具有很細(xì)節(jié)距的三維NOR存儲器陣列：裝置和方法與流程

具有很細(xì)節(jié)距的三維NOR存儲器陣列：裝置和方法與流程三維NOR存儲器陣列是一種新型的存儲器技術(shù)，它具有較高的牢靠性和密度，可以充足當(dāng)前大數(shù)據(jù)時代對高效存儲的需求。下面將會認(rèn)真介紹三維NOR存儲器陣列的裝置和方法以及工藝流程。一、三維NOR存儲器陣列的裝置和方法1.裝置介紹三維NOR存儲器陣列重要包括多個層疊的存儲單元，每個存儲單元包括若干個垂直排列的存儲層和掌控晶體管。每個存儲層包括一個浮動?xùn)藕鸵粋€掌控柵，用于存儲數(shù)據(jù)和掌控電荷狀態(tài)。掌控晶體管和存儲單元之間通過接觸小孔相連接，用于掌控存儲單元中的電荷狀態(tài)。2.方法描述在三維NOR存儲器陣列中，數(shù)據(jù)存儲是基于鎖存現(xiàn)象來實現(xiàn)的。首先，在一個存儲單元中，兩個柵之間會形成一個二極管，等待被極化。然后，通過讀寫電壓的施加，可以掌控存儲單元的電荷狀態(tài)。當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時，掌控晶體管會將讀取電壓傳遞到對應(yīng)的存儲單元中，在存儲單元內(nèi)部，電荷會從浮動?xùn)欧D(zhuǎn)到掌控柵中，進行數(shù)據(jù)的讀取操作。當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時，通過掌控晶體管施加進一步的電壓，可以將電荷從掌控柵向浮動?xùn)呸D(zhuǎn)移，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入和更新。二、三維NOR存儲器陣列的工藝流程1.工藝介紹三維NOR存儲器陣列的工藝流程重要包括沉積、光刻、開窗、腐蝕、清洗等多個步驟。其中，沉積通過化學(xué)氣相沉積技術(shù)，將光阻覆蓋在基板上，用于形成儲存單元的基本結(jié)構(gòu)。光刻通過將光蠟照射在光刻機上，將圖形圖案投射到光刻片上，用于對基板進行加工處理。開窗通過將制作好的光刻片放在基板上，通過紫外線照射進行曝光，用于形成存儲單元區(qū)域和掌控電路區(qū)域的開窗。腐蝕通過將已經(jīng)開窗的基板放在腐蝕液中進行腐蝕處理，用于獲得儲存單元的形狀和深度。最后，清洗通過將加工好的基板進行清洗處理，去掉表面的殘留物和污漬，從而獲得最后的三維NOR存儲器陣列。2.工藝流程(1)基板清洗。將基板放入超純水缸中進行清洗，去除表面的污垢和雜質(zhì)。(2)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)制作。用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在基板上沉積SiO2薄膜，用于形成儲存單元的基本結(jié)構(gòu)。(3)光刻。將光蠟涂覆在SiO2表面，通過光刻機將圖案投射到光刻片上，用于對基板進行加工處理。(4)開窗。將制作好的光刻片放在基板上，通過紫外線照射進行曝光，用于形成存儲單元區(qū)域和掌控電路區(qū)域的開窗。(5)腐蝕。通過將已經(jīng)開窗的基板放在腐蝕液中進行腐蝕處理，用于獲得儲存單元的形狀和深度。(6)清洗。將加工好的基板進行清洗處理，去掉表面的殘留物和污漬，從而獲得最后的三維NOR存儲器陣列。三、總結(jié)三維NOR存儲器陣列是一種新型的存儲器技術(shù)，具有較高的牢靠性和密度。本文認(rèn)真介紹了三維NOR存儲器陣列的裝置和方法以