材料物理知到章節(jié)答案智慧樹(shù)2023年南開(kāi)大學(xué)

材料物理知到章節(jié)測(cè)試答案智慧樹(shù)2023年最新南開(kāi)大學(xué)第一章測(cè)試比較堿金屬元素Li、Na、K、Rb、Cs的費(fèi)密能大?。ǎ?/p>

參考答案:

Li＞Na＞K＞Rb＞Cs對(duì)于二維正方格子，第一布里淵區(qū)角上π/a(1,1)的自由電子動(dòng)能是區(qū)邊中心點(diǎn)π/a(1,0)的幾倍（）

參考答案:

2霍爾系數(shù)只與金屬中的（）有關(guān)。

參考答案:

自由電子密度量子自由電子學(xué)說(shuō)認(rèn)為自由電子的行為服從（）

參考答案:

Fermi-Dirac統(tǒng)計(jì)規(guī)律費(fèi)密能EF表示T＞0K時(shí)電子占有幾率為（）的能級(jí)能量

參考答案:

1/2下圖中二維正方格子的第二布里淵區(qū)的形狀為（）

參考答案:

****三維晶體的布里淵區(qū)的界面構(gòu)成一多面體，下圖中為體心立方晶格第一布里淵區(qū)的為（）

參考答案:

****計(jì)算能量為54eV電子的德布羅意波長(zhǎng)以及它的波數(shù)（）

參考答案:

1.67×10-10m，3.76×1010m-如電子占據(jù)某一能級(jí)的幾率為1/4，另一能級(jí)被占據(jù)的幾率為3/4，分別計(jì)算兩個(gè)能級(jí)的能量比費(fèi)密能高出多少kT（）

參考答案:

1.099kT，-1.099kTCu的密度8.92g/cm3，原子量為63.55，計(jì)算Cu的EF0（）

參考答案:

7eVNa的密度1.013g/cm3，原子量為22.99，計(jì)算Na在0K時(shí)自由電子的平均能量（）

參考答案:

1.95eV體心立方格子的倒格子是面心立方，倒格矢的長(zhǎng)度(基矢的長(zhǎng)度)為（）

參考答案:

2π/a以四價(jià)原子、二維正方空晶格為例計(jì)算自由電子的費(fèi)密波矢為（）

參考答案:

****下圖屬于四價(jià)原子二維正方格子的近自由電子費(fèi)密面的是（）

參考答案:

****第二章測(cè)試已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10-8cm，固有振動(dòng)頻率為1012Hz，晶格勢(shì)能壘為0.5eV，求300K時(shí)的離子遷移率為（）。

參考答案:

6.19×10-11cm2/s·V已知NaCl的A1=5.0×107s·m-1，W1=169kJ/mol，A2=50s·m-1，W2=82kJ/mol；計(jì)算在300K時(shí)的電導(dǎo)率。（）

參考答案:

2.7×10-13s·m-1硫化鉛晶體的禁帶寬度為0.35eV，等效狀態(tài)密度N=8.8×1018/cm3,計(jì)算300K時(shí)硫化鉛價(jià)帶空穴濃度和導(dǎo)帶電子的濃度。（k=8.6×10-5eV/K）（）

參考答案:

1×1014/cm3單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV，等效狀態(tài)密度N=1.0×1019/cm3,求在273K時(shí)該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為（）。

參考答案:

6.7×108/cm3n型半導(dǎo)體導(dǎo)帶的有效狀態(tài)密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的濃度為ND=1.0×1021/cm3,導(dǎo)帶的最低能級(jí)為1.10eV，施主原子的局域能級(jí)為1.00eV，求該n型半導(dǎo)體導(dǎo)帶中的電子濃度和費(fèi)米能級(jí)，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定價(jià)帶頂?shù)哪芗?jí)為0.0eV。（）

參考答案:

1.44×1019/cm3,0.56eV已知室溫下硅的本征載流子密度ni=1.5′1010cm-3，試求摻磷濃度為1.5′1013cm-3，摻硼濃度為1.0′1013cm-3的硅樣品在室溫?zé)崞胶鉅顟B(tài)下的電子密度n0、空穴密度p0和費(fèi)米能級(jí)的位置（Ec-EF）。已知此時(shí)硅中雜質(zhì)原子已全部電離，硅的導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂有效態(tài)密度分別為2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。()

參考答案:

n0=5′1012cm-3,p0=4.5′107cm-3,Ec-EF=0.404eV透輝石CaMg[Si2O6]硅酸鹽礦結(jié)構(gòu)屬何種結(jié)構(gòu)類(lèi)型？（）

參考答案:

鏈狀,單鏈方鎂石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常數(shù)是0.42nm，計(jì)算MgO中每個(gè)晶胞中肖特基缺陷的數(shù)目（MgO為立方晶系，1個(gè)MgO晶胞中有4個(gè)MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（）

參考答案:

0.04在CaF2晶體中，弗蘭克爾缺陷形成能為2.8eV，肖特基缺陷的生成能為5.5eV，計(jì)算在25℃時(shí)熱缺陷的濃度？（）

參考答案:

2.21×10-24在CaF2晶體中，弗蘭克爾缺陷形成能為2.8eV，肖特基缺陷的生成能為5.5eV，計(jì)算在1600℃時(shí)熱缺陷的濃度？（）

參考答案:

1.72×10-4高溫結(jié)構(gòu)材料Al2O3可以用ZrO2來(lái)實(shí)現(xiàn)增韌，也可以用MgO來(lái)促進(jìn)Al2O3的燒結(jié)，如加入0.2mol%ZrO2，固溶體分子式為：（）

參考答案:

Al1.998Zr0.002O3.001TiO2等金屬氧化物，在還原氣體中焙燒時(shí)，還原氣氛奪取了TiO2中的部分氧在晶格中產(chǎn)生氧空位。每個(gè)氧離子在離開(kāi)晶格時(shí)要交出兩個(gè)電子。這兩個(gè)電子可將兩個(gè)Ti4+還原成Ti3+，但三價(jià)Ti3+離子不穩(wěn)定，會(huì)恢復(fù)四價(jià)放出兩個(gè)電子，由于氧離子缺位，分子表達(dá)式為T(mén)iO2-x。此時(shí)電子濃度、氧空位濃度和氧分壓的關(guān)系為：（）

參考答案:

****已知CaO的肖特基缺陷生成能為6ev，欲使Ca2+在CaO中的擴(kuò)散直至CaO的熔點(diǎn)（2600℃）都是非本征擴(kuò)散，要求三價(jià)雜質(zhì)離子的濃度是多少？（）

參考答案:

1.1×10-5空位隨溫度升高而增加，在和之間，由于熱膨脹bcc鐵的晶格常數(shù)增加0.51%，而密度減少2.0%，假設(shè)在時(shí)，此金屬中每1000個(gè)單位晶胞中有1個(gè)空位，試估計(jì)在時(shí)每1000個(gè)單位晶胞中有多少個(gè)空位？（bcc鐵單位晶胞中有2個(gè)原子，假設(shè)晶格不變）（）

參考答案:

11在（773K）所做擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)指出，在金屬1010個(gè)原子中有一個(gè)原子具有足夠的激活能可以跳出其平衡位置而進(jìn)入間隙位置，在時(shí)，此比例會(huì)增加到109，問(wèn)：（1）此跳躍所需要的激活能？（2）在（973K）具有足夠能量的原子所占的比例為多少？()

參考答案:

①2.14×10-19J/atom②6.2×10-9設(shè)有一條內(nèi)徑為30mm的厚壁管道，被厚度為0.1mm的鐵膜隔開(kāi)，通過(guò)向管子一端向管內(nèi)輸入氮?dú)猓员３帜て粋?cè)氮?dú)鉂舛葹?200mol/m3，而另一側(cè)的氮?dú)鉂舛葹?00mol/m3。如在700℃下測(cè)得通過(guò)管道的氮?dú)饬髁繛?.8×10-4mol/s，求此時(shí)氮?dú)庠阼F中的擴(kuò)散系數(shù)。()

參考答案:

3.6×10-12m2/s根據(jù)下圖中金屬的相圖以及電阻率與狀態(tài)關(guān)系示意圖，表示形成連續(xù)固溶體電阻率變化情況的是（）。

參考答案:

****如果對(duì)某試樣測(cè)得的霍爾系數(shù)RH為正值，則其電導(dǎo)載流子為電子。（）

參考答案:

錯(cuò)因?yàn)榻饘僦凶杂呻娮訚舛群艽螅h(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)半導(dǎo)體的載流子密度，故半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)大于金屬。（）

參考答案:

對(duì)離子晶體中的離子電導(dǎo)常溫下以本征電導(dǎo)為主，高溫下以雜質(zhì)電導(dǎo)為主。（）

參考答案:

錯(cuò)下列離子晶體：氟化鈉、氯化鈉、溴化鈉、碘化鈉中離子電導(dǎo)率的大小為。（）

參考答案:

錯(cuò)電子導(dǎo)電材料中溫度對(duì)載流子遷移率的影響為：低溫下雜質(zhì)離子對(duì)電子的散射起主要作用，高溫下聲子對(duì)電子的散射起主要作用。（）

參考答案:

對(duì)金屬的電導(dǎo)率隨溫度的升高而升高；無(wú)機(jī)非金屬材料的電導(dǎo)率隨溫度的升高而降低。（）

參考答案:

錯(cuò)寫(xiě)出鈦酸鋇BaTiO3中摻入氧化鑭（La2O3）的缺陷化學(xué)方程式為，并判斷其電導(dǎo)屬性為n型半導(dǎo)體。（）

參考答案:

對(duì)比較下列幾種玻璃的電導(dǎo)率的大小關(guān)系：純石英玻璃、5.0%氧化鈉玻璃、6.0%氧化鈉玻璃、3.0%氧化鈉和3.0%氧化鉀玻璃、3.0%氧化鈉和3.0%氧化鈣玻璃、6.0%氧化鈣玻璃電流吸收現(xiàn)象發(fā)生在離子電導(dǎo)為主的陶瓷材料中，電子性電導(dǎo)體沒(méi)有電流吸收現(xiàn)象，因?yàn)殡娮舆w移率很高，無(wú)法形成空間電荷。（）

參考答案:

對(duì)當(dāng)表面能級(jí)低于半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)，即為受主表面能能級(jí)時(shí)，從半導(dǎo)體內(nèi)部俘獲電子而帶負(fù)電，內(nèi)層帶正電在表面附近形成表面空間電荷層。（）

參考答案:

對(duì)空間電荷層形成耗盡層，材料表面電導(dǎo)率降低。（）

參考答案:

對(duì)n-型半導(dǎo)體負(fù)電吸附，p-型半導(dǎo)體正電吸附，表面電導(dǎo)率增加。（）

參考答案:

錯(cuò)在p-n結(jié)兩端接電壓時(shí)可以形成正偏壓和負(fù)偏壓。P區(qū)接負(fù)極，n區(qū)接正極，形成正偏壓。（）

參考答案:

錯(cuò)處于超導(dǎo)態(tài)的超導(dǎo)體是一抗磁體，此時(shí)超導(dǎo)體具有屏蔽磁場(chǎng)和排除磁通的功能。（）

參考答案:

對(duì)導(dǎo)體從正常態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槌瑢?dǎo)態(tài)的溫度是超導(dǎo)體的臨界溫度Tc。（）

參考答案:

對(duì)俘獲了空穴的陽(yáng)離子空位為F心。（）

參考答案:

錯(cuò)同一種晶體中電子的遷移率μe大于空穴的遷移率μh。（）

參考答案:

錯(cuò)金屬氧化物MO中氧原子過(guò)剩時(shí)形成n型半導(dǎo)體，金屬原子過(guò)剩時(shí)形成p型半導(dǎo)體。（）

參考答案:

錯(cuò)在半導(dǎo)體硅中雜質(zhì)P起施主作用；Al起受主作用，同時(shí)含磷和鋁，但鋁濃度高的Si是p型半導(dǎo)體。（）

參考答案:

對(duì)一種半導(dǎo)體E(k)曲線(xiàn)的導(dǎo)帶底曲率大于其價(jià)帶頂曲率,由此知其電子有效質(zhì)量小于空穴有效質(zhì)量，其電子遷移率大于空穴遷移率。（）

參考答案:

對(duì)II-VI族化合物ZnS半導(dǎo)體中的非金屬原子空位起施主作用。（）

參考答案:

對(duì)化合物半導(dǎo)體的禁帶寬度一般隨平均原子系數(shù)的增加而變窄，如GaN＞GaP。（）

參考答案:

對(duì)GaN比GaAs的禁帶寬度寬；這與N比As的電負(fù)性強(qiáng)有關(guān)。（）

參考答案:

對(duì)砷化鎵中替代鎵位的硅原子起施主作用；這樣的砷化鎵是n型半導(dǎo)體。（）

參考答案:

對(duì)EF－EC≥0的半導(dǎo)體叫簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，其施主濃度高于導(dǎo)帶底等效態(tài)密度。（）

參考答案:

對(duì)半導(dǎo)體中費(fèi)米能級(jí)隨著溫度的升高向禁帶中央移動(dòng)，隨著雜質(zhì)濃度的提高向禁帶邊沿移動(dòng)。（）

參考答案:

對(duì)如果CaF2晶體中，含有百萬(wàn)分之一的YF3雜質(zhì)，則在1600℃時(shí)，CaF2晶體中是熱缺陷濃度小于雜質(zhì)缺陷濃度（CaF2晶體中弗蘭克爾缺陷形成能為2.8eV，肖特基缺陷的生成能為5.5eV）？（）

參考答案:

錯(cuò)在一種還原性氣氛中加熱的WO3晶體中，氧空位VO..和W(V)缺陷占優(yōu)勢(shì)。（）

參考答案:

對(duì)下述缺陷反應(yīng)方程正確：。（）

參考答案:

對(duì)ZnO屬六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每個(gè)晶胞中含有2個(gè)ZnO分子，測(cè)得晶體密度為5.606g/cm3，這種情況下產(chǎn)生間隙型固溶體。（）

參考答案:

錯(cuò)晶體產(chǎn)生Frenkel缺陷時(shí)，晶體體積變大，晶體密度變小。（）

參考答案:

錯(cuò)在MgO中形成Schottky缺陷時(shí)，缺陷反應(yīng)式為。（）

參考答案:

對(duì)少量CaCl2在KCl中形成固溶體后，實(shí)測(cè)密度值隨Ca2+離子數(shù)/K＋離子數(shù)比值增加而減少，由此可判斷其缺陷反應(yīng)式為。（）

參考答案:

對(duì)參考答案:

對(duì)氧化性氣氛生成p型半導(dǎo)體，以下缺陷反應(yīng)生成陽(yáng)離子空位（Ma-yXb）型非化學(xué)計(jì)量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）

參考答案:

對(duì)亞間隙機(jī)構(gòu)與空位機(jī)構(gòu)相比，造成的晶格變形大；與間隙機(jī)構(gòu)相比，晶格變形小。AgBr晶體中的間隙Ag+的擴(kuò)散，螢石型結(jié)構(gòu)UO2+x晶體中間隙O2-的擴(kuò)散屬于亞間隙擴(kuò)散機(jī)構(gòu)。（）

參考答案:

對(duì)研究堿鹵化合物的電導(dǎo)激活能發(fā)現(xiàn)，負(fù)離子半徑增大，其正離子激活能顯著降低，這樣離子電導(dǎo)率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（）

參考答案:

錯(cuò)陽(yáng)離子電荷高低對(duì)活化能也有影響。一價(jià)陽(yáng)離子尺寸小，電荷少，活化能低，電導(dǎo)率大；相反，高價(jià)正離子，價(jià)鍵強(qiáng)，激活能高，故遷移率就低，電導(dǎo)率也低。（）

參考答案:

對(duì)若把溫度T從超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度下降,則超導(dǎo)體的臨界磁場(chǎng)也隨之增加。（）

參考答案:

對(duì)如果輸入電流所產(chǎn)生的磁場(chǎng)與外加磁場(chǎng)之和超過(guò)超導(dǎo)體的臨界磁場(chǎng)Bc時(shí),則超導(dǎo)態(tài)被破壞。（）

參考答案:

對(duì)第三章測(cè)試一塊1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介質(zhì)，其電容為2.4*10-6μF，損耗因子tgδ為0.02。求相對(duì)介電常數(shù)（）

參考答案:

3.39CsBr晶體具有類(lèi)似于CsCl晶體的晶體結(jié)構(gòu)（每個(gè)CsBr晶胞中含有一對(duì)離子），已知CsBr晶體的晶格常數(shù)為a=0.430nm，離子和離子的電子極化率分別為3.35×和4.5×，離子對(duì)的平均離子極化率為5.8×。求在低頻下的介電常數(shù)是多少？()

參考答案:

6.33氧離子的半徑為，計(jì)算氧原子的電子位移極化率。按式代入相應(yīng)的數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算。（）

參考答案:

****已知CO2在T＝300K時(shí)，，，n=1.000185，求其固有的偶極矩。（）

參考答案:

****在某一種偶極子氣體中，若每個(gè)偶極子的極化強(qiáng)度為1Debye，計(jì)算在室溫下使此氣體達(dá)到取向極化飽和值時(shí)所需要的電場(chǎng)。已知，，。（）

參考答案:

****已知He原子（單原子氣體）的極化率為，計(jì)算在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，其介電常數(shù)及折射率n。()

參考答案:

****由介質(zhì)的的徳拜方程求和的頻率關(guān)系式。()

參考答案:

****在居里溫度(120℃)以上，鈦酸鋇屬于等軸晶系，晶格常數(shù)，已知O2-離子半徑為.求兩個(gè)O離子間的空隙。（）

參考答案:

****以下哪一項(xiàng)時(shí)用矩陣表示的鈦酸鋇晶體壓電常數(shù)。（）

參考答案:

****鈦酸鋇晶體的獨(dú)立的壓電常數(shù)為哪三個(gè)？（）

參考答案:

d15、d31和d33結(jié)合電子位移極化率的公式判斷，離子體積越大其電子位移極化率越大。（）

參考答案:

對(duì)電子很輕,它們對(duì)電場(chǎng)的反應(yīng)很快,可以以光頻跟隨外電場(chǎng)變化。（）

參考答案:

對(duì)離子位移極化和電子位移極化的表達(dá)式一樣，都具有彈性偶極子的極化性質(zhì)，由于離子質(zhì)量遠(yuǎn)高于電子質(zhì)量,因此極化建立的時(shí)間也較電子慢。（）

參考答案:

對(duì)頻率很高時(shí)，無(wú)松弛極化，只存在電子和離子位移極化。（）

參考答案:

對(duì)由樣品的電容充電所造成的電流，簡(jiǎn)稱(chēng)電容電流，引起的損耗稱(chēng)為電導(dǎo)損耗。（）

參考答案:

錯(cuò)在直流電下，介質(zhì)損耗不僅與自由電荷的電導(dǎo)有關(guān)，還與松弛極化過(guò)程有關(guān)，所以它不僅決定于自由電荷電導(dǎo)，還與束縛電荷產(chǎn)生有關(guān)（與頻率有關(guān)的量）。（）

參考答案:

錯(cuò)在溫度很低的范圍內(nèi),隨溫度上升,減小,因而均下降。（）

參考答案:

錯(cuò)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率ω很低,即ω→0,介質(zhì)的各種極化機(jī)制都能跟上電場(chǎng)的變化,此時(shí)不存在極化損耗,相對(duì)介電常數(shù)最大。()

參考答案:

對(duì)矯頑場(chǎng)強(qiáng)和飽和場(chǎng)強(qiáng)隨溫度升高而降低。所以在一定條件下，極化溫度較高,可以在較低的極化電壓下達(dá)到同樣的效果。()

參考答案:

對(duì)一般材料,在高溫、低頻下,主要為電離損耗,在常溫、高頻下,主要為松馳極化損耗,在高頻、低溫下主要為結(jié)構(gòu)損耗。（）

參考答案:

錯(cuò)一般在外電場(chǎng)用下(人工極化)，90°電疇轉(zhuǎn)向比較充分，同時(shí)由于“轉(zhuǎn)向”時(shí)結(jié)構(gòu)畸變小，內(nèi)應(yīng)力小，因而這種轉(zhuǎn)向比較穩(wěn)定，而180°電疇的轉(zhuǎn)向是不充分的。（）

參考答案:

錯(cuò)石英晶體有壓電效應(yīng)，但無(wú)自發(fā)極化，所以它是壓電晶體，而不是鐵電體。鈦酸鋇晶體具有自發(fā)極化，又有壓電效應(yīng)，所以鈦酸鋇晶體被稱(chēng)為鐵電晶體。（）

參考答案:

對(duì)結(jié)晶各向異性隨溫度升高而降低，自發(fā)極化重新取向克服的應(yīng)力阻抗較小;同時(shí)由于熱運(yùn)動(dòng)，電疇運(yùn)動(dòng)能力加強(qiáng)，所以在極化電場(chǎng)和時(shí)間一定的條件下，極化溫度高電疇取向排列較易，極化效果好。（）

參考答案:

對(duì)第四章測(cè)試下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（）。

參考答案:

在材料中加入乳濁劑時(shí)，乳濁劑的折射率應(yīng)當(dāng)與基體的折射率接近。以下哪種材料的折射率最大？（）

參考答案:

PbS某種介質(zhì)的吸收系數(shù)αa=0.32cm-1，透射光強(qiáng)為入射光強(qiáng)的10%時(shí)，該介質(zhì)的厚度為（）cm。

參考答案:

7.20ZnS禁帶寬度為3.6eV，ZnS中雜質(zhì)形成的陷阱能級(jí)為導(dǎo)帶下的1.38eV，試計(jì)算發(fā)光波長(zhǎng)并確定發(fā)光類(lèi)型。（）

參考答案:

560nm，磷光如圖所示，穿過(guò)偏振片B的偏振光強(qiáng)度為I0，不計(jì)偏振片對(duì)光能量的吸收，透過(guò)檢偏器N的出射光強(qiáng)為，則偏振片B與N的夾角為（）

參考答案:

60°某種材料在空氣中的布儒斯特角為58°，求該材料的折射率（空氣的折射率約為1）。（）

參考答案:

1.600.85μm波長(zhǎng)在光纖中傳播，該光纖材料色散為0.1ns/km·nm，那么，0.825μm和0.875μm光源的延時(shí)差是多少ns/km？（）

參考答案:

5判斷題均勻的介質(zhì)（折射率n處處相等）可以發(fā)生散射。（）

參考答案:

錯(cuò)發(fā)磷光的材料往往含有雜質(zhì)并在能隙附近建立了施主能級(jí)。（）

參考答案:

對(duì)Cr2+吸收紅、橙、黃及紫光，讓藍(lán)、綠光通過(guò)。（）

參考答案:

錯(cuò)要使LED發(fā)光，有源層的半導(dǎo)體材料必須是直接帶隙材料。（）

參考答案:

對(duì)對(duì)于激光器，三能級(jí)系統(tǒng)比四能級(jí)系統(tǒng)工作效率更高。（）

參考答案:

錯(cuò)作為紅外透過(guò)材料使用時(shí)，晶體的透過(guò)長(zhǎng)波限較大。（）

參考答案:

對(duì)非線(xiàn)性光學(xué)晶體的主要應(yīng)用是激光頻率轉(zhuǎn)換。（）

參考答案:

對(duì)第五章測(cè)試氣孔對(duì)固體的摩爾熱容，體積熱容有無(wú)影響？（）

參考答案:

摩爾熱容與氣孔無(wú)關(guān)，體積熱容須考慮氣孔Li、Na、K、Rb、Cs、Fr的IA族的熱膨脹系數(shù)α隨原子序數(shù)增加而，其余主族都隨原子序數(shù)增加，α。（）

參考答案:

減小，減小；光子熱傳導(dǎo)的表示方法正確的是（）

參考答案:

****下列四種物質(zhì)，導(dǎo)熱率最小的是（）

參考答案:

ZrO金剛石、硅和鍺導(dǎo)熱率的大小順序?yàn)椋ǎ?/p>

參考答案:

λ金剛石＞λ硅＞λ鍺如果二氧化鈦多晶材料中含有5.00%體積的氣孔，假定無(wú)氣孔二氧化鈦多晶在1000℃下的熱導(dǎo)率為0.0400J/(s·cm·℃)，試計(jì)算這種材料的熱導(dǎo)率大約是多少?()

參考答案:

0.0380J/(s·cm·℃)Al2O3的一些基本性能參數(shù)為：α=7.4×10-6/℃;σf=345MPa.E=379GPa,μ=0.22.則其第一及熱沖擊斷裂抵抗因子R的值為（）℃。

參考答案:

96單晶氧化鋁、致密多晶氧化鋁、多孔燒結(jié)氧化鋁、粉體氧化鋁的熱導(dǎo)率從大到小的順序依次為（）

參考答案:

單晶氧化鋁、致密多晶氧化鋁、多孔燒結(jié)氧化鋁、粉體氧化鋁在單晶體、多晶體、多孔燒結(jié)體、纖維和粉末五種材料中，哪幾種常用作隔熱保溫材料？（）

參考答案:

多孔燒結(jié)體、纖維、粉末一熱機(jī)部件由反應(yīng)燒結(jié)氮化硅（第一熱應(yīng)力因子R=547℃）制成，一些基本性能參數(shù)如下：熱導(dǎo)率λ=0.184J/(cm·s·℃)，α=2.5×10-6/℃;σf=310MPa.E=172GPa,μ=0.24.則其第一及第二熱沖擊斷裂抵抗因子的值分別為（）

參考答案:

547℃，100.65J/(cm·s)判斷題高溫時(shí)固體熱容服從德拜T3定律，低溫時(shí)固體熱容服從杜隆-珀替定律。（）

參考答案:

錯(cuò)氧化鋯在1000℃附近發(fā)生晶型的轉(zhuǎn)變，會(huì)造成4%左右的體積變化，使所組成的材料的熱穩(wěn)定性降低，加入MgO、CaO、Y2O3等氧化物作為穩(wěn)定劑，與ZrO2形成立方晶型的固溶體，能做成穩(wěn)定的氧化鋯。（）

參考答案:

對(duì)聲子平均自由程越大，晶體熱導(dǎo)率越小。（）

參考答案:

錯(cuò)晶體中的缺陷、雜質(zhì)和晶粒界面都會(huì)引起格波的散射，等效于聲子平均自由程的減少?gòu)亩档蜔釋?dǎo)率。（）

參考答案:

對(duì)同種物質(zhì)的單晶體與多晶體相比，單晶體的熱導(dǎo)率低。（）

參考答案:

錯(cuò)晶體和非晶體材料的導(dǎo)熱系數(shù)在高溫時(shí)比較接近。（）

參考答案:

對(duì)在較高溫度下，固溶體材料的熱導(dǎo)率的雜質(zhì)效應(yīng)與溫度無(wú)關(guān)。（）

參考答案:

錯(cuò)在不改變材料結(jié)構(gòu)的情況下，氣孔率的增大總是使材料的熱導(dǎo)率升高。（）

參考答案:

錯(cuò)低溫時(shí)有較高熱導(dǎo)率的材料的熱導(dǎo)率隨溫度的升高而降低，低溫時(shí)有較低熱導(dǎo)率的材料的熱導(dǎo)率隨溫度的升高而升高。（）

參考答案:

對(duì)建筑材料、黏土質(zhì)耐火磚、保溫磚的熱導(dǎo)率隨溫度的升高而線(xiàn)性降低。（）

參考答案:

錯(cuò)第六章測(cè)試當(dāng)正型尖晶石CdFe2O4摻入反型尖晶石如磁鐵礦Fe3O4時(shí)，Cd離子仍保持正型分布。試計(jì)算下列組成的磁矩：CdzFe3O4。（）

參考答案:

z=0，μ=4μB反型尖晶石結(jié)構(gòu)Zn0.2Mn0.8Fe2O4的單位體積飽和磁矩為（）

參考答案:

4μB下列的磁性中屬于強(qiáng)磁性的是（）

參考答案:

亞鐵磁性下列說(shuō)法中不正確的是（）

參考答案:

亞鐵磁性在宏觀性能上與鐵磁性類(lèi)似，區(qū)別在于亞鐵磁性材料的飽和磁化強(qiáng)度比鐵磁性的高一個(gè)波爾磁子的大小為（）

參考答案:

****一環(huán)形電流具有的磁矩，則將其放入磁感應(yīng)強(qiáng)度的磁場(chǎng)中，則其收到力矩J大小為（）

參考答案:

****從對(duì)磁疇組織的觀察中，可以看到有的磁疇大而長(zhǎng)，稱(chēng)為主疇，其自發(fā)磁化方向必定沿晶體的易磁化方向。（）

參考答案:

對(duì)在外磁場(chǎng)存在下材料內(nèi)磁化強(qiáng)度為負(fù)時(shí)，固體表現(xiàn)為抗磁性。（）

參考答案:

對(duì)物質(zhì)磁性的來(lái)源是電子軌道磁矩和電子自旋磁矩，電子自旋磁矩為主。（）

參考答案:

對(duì)外磁場(chǎng)使物質(zhì)中的磁矩有規(guī)則取向，使物質(zhì)表現(xiàn)出宏觀磁性。（）

參考答案:

對(duì)鐵磁性的本質(zhì)是在外電場(chǎng)作用下的疇壁運(yùn)動(dòng)和磁籌內(nèi)磁矩轉(zhuǎn)向。（）

參考答案:

對(duì)居里溫度是指鐵磁性和順磁性的轉(zhuǎn)變溫度或者鐵磁性體表現(xiàn)出鐵磁性的最高溫度。（）

參考答案:

對(duì)自發(fā)磁化是指在內(nèi)部交換場(chǎng)作用下，原子磁矩趨于同向排列，自生出磁化強(qiáng)度。（）

參考答案:

對(duì)自發(fā)磁化是指在外部交換場(chǎng)作用下，原子磁矩趨于同向排列，自生出磁化強(qiáng)度。（）

參考答案:

錯(cuò)磁滯回線(xiàn)中飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度Bs（磁化強(qiáng)度Ms）是指在指定溫度下，用足夠大的磁場(chǎng)強(qiáng)度磁化物質(zhì)時(shí)，磁化曲線(xiàn)接近水平時(shí)，不再隨外磁場(chǎng)增大而明顯增大。（）

參考答案:

對(duì)磁滯回線(xiàn)中對(duì)應(yīng)的B值（M值），此時(shí)材料內(nèi)部磁矩取向基本完全與外磁場(chǎng)反向相同，材料磁感應(yīng)強(qiáng)度達(dá)到飽和。（）

參考答案:

對(duì)磁滯回線(xiàn)中矯頑力Hc：鐵磁物質(zhì)磁化到飽和后，由于磁滯現(xiàn)象，要使磁介質(zhì)中B為零，須施加一定的反向磁場(chǎng)強(qiáng)度-H，該磁場(chǎng)強(qiáng)度的絕對(duì)值為矯頑力Hc。（）

參考答案:

對(duì)鐵氧體是指含鐵酸鹽的陶瓷磁性材料，都存在自發(fā)磁化和磁疇，顯亞鐵磁性。（）

參考答案:

對(duì)軟磁材料具有μ、ρ、Bs高，Hc低、磁滯損耗低、穩(wěn)定性好的特點(diǎn)。（）

參考答案:

對(duì)矩磁材料常用作記憶元件、開(kāi)關(guān)元件、邏輯元件等等。（）

參考答案:

對(duì)鐵氧體包含：石榴石型，磁鉛石型、鈣鐵礦型，鈦鐵礦型，烏青銅型等。（）

參考答案:

對(duì)從磁疇的角度解釋磁化的原理：由于各個(gè)磁疇之間彼此取向不同，無(wú)外磁場(chǎng)條件下首尾相連，形成閉合磁路，磁性材料在空氣中的自由靜磁能為0，對(duì)外不顯磁性，只有通過(guò)充分磁化，使材料各磁疇的空間取向趨于一致，才能使材料呈現(xiàn)出很大的磁化強(qiáng)度，從而得到應(yīng)用。（）

參考答案:

對(duì)第七章測(cè)試一BaTiO3（E=123GPa）陶瓷材料的氣孔率為5%，根據(jù)公式計(jì)算其彈性模量約為（）

參考答案:

112GPa一陶瓷含體積百分比為95%的TiC（E=310GPa）和5%的玻璃相（E=74GPa），則其上限及下限彈性模量分別為（）

參考答案:

298.2GPa，267.4GPa灰鑄鐵彈性模量為111.8GPa，剛性模量為44GPa，它的泊松比為（）

參考答案:

0.27以下說(shuō)法正確的是（）

參考答案:

只有彈性形變，無(wú)塑性形變或塑性形變很小的材料屬于脆性材料，例如非金屬材料。fcc，hcp，bcc三種不同堆積的金屬，其塑性的大小關(guān)系為（）

參考答案:

fcc＞bcc＞hcp關(guān)于剪應(yīng)力與粘度的關(guān)系，正確的說(shuō)法是（）

參考答案:

當(dāng)剪應(yīng)力小時(shí)，粘度和應(yīng)力無(wú)關(guān)；當(dāng)剪應(yīng)力大時(shí)，隨溫度升高，粘度下降氧化鋁晶體，硬質(zhì)橡膠，硼硅酸鹽玻璃三者彈性模量的大小關(guān)系為（）

參考答案:

氧化鋁晶體＞硼硅酸鹽玻璃＞硬質(zhì)橡膠關(guān)于應(yīng)變?nèi)渥兒蛻?yīng)力弛豫，以下說(shuō)法正確的是（）

參考答案:

應(yīng)變?nèi)渥冎笇?duì)黏彈性體施加恒定應(yīng)力，應(yīng)變隨時(shí)間而增加的現(xiàn)象正應(yīng)力的方向_于作用面，剪應(yīng)力的方向_于作用面（）

參考答案:

垂直；平行關(guān)于不同因素對(duì)蠕變的影響，錯(cuò)誤的是（）

參考答案:

玻璃相粘度越小，蠕變率越小。第八章測(cè)試求融熔石英的結(jié)合強(qiáng)度，設(shè)估計(jì)的表面能為1.75J/m2;Si-O的平衡原子間距為1.6*10-8cm;彈性模量從60到75Gpa。()

參考答案:

25.62~28.64GPa融熔石英玻璃的性能參數(shù)為：E=73Gpa；γ=1.56J/m2；理論強(qiáng)度σth=28Gpa。如材料中存在最大長(zhǎng)度為2μm的內(nèi)裂，且此內(nèi)裂垂直于作用力方向，計(jì)算由此導(dǎo)致的強(qiáng)度折減系數(shù)。()

參考答案:

0.99一陶瓷三點(diǎn)彎曲試件，在受拉面上于跨度中間有一豎向切口如圖。如果E=380Gpa，μ=0.24，求KIc值，設(shè)極限荷載達(dá)50Kg。計(jì)算此材料的斷裂表面能。()

參考答案:

3.28J/m2一陶瓷材料的斷裂韌性為1.62MPa.m2，該材料制成的零件上有一垂直于拉應(yīng)力的邊裂，如邊裂長(zhǎng)度為2mm，求零件的臨界應(yīng)力。()

參考答案:

18.25MPa由彈性理論臨界強(qiáng)度公式，下面各選項(xiàng)中不是提高材料強(qiáng)度的思路的是（）

參考答案:

增加裂紋長(zhǎng)度2c裂紋擴(kuò)展是能量不會(huì)以何種方式放出（）

參考答案:

斷裂面減少，降低系統(tǒng)的總能量設(shè)有無(wú)限大板A，含有貫穿性裂紋，其中裂紋長(zhǎng)度為2a，受拉應(yīng)力作用，A板拉應(yīng)力為σ，其裂紋尖端應(yīng)力強(qiáng)度因子為多少（）

參考答案:

KIA=σ設(shè)有無(wú)限大板A，含有邊緣穿透裂紋，其中裂紋長(zhǎng)度為2a，受拉應(yīng)力作用，A板拉應(yīng)力為σ，其裂紋尖端應(yīng)力強(qiáng)度因子為多少（）

參考答案:

KIA=1.12σ無(wú)限大板A、B受拉力，已知板A含貫穿裂紋長(zhǎng)度為2a=40.8mm，板B含邊緣穿透裂紋長(zhǎng)度為2a=37mm，外加應(yīng)力均為250MPa，材料的斷裂韌度KC=63.25MPam2，則板A、B是否會(huì)發(fā)生斷裂。()

參考答案:

A板斷裂，B板斷裂有一厚度t=5mm，寬2b=340mm的平板，具有中心貫穿裂紋，裂紋長(zhǎng)為2a=16mm，板端受拉力F=1.3MN。若材料σs=1210MPa,KIc=403