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CCD基本原理與應(yīng)用演示文稿現(xiàn)在是1頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD基本原理與應(yīng)用現(xiàn)在是2頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日實(shí)物圖像?圖像采集和處理的過(guò)程,最基本的是要把實(shí)物盡量真實(shí)地反映到虛擬的圖像上現(xiàn)在是3頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日如何準(zhǔn)確地描述一幅圖像?現(xiàn)在是4頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日感光芯片的設(shè)計(jì)思想:就是分割被描述區(qū)域,用相應(yīng)的灰度填充?,F(xiàn)在是5頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量(電壓)電荷現(xiàn)在是6頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量(電壓)電荷光源顯示設(shè)備A/D轉(zhuǎn)換光電轉(zhuǎn)換設(shè)備放大設(shè)備現(xiàn)在是7頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日實(shí)物圖像光子模擬量(電壓)電荷日光監(jiān)視器光電轉(zhuǎn)換設(shè)備放大設(shè)備模擬相機(jī)+監(jiān)視器現(xiàn)在是8頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量(電壓)電荷光源
PC存儲(chǔ)處理模擬采集卡光電轉(zhuǎn)換設(shè)備放大設(shè)備模擬相機(jī)+模擬采集卡現(xiàn)在是9頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日實(shí)物圖像數(shù)字量光子模擬量(電壓)電荷光源A/D轉(zhuǎn)換光電轉(zhuǎn)換設(shè)備放大設(shè)備
PC數(shù)字采集卡數(shù)字相機(jī)+數(shù)字采集卡現(xiàn)在是10頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日由于光電轉(zhuǎn)換設(shè)備和放大設(shè)備都是針對(duì)微觀的電荷進(jìn)行量化操作。就需要一個(gè)精密的器件來(lái)完成這兩個(gè)過(guò)程。我們常用的是
CCD
和CMOS現(xiàn)在是11頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日光電轉(zhuǎn)換電路放大A/D光子電子電壓數(shù)字信號(hào)CMOS芯片可以在像素上同時(shí)完成這兩個(gè)步驟CCD與CMOS的光電轉(zhuǎn)換示意圖由上圖可看出:CMOS和CCD最大的區(qū)別是CMOS的電荷到電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程是在每個(gè)像素上完成的CCD(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor)現(xiàn)在是12頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD與CMOS比較從以上的對(duì)比可以看出:CCD在圖像的質(zhì)量上更有優(yōu)勢(shì)。而常見(jiàn)的高速相機(jī)則會(huì)采用CMOS芯片。CCDCMOS電路更改方便固定速度慢快噪聲好差靈敏度好差功耗毫安級(jí)微安級(jí)成本高低現(xiàn)在是13頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD圖像傳感器現(xiàn)在是14頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日概述電荷耦合器件(ChargeCoupledDevices,簡(jiǎn)稱(chēng)CCD)是貝爾實(shí)驗(yàn)室的W.S.Boyle和G.E.Smith于1970年發(fā)明的,由于它有光電轉(zhuǎn)換、信息存儲(chǔ)、延時(shí)和將電信號(hào)按順序傳送等功能,且集成度高、功耗低,因此隨后得到飛速發(fā)展,是圖像采集及數(shù)字化處理必不可少的關(guān)鍵器件,廣泛應(yīng)用于科學(xué)、教育、醫(yī)學(xué)、商業(yè)、工業(yè)、軍事和消費(fèi)領(lǐng)域。現(xiàn)在是15頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日光學(xué)系統(tǒng)
CCD
圖像處理現(xiàn)在是16頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD結(jié)構(gòu)示意圖顯微鏡下的MOS元表面一、電荷耦合器件的結(jié)構(gòu)和工作原理1.基本結(jié)構(gòu)MOS(金屬—氧化物—半導(dǎo)體)
光敏元陣列電荷耦合器件是在半導(dǎo)體硅片上制作成百上千(萬(wàn))個(gè)光敏元,在半導(dǎo)體硅平面上光敏元按線陣或面陣有規(guī)則地排列?,F(xiàn)在是17頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日MOS電容
CCD是由規(guī)則排列的金屬—氧化物—半導(dǎo)體(MetalOxideSemiconductor,MOS)電容陣列組成。MetalOxideSemiconductor現(xiàn)在是18頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日MOS電容器的形成方法:在P型或N型單晶硅襯底上用氧化辦法生成一層厚度約為100~150nm的SiO2絕緣層,再在SiO2表面按一定層次蒸鍍一金屬電極或多晶硅電極,在襯底和電極間加上一個(gè)偏置電壓(柵極電壓),即形成了一個(gè)MOS電容器?,F(xiàn)在是19頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
2.電荷耦合器件的工作原理CCD光信息電脈沖脈沖只反映一個(gè)光敏元的受光情況脈沖幅度的高低反映該光敏元受光照的強(qiáng)弱輸出脈沖的順序可以反映一個(gè)光敏元的位置完成圖像傳感現(xiàn)在是20頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日特點(diǎn):以電荷作為信號(hào)CCD基本工作原理信號(hào)電荷的產(chǎn)生信號(hào)電荷的存貯信號(hào)電荷的轉(zhuǎn)移信號(hào)電荷的檢測(cè)CCD的基本功能是存儲(chǔ)與轉(zhuǎn)移信息電荷現(xiàn)在是21頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日光電導(dǎo)效應(yīng)(1)信號(hào)電荷的產(chǎn)生現(xiàn)在是22頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日信號(hào)電荷的產(chǎn)生(示意圖)金屬電極氧化物半導(dǎo)體e-e-e-e-e-e-e-光生電子入射光MOS電容器現(xiàn)在是23頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日當(dāng)金屬電極上加正電壓時(shí),由于電場(chǎng)作用,電極下P型硅區(qū)里空穴被排斥入地成耗盡區(qū)。對(duì)電子而言,是一勢(shì)能很低的區(qū)域,稱(chēng)“勢(shì)阱”。有光線入射到硅片上時(shí),光子作用下產(chǎn)生電子—空穴對(duì),空穴被電場(chǎng)作用排斥出耗盡區(qū),而電子被附近勢(shì)阱(俘獲)。(2)信號(hào)電荷的存儲(chǔ)現(xiàn)在是24頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日電極上所加的電壓越高,勢(shì)阱越深,電荷留在阱內(nèi)量越多。只要電壓存在,電子就能儲(chǔ)存在勢(shì)阱里。由于絕緣氧化物層使得電子不能穿過(guò)而到達(dá)電極,因此存貯在勢(shì)阱里的電子形成了電荷包,其電荷量的多少與光照強(qiáng)度及照射時(shí)間成正比,于是所有電極下的電荷包就組成了與景物相對(duì)應(yīng)的電荷像?,F(xiàn)在是25頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日信號(hào)電荷的存儲(chǔ)(示意圖)e-e-勢(shì)阱入射光MOS電容器+UGe-e-e-e-e-e-+Uthe-e-勢(shì)阱入射光MOS電容器+UGe-e-e-e-e-e-+UthUG<Uth
時(shí)UG>Uth
時(shí)現(xiàn)在是26頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日光滴小桶光敏元現(xiàn)在是27頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD的工作過(guò)程1.有一個(gè)光電轉(zhuǎn)換裝置把入射到每一個(gè)感光像素上的光子轉(zhuǎn)化為電荷?,F(xiàn)在是28頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD的工作過(guò)程2.這些電荷可以被儲(chǔ)存起來(lái)?,F(xiàn)在是29頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日這一過(guò)程存在著以下問(wèn)題:
當(dāng)一個(gè)像素聚集過(guò)多的電荷后,就會(huì)出現(xiàn)電荷溢出溢出的電荷會(huì)跑到相臨的像素勢(shì)阱里去。這樣電量就不能如實(shí)反映原物。要避免這種情況發(fā)生的方法:A把桶做大些B減少測(cè)量時(shí)間C把滿的水倒出一些D做個(gè)導(dǎo)流管,讓溢出的水流到地上去,不要流到其他桶里現(xiàn)在是30頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日對(duì)應(yīng)的方法:由此可見(jiàn),增大像素尺寸是最簡(jiǎn)單有效的做法。水桶CCD芯片缺點(diǎn)把桶做大增大單位像素尺寸減少測(cè)量時(shí)間縮短曝光時(shí)間對(duì)于暗的部分曝光不足把滿的水桶到出一些間歇開(kāi)關(guān)時(shí)鐘電壓降低速度做個(gè)導(dǎo)流管溢出溝道和溢出門(mén)制作復(fù)雜,且還有缺陷現(xiàn)在是31頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日當(dāng)一個(gè)CCD芯片感光完畢后,每個(gè)像素所轉(zhuǎn)換的電荷包就按照一行的方向轉(zhuǎn)移出CCD感光區(qū)域,以為下一次感光釋放空間。(3)信號(hào)電荷的轉(zhuǎn)移(耦合)現(xiàn)在是32頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日為實(shí)現(xiàn)信號(hào)電荷的轉(zhuǎn)換:
1、必須使MOS電容陣列的排列足夠緊密,以致相鄰MOS電容的勢(shì)阱相互溝通,即相互耦合。2、控制相鄰MOS電容柵極電壓高低調(diào)節(jié)勢(shì)阱深淺,使信號(hào)電荷由勢(shì)阱淺處流向勢(shì)阱深處。3、在CCD中電荷的轉(zhuǎn)移必須按照確定的方向。
現(xiàn)在是33頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD的工作過(guò)程3.電荷可以被有秩序地轉(zhuǎn)移出感光區(qū)域。現(xiàn)在是34頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
每個(gè)光敏元(像素)對(duì)應(yīng)三個(gè)相鄰的轉(zhuǎn)移柵電極1、2、3,所有電極彼此間離得足夠近,以保證使硅表面的耗盡區(qū)和電荷的勢(shì)阱耦合及電荷轉(zhuǎn)移。所有的1電極相連并施加時(shí)鐘脈沖φ1,所有的2、3也是如此,并施加時(shí)鐘脈沖φ2、φ3。這三個(gè)時(shí)鐘脈沖在時(shí)序上相互交迭。
三個(gè)時(shí)鐘脈沖的時(shí)序現(xiàn)在是35頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日勢(shì)阱的深淺由電極上所加電壓的大小決定。電荷在勢(shì)阱內(nèi)可以流動(dòng),它總是從相鄰淺阱里流進(jìn)深阱中,這種電荷流動(dòng)稱(chēng)為電荷轉(zhuǎn)移。若有規(guī)律改變電極電壓,則勢(shì)阱的深度就會(huì)隨之變化,勢(shì)阱內(nèi)電荷就可以按人為確定的方向轉(zhuǎn)移,直到最終由輸出端輸出?,F(xiàn)在是36頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
如何實(shí)現(xiàn)電荷定向轉(zhuǎn)移呢?下面以三相控制方式為例說(shuō)明控制電荷定向轉(zhuǎn)移的過(guò)程。P1P1P2P2P3P3tP1P1P2P2P3P3P1P1P2P2P3P3P1P1P2P2P3P3(a)Ф1Ф2Ф3t0t1t2t3Ф(b)電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程t=t0t=t1t=t2t=t30現(xiàn)在是37頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD芯片的構(gòu)造現(xiàn)在是38頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
三相控制是在線陣列的每一個(gè)像素上有三個(gè)金屬電極P1,P2,P3,依次在其上施加三個(gè)相位不同的控制脈沖Φ1,Φ2,Φ3,見(jiàn)圖(b)。當(dāng)P1極施加高電壓時(shí),在P1下方產(chǎn)生電荷包(t=t0);當(dāng)P2極加上同樣的電壓時(shí),由于兩電勢(shì)下面勢(shì)阱間的耦合,原來(lái)在P1下的電荷將在P1、P2兩電極下分布(t=t1);當(dāng)P1回到低電位時(shí),電荷包全部流入P2下的勢(shì)阱中(t=t2)。現(xiàn)在是39頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
然后,p3的電位升高,P2回到低電位,電荷包從P2下轉(zhuǎn)到P3下的勢(shì)阱(t=t3),以此控制,使P1下的電荷轉(zhuǎn)移到P3下。隨著控制脈沖的分配,少數(shù)載流子便從CCD的一端轉(zhuǎn)移到最終端。終端的輸出二極管搜集了少數(shù)載流子,送入放大器處理,便實(shí)現(xiàn)電荷移動(dòng)。現(xiàn)在是40頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日三相CCD的電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程示意圖電荷包轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)脈沖
像元Pn轉(zhuǎn)移方向
像元Pn+1像元Pn+2現(xiàn)在是41頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
CCD工作過(guò)程的第四步是電荷的檢測(cè),就是將轉(zhuǎn)移到輸出極的電荷轉(zhuǎn)化為電流或者電壓的過(guò)程。輸出類(lèi)型,主要有以下三種:
1)電流輸出
2)浮置柵放大器輸出
3)浮置擴(kuò)散放大器輸出
(4)信號(hào)電荷的檢測(cè)現(xiàn)在是42頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日現(xiàn)在是43頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD的工作過(guò)程4.信號(hào)電荷輸出,轉(zhuǎn)化成電流或電壓信號(hào)。現(xiàn)在是44頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日CCD的工作過(guò)程示意圖背照明光輸入1電荷生成2電荷存儲(chǔ)3電荷轉(zhuǎn)移復(fù)位輸出4電荷檢測(cè)半導(dǎo)體CCD傳感器現(xiàn)在是45頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日利用CCD的光電轉(zhuǎn)移和電荷轉(zhuǎn)移的雙重功能,得到幅度與各光生電荷包成正比的電脈沖序列,從而將照射在CCD上的光學(xué)圖像轉(zhuǎn)移成了電信號(hào)“圖像”。由于CCD能實(shí)現(xiàn)低噪聲的電荷轉(zhuǎn)移,并且所有光生電荷都通過(guò)一個(gè)輸出電路檢測(cè),且具有良好的—致性,因此,對(duì)圖像的傳感具有優(yōu)越的性能?,F(xiàn)在是46頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日二、CCD傳感器的結(jié)構(gòu)類(lèi)型
按照像素排列方式的不同,可以將CCD分為線陣和面陣兩大類(lèi)?,F(xiàn)在是47頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
一個(gè)完整的CCD器件由光敏元、轉(zhuǎn)移柵、移位寄存器及一些輔助輸入、輸出電路組成。CCD工作時(shí),在設(shè)定的積分時(shí)間內(nèi),光敏元對(duì)光信號(hào)進(jìn)行取樣,將光的強(qiáng)弱轉(zhuǎn)換為各光敏元的電荷量。取樣結(jié)束后,各光敏元的電荷在轉(zhuǎn)移柵信號(hào)驅(qū)動(dòng)下,轉(zhuǎn)移到CCD內(nèi)部的移位寄存器相應(yīng)單元中。移位寄存器在驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的作用下,將信號(hào)電荷順次轉(zhuǎn)移到輸出端。輸出信號(hào)可接到示波器、圖象顯示器或其他信號(hào)存儲(chǔ)、處理設(shè)備中,可對(duì)信號(hào)再現(xiàn)或進(jìn)行存儲(chǔ)處理。感光和電荷輸出過(guò)程是分開(kāi)的,可避免相互影響。
(1)線陣CCD現(xiàn)在是48頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日電荷輸出控制波形現(xiàn)在是49頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
轉(zhuǎn)移次數(shù)多、效率低。只適用于像素單元較少的成像器件。
轉(zhuǎn)移次數(shù)減少一半,它的總轉(zhuǎn)移效率也提高為原來(lái)的兩倍。轉(zhuǎn)移柵像敏單元CCD移位寄存器像敏單元轉(zhuǎn)移柵轉(zhuǎn)移柵
單溝道線陣CCD
雙溝道線陣CCD現(xiàn)在是50頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日線陣CCD每次掃描一條線為了得到整個(gè)二維圖像的視頻信號(hào),就必須用掃描的方法實(shí)現(xiàn)?,F(xiàn)在是51頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日(2)面陣CCD
按照一定的方式將一維線陣CCD的光敏單元及移位寄作器排列成二維陣列。就可以構(gòu)成二維面陣CCD?,F(xiàn)在是52頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日面陣CCD同時(shí)曝光整個(gè)圖像現(xiàn)在是53頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日Fullframetransfer(全幀轉(zhuǎn)移)芯片的每一個(gè)像素都感光。傳輸時(shí),每一列向單行串行寄存器上相對(duì)應(yīng)的位置轉(zhuǎn)移。同時(shí),串行寄存器向陣列的出口轉(zhuǎn)移。轉(zhuǎn)移方式現(xiàn)在是54頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日SerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayFullFrame現(xiàn)在是55頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是56頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是57頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayADC現(xiàn)在是58頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是59頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArrayADC現(xiàn)在是60頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是61頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameADCSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是62頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是63頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameADCSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是64頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日FullFrameSerialRegisterPreamplifierOutputNodeActiveArray現(xiàn)在是65頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日彩色的形成利用BAYER濾光片,讓相臨四個(gè)像素分別只能接收一色光。每個(gè)像素輸出的信息只是相應(yīng)色光的灰度值,之后通過(guò)軟件合成為彩色。每四個(gè)像素形成一個(gè)單元,一個(gè)負(fù)責(zé)過(guò)濾紅色、一個(gè)過(guò)濾藍(lán)色,兩個(gè)過(guò)濾綠色(因?yàn)槿搜蹖?duì)綠色比較敏感)現(xiàn)在是66頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日彩色CCD顯微照片(放大7000倍)現(xiàn)在是67頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日現(xiàn)在是68頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日三、CCD傳感器發(fā)展?fàn)顩r(一)概述
自1970年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室成功研制第一只電荷耦合器件(CCD)以來(lái),依靠業(yè)已成熟的MOS集成電路工藝,CCD技術(shù)得以迅猛發(fā)展。
其應(yīng)用涉及到航空、航天、遙感、衛(wèi)星偵察、天文觀測(cè)、通訊、交通、機(jī)械、電子、計(jì)算機(jī)、機(jī)器人視覺(jué)、新聞、廣播、金融、醫(yī)療、出版、印刷、紡織、醫(yī)學(xué)、食品、照相、文教、公安、保衛(wèi)、家電、旅游等各個(gè)領(lǐng)域?,F(xiàn)在是69頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日(二)CCD生產(chǎn)廠家目前有能力生產(chǎn)CCD的國(guó)外廠家有:國(guó)家廠家日本SONY,F(xiàn)UJIFILM(富士膠片),Panasonic,SANYO,Sharp美國(guó)Kodak(柯達(dá)),貝爾實(shí)驗(yàn)室荷蘭Philips法國(guó)湯姆遜無(wú)線電公司(CSF),EEV公司英國(guó)英國(guó)通用電氣公司(GEC)現(xiàn)在是70頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日我國(guó)的CCD研制工作起步較晚,目前整體落后于日歐美等國(guó),但是發(fā)展?jié)摿艽蟆?/p>
嫦娥二號(hào)攜帶的CCD立體攝像機(jī)現(xiàn)在是71頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于星期日
提高分辨率與單純?cè)黾酉袼財(cái)?shù)之間存在著一種矛盾。富士公司對(duì)人類(lèi)視覺(jué)進(jìn)行了全面研究,研制出了超級(jí)CCD(SuperCCD)。(三)特殊CCD的發(fā)展1.超級(jí)CCD傳統(tǒng)CCD超級(jí)CCD現(xiàn)在是72頁(yè)\一共有78頁(yè)\編輯于
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