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PAGEPAGE1專題13模塊1物質(zhì)結(jié)構(gòu)、性質(zhì)命題規(guī)律與熱點(diǎn)題型能夠結(jié)合元素推斷考查電子排布式、軌道表示式,會(huì)判斷電離能、電負(fù)性的相對(duì)大小。能夠結(jié)合元素推斷考查電子排布式、軌道表示式,會(huì)判斷電離能、電負(fù)性的相對(duì)大小。能夠判斷成鍵類型、分子構(gòu)型及晶體結(jié)構(gòu)、掌握晶體的性質(zhì)。了解晶格能的概念;掌握晶胞的相關(guān)計(jì)算熱點(diǎn)題型一、原子核外電子排布原理典例一、【考點(diǎn)定位】考查原子、離子的核外電子排布1、【2022新課標(biāo)1節(jié)選】鍺〔Ge〕是典型的半導(dǎo)體元素,在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。答復(fù)以下問題:〔1〕基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]____________,有__________個(gè)未成對(duì)電子?!?〕Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析,原因是________________。2、【2022江蘇卷節(jié)選】Zn2+基態(tài)核外電子排布式為____________________?!敬鸢浮?、〔1〕3d104s24p〔2〕Ge原子半徑大,原子間形成的σ單鍵較長(zhǎng),p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊,難以形成π鍵;2、1s22s22p62s23p63d10〔或[Ar]3d10〕熱點(diǎn)題型二、分子的立體構(gòu)型和性質(zhì)典例二、【考點(diǎn)定位】此題主要是考查分子中原子的雜化軌道類型、共價(jià)鍵、等電子體以及配位鍵等有關(guān)判斷【2022江蘇卷節(jié)選】[Zn(CN)4]2–在水溶液中與HCHO發(fā)生如下反響:4HCHO+[Zn(CN)4]2–+4H++4H2O===[Zn(H2O)4]2++4HOCH2CN〔1〕1molHCHO分子中含有σ鍵的數(shù)目為____________mol。〔2〕HOCH2CN分子中碳原子軌道的雜化類型是______________?!?〕與H2O分子互為等電子體的陰離子為________________?!?〕[Zn(CN)4]2–中Zn2+與CN–的C原子形成配位鍵。不考慮空間構(gòu)型,[Zn(CN)4]2–的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為_____________?!敬鸢浮俊?〕3〔2〕sp3和sp〔3〕NH2-〔4〕的解決物質(zhì)結(jié)構(gòu)的問題。熱點(diǎn)題型三、晶體的組成與性質(zhì)典例三、【考點(diǎn)定位】考查晶體類型的判斷和分子晶體熔沸點(diǎn)比擬【2022全國(guó)卷1節(jié)選】〔3〕比擬以下鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn),分析其變化規(guī)律及原因_____________________。GeCl4GeBr4GeI4熔點(diǎn)/℃?49.526146沸點(diǎn)/℃83.1186約400【答案】〔3〕GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似,分子量依次增大,分子間相互作用力逐漸增強(qiáng)。熱點(diǎn)題型四、常見晶體模型與晶胞計(jì)算典例四、【考點(diǎn)定位】晶胞的計(jì)算【2022全國(guó)卷1節(jié)選】〔6〕晶胞有兩個(gè)根本要素:①原子坐標(biāo)參數(shù),表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置,以下圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為〔0,0,0〕;B為〔,0,〕;C為〔,,0〕。那么D原子的坐標(biāo)參數(shù)為______。②晶胞參數(shù),描述晶胞的大小和形狀。Ge單晶的晶胞參數(shù)a=565.76pm,其密度為__________g·cm-3〔列出計(jì)算式即可〕。【答案】〔6〕①(,,);②。典例五、【考點(diǎn)定位】考查核外電子排布、電離能、原子半徑、雜化軌道、空間構(gòu)型以及晶胞結(jié)構(gòu)判斷與計(jì)算等【2022全國(guó)卷3】[化學(xué)——選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]砷化鎵〔GaAs〕是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。答復(fù)以下問題:〔1〕寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式________________________?!?〕根據(jù)元素周期律,原子半徑Ga_____________As,第一電離能Ga____________As。〔填“大于〞或“小于〞〕〔3〕AsCl3分子的立體構(gòu)型為____________________,其中As的雜化軌道類型為_________?!?〕GaF3的熔點(diǎn)高于1000℃,GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃,其原因是〔5〕GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,密度為ρg·cm-3,其晶胞結(jié)構(gòu)如下圖。該晶體的類型為________________,Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGag·mol-1和MAsg·mol-1,原子半徑分別為rGapm和rAspm,阿伏加德羅常數(shù)值為NA,那么GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為____________________【答案】〔1〕1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3(2)大于小于〔3〕三角錐形sp3〔4〕GaF3是離子晶體,GaCl3是分子晶體,離子晶體GaF3的熔沸點(diǎn)高;〔5〕原子晶體;共價(jià)鍵【名師點(diǎn)評(píng)】物質(zhì)結(jié)構(gòu)包括原子結(jié)構(gòu)(原子核外電子排布、原子的雜化方式、元素電負(fù)性大小比擬、元素金屬性、非金屬性的強(qiáng)弱)、分子結(jié)構(gòu)(化學(xué)鍵、分子的電子式、結(jié)構(gòu)式、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式的書寫、化學(xué)式的種類、官能團(tuán)等)、晶體結(jié)構(gòu)(晶體類型的判斷、物質(zhì)熔沸點(diǎn)的上下、影響因素、晶體的密度、均攤方法的應(yīng)用等)。此題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)容,涉及前36號(hào)元素核外電子排布式的書寫、元素周期律、第一電離能規(guī)律、空間構(gòu)型、雜化軌道、晶體熔點(diǎn)上下的判斷、晶體類型、以及晶胞的計(jì)算等知識(shí),這局部知識(shí)要求考生掌握根底知識(shí),做到知識(shí)的靈活運(yùn)用等,考查了學(xué)生綜合運(yùn)用所學(xué)化學(xué)知識(shí)解決相關(guān)化學(xué)問題的能力。只有掌握這些,才可以更好的解決物質(zhì)結(jié)構(gòu)的問題。物質(zhì)的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在新課標(biāo)卷中近三年的高考考點(diǎn)分布如下:考綱要求高考考點(diǎn)考查難度考題統(tǒng)計(jì)〔新課標(biāo)〕1、能夠結(jié)合元素推斷考查電子排布式、軌道表示式,會(huì)判斷電離能、電負(fù)性的相對(duì)大小。能夠判斷成鍵類型、分子構(gòu)型及晶體結(jié)構(gòu)、掌握晶體的性質(zhì)。了解晶格能的概念;掌握晶胞的相關(guān)計(jì)算原子核外電子排布原理分子的立體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)晶體的組成與性質(zhì)常見晶胞模型與晶胞計(jì)算★★2022新課標(biāo)I,37,2022新課標(biāo)Ⅱ,372022新課標(biāo)Ⅲ,372022新課標(biāo)I,372022新課標(biāo)Ⅱ,372022新課標(biāo)Ⅲ,372022新課標(biāo)I,372022新課標(biāo)Ⅱ,37【命題規(guī)律】此題型為選修題,在四年高考中考查9次〔共9份試卷〕,試題整體難度中等。高考中此題型??贾R(shí)點(diǎn)有:〔1〕電子排布式、軌道表示式、成對(duì)未成對(duì)電子、全滿半滿〔2〕分子立體構(gòu)型〔3〕氫鍵〔4〕晶體類型、特點(diǎn)、性質(zhì)〔5〕分子的極性〔6〕性質(zhì)比擬:熔沸點(diǎn)、穩(wěn)定性、溶解性、電負(fù)性、電離能〔7〕雜化〔8〕晶胞〔9〕配位鍵、配合物〔10〕等電子體〔11〕σ鍵和π鍵〔12〕周期表的分區(qū)等等。在復(fù)習(xí)過程中針對(duì)常考知識(shí)點(diǎn),要切實(shí)地回歸課本狠抓重要知識(shí)點(diǎn),強(qiáng)化主干知識(shí)的穩(wěn)固和運(yùn)用。2022年高考說明增加了“價(jià)電子的電子排布式和軌道表達(dá)式〞;“了解共價(jià)鍵的形成、極性、類型〔σ鍵和π鍵〕,了解配位鍵的含義。〞;“了解范德華力的含義及對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響。〞;“了解氫鍵的含義〞;“了解晶格能的概念,了解晶格能
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