半導(dǎo)體材料與器件特性表征實(shí)驗(yàn)四何家明

實(shí)驗(yàn) pn結(jié)的電容-電壓（C-V）特性測(cè)試實(shí)（微電子 合作者：楊 [實(shí)驗(yàn)?zāi)康腫實(shí)驗(yàn)原理(??+??pn結(jié)最基本的特性就是單向?qū)щ娦?。Pn結(jié)內(nèi)存在內(nèi)建電場(chǎng)????，在內(nèi)建電場(chǎng)區(qū)域，載流(??+????=

?????????)2????(????????)

??=|????|=

)1/2= ??=??

??= 從實(shí)驗(yàn)角度看，電容的測(cè)試可以提供器件的有用信息。C-Vpn結(jié)的??=??(????+????)(????????????? pn結(jié)的1/??2和外加電壓????????是線性函數(shù)關(guān)系，令1/??2=0????=????????C-V

?2(??+????2 若結(jié)面積已知，就可以從式（6）得到????+????。若再已知???? 就可確定????。若????????，就可以得到????這時(shí)式（4）中的????不是常數(shù)，而是位置的函數(shù)????(??)，則C-V關(guān)系式為??= ??= [實(shí)驗(yàn)設(shè)備[實(shí)驗(yàn)步驟[實(shí)驗(yàn)內(nèi)容與分析0~30V1V30個(gè)點(diǎn)，測(cè)量得變?nèi)荻O管的C、V1.0~30V1V30個(gè)點(diǎn)，測(cè)量得樣品二極管的C、V1.8.8V時(shí)，漏電流開(kāi)始迅速增大，電容值隨偏壓增大而增測(cè)量得集電結(jié)的C、V值如表1.1.pnC-V電容電容電容0000111222333444551566677788899923456C1C1-20246810121416182022242628301V1圖1變?nèi)荻O管的C-V1-20246810121416182022242628301V1圖21/C2-V1/C11/C1 -0-20246810121416182022242628301V1圖31/C3-VCC228642-20246810121416182022242628302V2圖4樣品二極管的C-V2-20246810121416182022242628302V2圖51/C2-V1/C31/C3/pF-2-20246810121416182022242628302V2圖61/C3-VCC 圖7三極管發(fā)射結(jié)的C-V

V1/C2/pF-1/C2/pF- 8V圖81/C2-V

3- 3-

1/C1/C 8V圖91/C3-V1/C3-V1/C2-VpnCC8642-2024681012141618202224262830V圖10三極管集電結(jié)的C-V1/C1/C-2024681012141618202224262830V圖111/C2-V1/C1/C-20