【會(huì)做物構(gòu)】2020屆高三化學(xué)二輪物質(zhì)結(jié)構(gòu)題型專攻-晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【提升專練】

第=page11頁(yè)，共=sectionpages11頁(yè)第=page22頁(yè)，共=sectionpages22頁(yè)【會(huì)做物構(gòu)】2020屆高三化學(xué)二輪物質(zhì)結(jié)構(gòu)題型專攻——晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【提升專練】一、單選題（本大題共20小題，共20.0分）我國(guó)科學(xué)家制得了SiO2超分子納米管，微觀結(jié)構(gòu)如圖．下列敘述正確的是(????)A.SiO2與干冰的晶體結(jié)構(gòu)相似

B.SiO2耐腐蝕，不與任何酸反應(yīng)

C.工業(yè)上用SiO2制備粗硅下列變化中，吸收的熱量用于克服分子間作用力的是(????)A.液溴受熱變成溴蒸氣 B.加熱金剛石使之熔化

C.加熱食鹽使之熔化 D.加熱碘化氫使之分解下列說(shuō)法正確的是(????)

A.鈦和鉀都采取圖1的堆積方式

B.圖2為金屬原子在二維空間里的非密置層放置，此方式在三維空間里堆積，僅得簡(jiǎn)單立方堆積

C.圖3是干冰晶體的晶胞，晶胞棱長(zhǎng)為a

cm，則在每個(gè)CO2周圍距離相等且為22acm的CO2有8個(gè)

D.下圖所示是晶體結(jié)構(gòu)中具有代表性的最小重復(fù)單元的排列方式，其對(duì)應(yīng)的化學(xué)式正確的是(白球、黑球、花球分別代表X、Y、Z)A.X2Y B.XY3 C.金屬能導(dǎo)電的原因是(????)A.金屬陽(yáng)離子與自由電子間的作用較弱

B.金屬在外加電場(chǎng)作用下可失去電子

C.金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)

D.自由電子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)下列說(shuō)法正確的是(????)A.共價(jià)化合物中可能含有離子鍵 B.離子化合物中一定沒(méi)有共價(jià)鍵

C.分子晶體中一定有共價(jià)鍵 D.原子晶體一定只有共價(jià)鍵關(guān)于晶體的下列說(shuō)法正確的是(????)A.化學(xué)鍵都具有飽和性和方向性

B.晶體中只要有陰離子，就一定有陽(yáng)離子

C.氫鍵具有方向性和飽和性，也屬于一種化學(xué)鍵

D.金屬鍵由于無(wú)法描述其鍵長(zhǎng)、鍵角，故不屬于化學(xué)鍵下列不屬于晶體的特點(diǎn)是(????)A.無(wú)色透明的固體 B.自范性

C.固定的熔點(diǎn) D.各向異性關(guān)于晶體的下列說(shuō)法正確的是(

)①在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子，只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子；②分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低；③晶體中分子間作用力越大，分子越穩(wěn)定；④離子晶體中，一定存在離子鍵；⑤分子晶體中，一定存在共價(jià)鍵；⑥原子晶體中，一定存在共價(jià)鍵；⑦熔融時(shí)化學(xué)鍵沒(méi)有破壞的晶體一定是分子晶體A.②④⑥ B.④⑤⑦ C.④⑥⑦ D.③④⑦下列說(shuō)法正確的是(????)A.若把H2S分子寫(xiě)成H3S分子，違背了共價(jià)鍵的飽和性

B.晶體中若有陽(yáng)離子一定有陰離子

C.下列物質(zhì)中，均直接由原子構(gòu)成的是：①干冰；②二氧化硅；③水蒸氣；④金剛石；⑤單晶硅；⑥白磷；⑦硫磺；⑧液氨；⑨鈉；⑩氖晶體(????)A.②③④⑤ B.②③④⑤⑨⑩

C.②④⑤⑩ D.②④⑤⑥⑦⑨⑩一種新型材料B4C3，它可用于制作切削工具和高溫?zé)峤粨Q器．關(guān)于BA.B4C3是一種分子晶體

B.B4C3是一種離子晶體

C.B4C3根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)數(shù)據(jù)判斷說(shuō)法中錯(cuò)誤的是(????)晶體NaClMgCAlCSiC單質(zhì)R熔點(diǎn)810℃710℃180℃?70℃2300℃沸點(diǎn)1465℃1418℃177.8℃57℃2500℃A.AlCl3為離子晶體 B.MgCl2為離子晶體

C.SiCl4有分子構(gòu)成的物質(zhì)是(????)A.NaCl B.HC1 C.Fe D.N下列說(shuō)法中，正確的是(????)A.構(gòu)成分子晶體的微粒一定含有共價(jià)鍵

B.在結(jié)構(gòu)相似的情況下，原子晶體中的共價(jià)鍵越強(qiáng)，晶體的熔、沸點(diǎn)越高

C.某分子晶體的熔、沸點(diǎn)越高，分子晶體中共價(jià)鍵的鍵能越大

D.分子晶體中只存在分子間作用力而不存在任何化學(xué)鍵，所以其熔、沸點(diǎn)一般較低下面的排序不正確的是(????)A.晶體熔點(diǎn)由低到高：CF4<CCl4<CBr4<CI4??????

B.硬度由大到小：金剛石下列有關(guān)晶體的敘述中錯(cuò)誤的是(????)A.石墨的層狀結(jié)構(gòu)中由共價(jià)鍵形成的最小的碳環(huán)上有六個(gè)碳原子

B.氯化鈉晶體中每個(gè)Na+周圍緊鄰的有6個(gè)Cl?

C.CsCl晶體中每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl?，每個(gè)Cs下列各組物質(zhì)各自形成晶體，均屬于分子晶體的化合物是(????)A.NH3、HD、C10H18 B.PCl3、CO2、H2SO4

根據(jù)下列性質(zhì)判斷，屬于原子晶體的物質(zhì)是(????)A.熔點(diǎn)2

700℃，導(dǎo)電性好，延展性強(qiáng)

B.無(wú)色晶體，熔點(diǎn)3

500℃，不導(dǎo)電，質(zhì)硬，難溶于水和有機(jī)溶劑

C.無(wú)色晶體，能溶于水，質(zhì)硬而脆，熔點(diǎn)800℃，熔化時(shí)能導(dǎo)電

D.熔點(diǎn)?56.6℃，微溶于水，硬度小，固態(tài)或液態(tài)時(shí)不導(dǎo)電已知鑭鎳合金LaNin的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，則LaNin中n為A.7 B.6 C.4 D.5二、簡(jiǎn)答題（本大題共4小題，共20.0分）已知A、B、C、D四種元素均為短周期元素，原子序數(shù)依次增大，E為前30號(hào)元素。元素特點(diǎn)A其氫化物呈三角錐形，氫化物水溶液顯堿性B基態(tài)原子核外有三個(gè)能級(jí)，其中最外層電子數(shù)等于次外層電子數(shù)的3倍C基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且最外層電子數(shù)等于最內(nèi)層電子數(shù)D元素原子的外圍電子層排布式為nE原子M能級(jí)為全充滿狀態(tài)且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)AF3分子中A原子雜化類型為_(kāi)_____，該分子的空間構(gòu)型為_(kāi)_____。

(2)基態(tài)C原子核外電子排布式為_(kāi)_____。第一電離能：A______B.(填“大于”、“小于”或“等于”)

(3)A、B、D電負(fù)性大小順序?yàn)開(kāi)_____(用元素符號(hào)表示)。D60模型如圖1所示，一個(gè)D60分子中π鍵的數(shù)目為_(kāi)_____，σ

鍵的數(shù)目為_(kāi)_____。

(4)E元素與A元素形成某種化合物(摩爾質(zhì)量為M

g/mol)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，若該晶體的密度為ρ

g?c硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)?；卮鹣铝袉?wèn)題：

(1)基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)，該能層具有的原子軌道數(shù)為_(kāi)_____，基態(tài)Si原子的價(jià)電子排布圖為_(kāi)_____。

(2)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，其中原子與原子之間以相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置貢獻(xiàn)______個(gè)原子。

(3)硅烷(SiH4)分子的空間構(gòu)型是______。

(4)甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)沸點(diǎn)較高的是______，原因是______。

(5)SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，原因是______。

(6)在硅酸鹽中，SiO44?四面體(如下圖(a)有A、B、C、D、E、F六種元素，A是周期表中原子半徑最小的元素，B是電負(fù)性最大的元素，C的2p軌道中有三個(gè)未成對(duì)的單電子，F(xiàn)原子核外電子數(shù)是B與C核外電子數(shù)之和，D是主族元素且與E同周期，E能形成紅色(或磚紅色)的E2O和黑色的EO兩種氧化物，D與B可形成離子化合物其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示．請(qǐng)回答下列問(wèn)題．

(1)E元素原子基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式為_(kāi)_____；

(2)A2F分子中F原子的雜化類型是______；

(3)C元素與氧形成的離子CO2?的立體構(gòu)型是______；寫(xiě)出一種與CO2?互為等電子體的分子的分子式______；

(4)將E單質(zhì)的粉末加入CA3的濃溶液中，通入O2，充分反應(yīng)后溶液呈深藍(lán)色，該反應(yīng)的離子方程式是______；

(5)從圖中可以看出，D跟B形成的離子化合物的化學(xué)式為由N、P、S、Cl、Ni等元素組成的新型材料有著廣泛的用途，請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)基態(tài)

N的原子核外______種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的原子，基態(tài)

P原子核外電子排布式為_(kāi)_____，P、S、Cl的第一電離能由大到小順序?yàn)開(kāi)_____。

(2)PCl3分子中的中心原子雜化軌道類型是______，該分子構(gòu)型為_(kāi)_____。

(3)PCl3?

是一種無(wú)色的液體，遇水容易水解生成兩種酸，則方程式______。

(4)已知MgO與NiO的晶體結(jié)構(gòu)(如圖1)相同，其中Mg2+和Ni2+的離子半徑分別為66

pm和69pm。則熔點(diǎn)：MgO______NiO(填“>”、“<”或“=”)，理由是______。

(5)金剛石晶胞含有______個(gè)碳原子。若碳原子半徑為r，金剛石晶胞的邊長(zhǎng)為a，根據(jù)硬球接觸模型，則r=______a，列式表示碳原子在晶胞中的空間占有率______(請(qǐng)用r和答案和解析1.【答案】C

【解析】解：A、SiO2是原子晶體而干冰是分子晶體，結(jié)構(gòu)不相似，故A錯(cuò)誤；

B、SiO2耐腐蝕，與氫氟酸反應(yīng)，故B錯(cuò)誤；

C、工業(yè)上用SiO2與焦炭反應(yīng)生成一氧化碳和粗硅，故C正確；

D、光纖主要成分是SiO2，晶體硅具有導(dǎo)電性，而二氧化硅不導(dǎo)電，故D錯(cuò)誤；

故選C．

A、SiO2是原子晶體而干冰是分子晶體，結(jié)構(gòu)不相似；

B、SiO2耐腐蝕，與氫氟酸反應(yīng)；

C、工業(yè)上用SiO2【解析】解：A.液溴為分子晶體，受熱蒸發(fā)變成溴蒸氣，克服的是分子間作用力，故A正確；

B.金剛石晶體中原子間是共價(jià)鍵，加熱晶體使之熔化克服的是共價(jià)鍵，故B錯(cuò)誤；

C.氯化鈉晶體是離子晶體，微粒間的作用力是離子鍵，故C錯(cuò)誤；

D.碘化氫分解，發(fā)生化學(xué)鍵的斷裂，克服的是共價(jià)鍵，故D錯(cuò)誤；

故選：A。

先根據(jù)晶體類型，再判斷斷鍵方式，再判斷克服的作用力；分子間作用力存在于分子晶體中，注意化學(xué)鍵與分子間作用力的區(qū)別．

本題考查物質(zhì)的成鍵方式，此類題的解題方法是：先判斷斷鍵方式，再判斷克服的作用力，題目難度不大．

3.【答案】D

【解析】解：A.圖1表示的堆積方式為A3型緊密堆積，K采用A2型緊密堆積，故A錯(cuò)誤；

B.在二維空間里的非密置層放置，在三維空間堆積形成A2型緊密堆積，得到體心立方堆積，故B錯(cuò)誤；

C.干冰晶體的晶胞屬于面心立方晶胞，配位數(shù)為12，即每個(gè)CO2周圍距離相等且為22acm的CO2有12個(gè)，故C錯(cuò)誤；

D.該晶胞類型為面心立方，則堆積方式為A1型密堆積，即金屬原子在三維空間里以密置層采取ABCABC…堆積，故D正確；

故選D．

A.根據(jù)圖1判斷緊密堆積方式判斷；

B.在二維空間里的非密置層放置，在三維空間堆積形成A2型緊密堆積，據(jù)此判斷；

C.判斷晶胞類型，根據(jù)配位數(shù)判斷；【解析】【分析】本題考查了晶胞的有關(guān)計(jì)算，難度不大，利用均攤法計(jì)算晶胞中含有的原子個(gè)數(shù)之比解答，注意根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)確定每個(gè)原子為幾個(gè)晶胞共用?！窘獯稹緼.圖中X為1，Y的個(gè)數(shù)為8×18=1，化學(xué)式為XYB.圖中X為1+4×18=32，Y為4×C.圖中X為8×18=1，Y為6×12=3，Z為D.圖中X為8×18=1，Y為12×14=3，Z為故選C。

5.【答案】D

【解析】解：金屬屬于金屬晶體，含有金屬陽(yáng)離子和自由電子，在外加電場(chǎng)作用下電子可發(fā)生定向移動(dòng)，所以能夠?qū)щ姡?/p>

故選：D．

金屬屬于金屬晶體，是由金屬陽(yáng)離子與自由電子通過(guò)金屬鍵結(jié)合而成，金屬能導(dǎo)電，是由于金屬晶體中存在自由移動(dòng)的電子，在外加電場(chǎng)作用可發(fā)生定向移動(dòng)，以此解答該題．

本題考查金屬晶體的性質(zhì)，題目難度不大，明確金屬晶體的構(gòu)成是解題關(guān)鍵，注意把握金屬晶體的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性以及延展性的性質(zhì)．

6.【答案】D

【解析】解：A.含離子鍵的化合物一定為離子化合物，則共價(jià)化合物中不可能含有離子鍵，故A錯(cuò)誤；

B.離子化合物中可以存在共價(jià)鍵，如NaOH等，故B錯(cuò)誤；

C.由稀有氣體形成的晶體中不存在化學(xué)鍵，由多原子形成的分子晶體中存在共價(jià)鍵，故C錯(cuò)誤；

D.原子晶體中的作用力為共價(jià)鍵，則原子晶體一定只有共價(jià)鍵，故D正確；

故選D．

A.含離子鍵的化合物一定為離子化合物；

B.離子化合物中可以存在共價(jià)鍵；

C.由稀有氣體形成的晶體中不存在化學(xué)鍵；

D.原子晶體中的作用力為共價(jià)鍵．

本題考查晶體類型及化學(xué)鍵，注意晶體類型與化學(xué)鍵的關(guān)系，并學(xué)會(huì)利用實(shí)例的方法來(lái)分析解答，題目難度不大．

7.【答案】B

【解析】解：A.離子鍵通過(guò)陰陽(yáng)離子之間的相互作用形成，離子鍵沒(méi)有方向性和飽和性，共價(jià)鍵是原子之間通過(guò)共用電子對(duì)形成，所以共價(jià)鍵有方向性和飽和性，故A錯(cuò)誤；

B.在晶體中有陰離子，根據(jù)物質(zhì)呈電中性，有陰離子，那么一定有陽(yáng)離子中和陰離子的電性，故B正確；

C.氫鍵飽和性，是指一個(gè)氫原子只能和一個(gè)氧(氟，氮)原子，形成氫鍵，而不能同時(shí)和多個(gè)原子形成氫鍵；方向性，是指氫鍵是有一定鍵角，但氫鍵屬于分子間作用力，不屬于化學(xué)鍵，故C錯(cuò)誤；

D.金屬鍵是金屬陽(yáng)離子和自由電子這兩種帶異性電荷的微粒間的強(qiáng)烈相互作用，金屬鍵沒(méi)有方向性和飽和性，無(wú)法描述其鍵長(zhǎng)、鍵角，但屬于化學(xué)鍵，故D錯(cuò)誤；

故選：B。

A.離子鍵通過(guò)陰陽(yáng)離子之間的相互作用形成，離子鍵沒(méi)有方向性和飽和性，而共價(jià)鍵有方向性和飽和性；

B.晶體中只要有陰離子，就一定有陽(yáng)離子中和陰離子的電性；

C.氫鍵具有方向性和飽和性，但不屬于化學(xué)鍵；

D.金屬鍵由于無(wú)法描述其鍵長(zhǎng)、鍵角，但屬于化學(xué)鍵；

本題考查化學(xué)鍵知識(shí)，熟悉化學(xué)鍵種類并掌握其特征是解答的關(guān)鍵，題目概念性強(qiáng)，注意集中化學(xué)鍵的區(qū)別和聯(lián)系，注意氫鍵不屬于化學(xué)鍵，題目難度不大．

8.【答案】A

【解析】解：晶體(單晶體和多晶體)和非晶體的區(qū)別：(1)單晶體有整齊規(guī)則的幾何外形；(2)晶體有固定的熔點(diǎn)；(3)單晶體有各向異性的特點(diǎn)，晶體不一定是無(wú)色透明的固體，例如晶體不一定是無(wú)色透明的固體，如硫酸銅晶體為藍(lán)色，但有些非晶體無(wú)色透明，如玻璃，

故選：A．

晶體具有自范性、各向異性和固定的熔沸點(diǎn)，晶體不一定是無(wú)色透明的固體，據(jù)此解答．

本題考查了晶體的特點(diǎn)，把握晶體的性質(zhì)是解題關(guān)鍵，題目難度不大．

9.【答案】C

【解析】【分析】主要考查晶體的類型與物質(zhì)的性質(zhì)的相互關(guān)系及應(yīng)用，題目難度不大。【解答】①晶體只要有陽(yáng)離子不一定有陰離子，如金屬晶體含有組成微粒為陽(yáng)離子和電子，故①錯(cuò)誤；

②Hg為金屬，但常溫下為液體，熔點(diǎn)較低，常溫下固體分子晶體比Hg的熔點(diǎn)高，故②錯(cuò)誤；

③分子的穩(wěn)定性屬于化學(xué)性質(zhì)，與共價(jià)鍵有關(guān)，分子間作用力與穩(wěn)定性無(wú)關(guān)，故③錯(cuò)誤；

④離子晶體由陰陽(yáng)離子構(gòu)成，離子之間的作用力為離子鍵，則離子晶體中一定存在離子鍵，故④正確；

⑤單原子分子不存在共價(jià)鍵，只存在分子間作用力，故⑤錯(cuò)誤；

⑥原子晶體中非金屬原子之間的作用力為共價(jià)鍵，故⑥正確；

⑦分子晶體融化時(shí)，只破壞分子間作用力，化學(xué)鍵沒(méi)有破壞，故⑦正確；綜合上述，④⑥⑦正確，故C正確。故選C。

10.【答案】A

【解析】試題分析：A.S原子的最外層有6個(gè)電子，原子要達(dá)到8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)少2個(gè)電子，所以1個(gè)S原子能與2個(gè)H原子形成2對(duì)共用電子對(duì)，就得到了8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，而H原子則達(dá)到了K層的2電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，若若把H2S分子寫(xiě)成H3S分子，就違背了原子的違背了8電子的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，同時(shí)也不符合共價(jià)鍵的飽和性的原則。正確。

B.在金屬晶體中含有金屬陽(yáng)離子，但是沒(méi)有陰離子。帶負(fù)電荷的微粒是電子。因此若有陽(yáng)離子不一定有陰離子。錯(cuò)誤。

C.金屬鍵存在于金屬單質(zhì)及合金中。錯(cuò)誤。

D.對(duì)于惰性氣體來(lái)說(shuō)，其是由分子構(gòu)成的晶體。每個(gè)原子就是宇哥分子，所以在惰性氣體的分子晶體中就不存在化學(xué)鍵。錯(cuò)誤。故選A．

考點(diǎn)：考查共價(jià)鍵的飽和性、化學(xué)鍵、金屬鍵及陽(yáng)離子在物質(zhì)中存在的知識(shí)。

【解析】解：①干冰晶體屬于分子晶體，由二氧化碳分子構(gòu)成；

②二氧化硅是原子晶體，由C、O原子直接構(gòu)成；

③水蒸氣屬于分子晶體，由水分子構(gòu)成；

④金剛石屬于原子晶體，由C原子直接構(gòu)成；

⑤單晶硅原子晶體，由Si原子直接構(gòu)成；

⑥白磷屬于分子晶體，由P4分子構(gòu)成；

⑦硫磺分子晶體，由分子構(gòu)成；

⑧液氨可以形成分子晶體，由分子構(gòu)成；

⑨鈉屬于金屬晶體，由金屬陽(yáng)離子Na+和自由電子構(gòu)成構(gòu)成；

⑩氖晶體屬于分子晶體，是單原子分子，由氖原子構(gòu)成；

故由原子直接構(gòu)成的物質(zhì)有②④⑤⑩．

故選C．

直接由原子構(gòu)成的物質(zhì)由稀有氣體與原子晶體等，常見(jiàn)的原子晶體有：一些非金屬單質(zhì)，如金剛石、硼、硅等；一些非金屬化合物，如二氧化硅、碳化硅、氮化硼等．

本題考查晶體類型判斷等，比較基礎(chǔ)，難度不大，掌握常見(jiàn)的原子晶體，注意稀有氣體為單原子分子．

12.【解析】解：B4C3由非金屬性元素組成，不可能為離子晶體，可用于制作切削工具和高溫?zé)峤粨Q器，說(shuō)明熔點(diǎn)高，應(yīng)為原子晶體，不存在單個(gè)分子，構(gòu)成微粒為原子．

故選：C．

B4C3由非金屬性元素組成，可用于制作切削工具和高溫?zé)峤粨Q器，說(shuō)明熔點(diǎn)高，應(yīng)為原子晶體．

【解析】解：晶體熔沸點(diǎn)高低順序是：原子晶體>離子晶體>分子晶體，根據(jù)表中數(shù)據(jù)知，NaCl、MgCl2都屬于離子晶體，AlCl3、SiCl4都屬于分子晶體，R熔沸點(diǎn)較高，所以R可能屬于原子晶體，

A.氯化鋁熔沸點(diǎn)較低，所以氯化鋁為分子晶體，故A錯(cuò)誤；

B.MgCl2晶體熔沸點(diǎn)越高，所以是離子晶體，故B正確；

C.SiCl4熔沸點(diǎn)較低，屬于分子晶體，故C正確；

D.R熔沸點(diǎn)較高，所以R可能屬于原子晶體，故D正確；

故選A．

晶體熔沸點(diǎn)高低順序是：原子晶體>離子晶體>分子晶體，根據(jù)表中數(shù)據(jù)知，NaCl、MgCl2都屬于離子晶體，AlCl3、SiCl【解析】解：A、NaCl是離子化合物，由離子構(gòu)成，無(wú)分子，故A錯(cuò)誤；

B、HCl是分子晶體，由HCl分子構(gòu)成，故B正確；

C、Fe是金屬單質(zhì)，由原子構(gòu)成，無(wú)分子，故C錯(cuò)誤；

D、NH4Cl是離子化合物，由離子構(gòu)成，無(wú)分子，故D錯(cuò)誤。

故選：B。

由分子構(gòu)成的是分子晶體據(jù)此分析。

本題考查了物質(zhì)的構(gòu)成，難度不大，應(yīng)注意的是由分子構(gòu)成的是分子晶體，離子晶體和原子晶體中無(wú)分子。

15.【解析】【分析】本題考查化學(xué)鍵、物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低判斷?！窘獯稹緼.構(gòu)成分子晶體的微粒不一定含有共價(jià)鍵，如稀有氣體元素形成的晶體，故A錯(cuò)誤；B.在結(jié)構(gòu)相似的情況下，原子晶體中的共價(jià)鍵越強(qiáng)，晶體的熔沸點(diǎn)越高，故B正確；C.分子晶體熔沸點(diǎn)的高低決定于分子間作用力的大小，與共價(jià)鍵鍵能的大小無(wú)關(guān)，故C錯(cuò)誤；D.分子晶體中基本構(gòu)成微粒間的相互作用是分子間的作用力，多數(shù)分子中存在化學(xué)鍵，但化學(xué)鍵不影響分子晶體的熔沸點(diǎn)，故D錯(cuò)誤。故選B。

16.【答案】D

【解析】【分析】

本題考查晶體的物理性質(zhì)，側(cè)重考查晶體熔沸點(diǎn)的比較，明確晶體類型及不同類型晶體熔沸點(diǎn)的比較方法是解答本題的關(guān)鍵，選項(xiàng)A為解答的難點(diǎn)，題目難度中等。

【解答】

A.分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔沸點(diǎn)越大，則晶體熔點(diǎn)由低到高順序?yàn)镃F4<CCl4<CBr4<CI4，故A正確；

B.鍵長(zhǎng)越短，共價(jià)鍵越強(qiáng)，硬度越大，鍵長(zhǎng)C?C<C?Si<Si?Si，則硬度由大到小為金剛石>碳化硅>晶體硅，故B正確；

C.離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng)，則晶格能越大，F(xiàn)、Cl、Br、I的離子半徑在增大，則晶格能由大到?。篘aF>NaCl>NaBr>NaI，故C正確；

D.金屬離子的電荷越大、半徑越小，其熔點(diǎn)越大，則熔點(diǎn)由高到低為Al>Mg>Na，故【解析】【分析】

本題考查了晶體結(jié)構(gòu)，了解典型晶體的構(gòu)型是解本題關(guān)鍵，離子晶體中離子配位數(shù)的判斷是?？疾辄c(diǎn)，也是學(xué)習(xí)難點(diǎn)．

【解答】

A.石墨是層狀結(jié)構(gòu)，每層石墨中，每個(gè)碳原子被3個(gè)環(huán)共用，由共價(jià)鍵形成的最小的碳環(huán)上有六個(gè)碳原子，所以平均每個(gè)環(huán)含有2個(gè)碳原子，故A正確；

B.氯化鈉晶體中鈉離子的配位數(shù)是6，所以每個(gè)Na+周圍緊鄰的有6個(gè)Cl?，故B正確；

C.氯化銫晶體中，銫離子的配位數(shù)是8，所以每個(gè)Cs+周圍緊鄰的有8個(gè)Cl?，每個(gè)Cs+周圍等距離緊鄰的有6個(gè)Cs+，故C正確；

D.面心立方晶體中，晶胞立方體每個(gè)頂點(diǎn)上都有一個(gè)原子，面心上都有一個(gè)原子，所以每個(gè)金屬原子周圍緊鄰的金屬原子有3×8×【解析】【分析】考查常見(jiàn)物質(zhì)晶體類型判斷等，難度不大，掌握常見(jiàn)物質(zhì)晶體類型及常見(jiàn)分子晶體。【解答】A.NH3、C10H18?屬于分子晶體的化合物，HD為單質(zhì)，不是化合物，故A錯(cuò)誤；

B.PCl3、CO2、H2SO4屬于分子晶體的化合物，故B正確；

C.SO2、P2O5屬于分子晶體的化合物，SiO2

19.【答案】B

【解析】解：A.熔點(diǎn)2700℃，導(dǎo)電性好，延展性強(qiáng)，是金屬晶體具有的物理性質(zhì)，故A錯(cuò)誤；

B.無(wú)色晶體，熔點(diǎn)3

500℃，不導(dǎo)電，質(zhì)硬，難溶于水和有機(jī)溶劑，此性質(zhì)為原子晶體的物理性質(zhì)，故B正確；

C.無(wú)色晶體，能溶于水，質(zhì)硬而脆，熔點(diǎn)800℃，熔化時(shí)能導(dǎo)電，該性質(zhì)為金屬晶體的物理性質(zhì)，故C錯(cuò)誤；

D.熔點(diǎn)?56.6℃，微溶于水，硬度小，固態(tài)或液態(tài)時(shí)不導(dǎo)電，屬于分子晶體的物理性質(zhì)，故D錯(cuò)誤．

故選B．

原子晶體的特點(diǎn)為：硬度大、熔沸點(diǎn)高、不導(dǎo)電、不溶于水和有機(jī)溶劑，據(jù)此可以判斷B為原子晶體；然后根據(jù)各晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)可知：而A為金屬晶體、C為離子晶體、D為分子晶體．

該題主要考查了原子晶體與其它晶體在熔沸點(diǎn)、硬度、密度等方面的區(qū)別，題目難度不大，學(xué)習(xí)時(shí)需理解各類晶體具有的物理性質(zhì)方面及區(qū)別，明確性質(zhì)差別的根本原因是構(gòu)成的化學(xué)鍵類型不同．

20.【答案】D

【解析】解：由圖可知，晶胞中La原子數(shù)目為2×12+12×16=3，Ni原子數(shù)目為6+18×12=15，故1：n=3：15=1：5，則n=5，故選：D。

La處于頂點(diǎn)與面心，面心貢獻(xiàn)率為12，頂點(diǎn)貢獻(xiàn)率為16；有6個(gè)Ni處于晶胞內(nèi)部，18個(gè)處于面上，內(nèi)部貢獻(xiàn)率為1，面上貢獻(xiàn)率為12，均攤法計(jì)算晶胞中La、Ni原子數(shù)目確定n的值。

本題考查晶胞計(jì)算，關(guān)鍵是明確原子在晶胞中位置及各位置的貢獻(xiàn)率，掌握均攤法進(jìn)行晶胞有關(guān)計(jì)算。

21.【答案】sp3

【解析】解：通過(guò)以上分析知，A、B、C、D、E分別是N、O、Mg、Si、Cu元素；

(1)NF3分子中N形成三個(gè)σ鍵，和一對(duì)孤對(duì)電子對(duì)，所以中心原子氮的雜化類型為sp3；該分子的空間構(gòu)型為三角錐形，故答案為：sp3；三角錐形；

(2)鎂的基態(tài)原子的電子式為：1s22s22p63s2，氮的價(jià)電子排布為：1s22s22p3，而氧元素的價(jià)電子排布為：1s22s22p4，氮的價(jià)電子排布式2p軌道是半滿的穩(wěn)定狀態(tài)，所以第一電離能：A>B，

故答案為：1s22s22p63s2；>；

(3)非金屬性越強(qiáng)電負(fù)性越大，非金屬性：O>N>Si，所以電負(fù)性：O>N>Si，C60分子中每個(gè)原子只跟相鄰的3個(gè)原子形成共價(jià)鍵，且每個(gè)原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則每個(gè)C形成的這3個(gè)鍵中，必然有1個(gè)雙鍵，這樣每個(gè)C原子最外層才滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，雙鍵數(shù)應(yīng)該是C原子數(shù)的一半，而每個(gè)雙鍵有1個(gè)π鍵，每個(gè)C原子含有0.5個(gè)π鍵，每個(gè)C原子含有σ

鍵個(gè)數(shù)=3×12=1.5，C60分子中含有30個(gè)π鍵、90個(gè)σ

鍵；

故答案為：O>N>Si；

30；90；

(4)根據(jù)原子大小知，小球表示N原子、大球表示Cu原子，N原子個(gè)數(shù)=8×18=1、Cu原子個(gè)數(shù)=12×14=3，其化學(xué)式為Cu3N，V=mρ=MNAρcm3=MρNAcm3，

故答案為：MρNA。

A、B、C、D四種元素均為短周期元素，原子序數(shù)依次增大，E為前30號(hào)元素，A其氫化物呈三角錐形，氫化物水溶液顯堿性，則A為N元素；

B基態(tài)原子核外有三個(gè)能級(jí)，其中最外層電子數(shù)等于次外層電子數(shù)的3倍，其最外層為K層，則B原子核外有8個(gè)電子，為O元素；

C基態(tài)原子占據(jù)兩種形狀的原子軌道，且最外層電子數(shù)等于最內(nèi)層電子數(shù)，則最外層電子數(shù)為2，只有s、p軌道，為Mg元素；

D元素原子的外圍電子層排布式為nsn?1npn?1，s能級(jí)上最多排列2個(gè)電子，則n=3，其外圍電子排布式為3s23p2，為Si元素；

E原子M能級(jí)為全充滿狀態(tài)且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)，原子序數(shù)小于30，為Cu元素；

通過(guò)以上分析知，A、B、C、D、E分別是N、O、Mg、Si、Cu元素；

(1)NF3分子中N形成三個(gè)σ鍵和一對(duì)孤對(duì)電子對(duì)，價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4，且含有一個(gè)孤電子對(duì)，根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷【解析】解：(1)Si原子價(jià)電子排布式為3s23p2，最高能層為第3能層，能層符號(hào)為M，該能層具有的原子軌道數(shù)為9，價(jià)電子排布圖為：，

故答案為：M；9；；

(2)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體，硅晶胞中Si原子處于頂點(diǎn)、面心與體內(nèi)，晶胞內(nèi)部含有4個(gè)Si原子，頂點(diǎn)貢獻(xiàn)率為18、面心貢獻(xiàn)率為12，其中在面心位置貢獻(xiàn)Si原子數(shù)目為6×12=3，

故答案為：3；

(3)硅烷(SiH4)分子與甲烷(CH4)分子空間構(gòu)型相同，硅烷(SiH4)分子的空間構(gòu)型是正四面體，

故答案為：正四面體；

(4)SiH4、CH4結(jié)構(gòu)相似，SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量更大，分子間作用力更強(qiáng)，沸點(diǎn)高于CH4的，

故答案為：SiH4；SiH4、CH4結(jié)構(gòu)相似，SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量更大，分子間作用力更強(qiáng)；

(5)由于硅元素的非金屬性比碳元素的弱，故SiH4的穩(wěn)定性小于CH4，

故答案為：硅元素的非金屬性比碳元素的弱；

(6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO44?)為正四面體結(jié)構(gòu)，所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式；圖(b)為一種無(wú)限長(zhǎng)層狀結(jié)構(gòu)的多硅酸根，圖(b)中一個(gè)SiO44?四面體結(jié)構(gòu)單元中其中有3個(gè)氧原子的貢獻(xiàn)率為12，SiO44?四面體結(jié)構(gòu)單元含有1個(gè)硅、氧原子數(shù)目=1+3×12=2.5，Si、O原子數(shù)目之比為1：2.5=2：5，故化學(xué)式為(Si2O5)n2n?，

故答案為：sp3；2：5；(Si2O5)n2n?。

(1)Si原子價(jià)電子排布式為3s23p2，最高能層為第3能層，結(jié)合泡利原理、洪特規(guī)則畫(huà)出價(jià)電子排布圖；【解析】【分析】

(5)從圖中可以看出，晶胞中含有Ca的離子個(gè)數(shù)為8×18+6×12=4，含有F的離子個(gè)數(shù)為8，二者比值為1：2，則化學(xué)式為CaF