表面得到高質(zhì)量的p型ZnO納米線。PL譜顯示受體束縛激子發(fā)射峰在3.35eV,載子遷移率為2.1第8頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四實(shí)例分析綠色化學(xué)是用化學(xué)的原理、技術(shù)和方法從源頭上消除對(duì)人類健康、社區(qū)安全、生態(tài)環(huán)境有害的原料、催化劑、溶劑、反應(yīng)產(chǎn)物和副產(chǎn)物等的使用和產(chǎn)生。它的基本思想在于不使用有毒、有害物質(zhì),不產(chǎn)生廢物,是一門(mén)從源頭上阻止污染的綠色與可持續(xù)發(fā)展的化學(xué)。化學(xué)氣相沉積包括氣體反應(yīng)物在活性氣氛(加熱、光照、等離子體)下分解或者發(fā)生化學(xué)反應(yīng),然后形成穩(wěn)定的固態(tài)產(chǎn)物?;瘜W(xué)氣相沉積可以用來(lái)合成和制備分體材料、塊體材料、新晶體材料、陶瓷纖維、薄膜和鍍層材料等?;瘜W(xué)氣相沉積是一種原子層次的沉積方法,因此可以在較低的溫度下產(chǎn)生單層、多層、復(fù)合的、納米結(jié)構(gòu)的、功能梯度的鍍層材料,被廣泛的應(yīng)用在薄膜和鍍層的制備上。第9頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四由上述分析及實(shí)例可以看出,實(shí)例一、二符合綠色化學(xué)原理,具體表現(xiàn)在:A:所用原料無(wú)毒無(wú)害B:氣相沉積過(guò)程中可以有效防止廢物的產(chǎn)生C:原子層次的沉積方法符合“原子經(jīng)濟(jì)性”原理D:實(shí)例一、二中用到的石墨粉(實(shí)例二中還用到NaCl)是對(duì)實(shí)驗(yàn)本身高功效并且低環(huán)境毒性的化學(xué)品E:實(shí)驗(yàn)步驟簡(jiǎn)單,易于操作,便于處理,充分利用原料(實(shí)例一中巧妙實(shí)現(xiàn)兩種P源)F:實(shí)例一中并沒(méi)有采用溶劑等輔助物質(zhì),實(shí)例二中雖然用到了NaCl和Ar氣流,但也均是無(wú)毒無(wú)害的G:實(shí)驗(yàn)相對(duì)于一般的合成方法來(lái)說(shuō),反應(yīng)條件比較溫和,大大降低了能源消耗。從以上各點(diǎn)可以看出,以上兩個(gè)實(shí)例通過(guò)運(yùn)用綠色化學(xué)方法原理,合理有效地通過(guò)CVD方法完成了p型摻雜ZnO納米線的制備。第10頁(yè),共11頁(yè),2023年,2月20日,星期四參考文獻(xiàn):KelzenbergMD,BoettcherSW,PetykiewiczJA,etal.NatMater,2010,9(4):368.XiangB,WangP,ZhangX,eta

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