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第五 第四部1.當(dāng)使用多層板布線時(shí)，一般選擇地平面層靠近高速信號(hào)布線層（頂層），PWR、SIG1、GND、SIG2、PWR、BOT或者順序?yàn)門OP、GNDSIG1、PWR、SIG2、GND、PWR、BOT；2.根據(jù)電磁場(chǎng)理論中的磁通對(duì)消原理，在雙面板和單面板的PCB布線中，電3.建議對(duì)雙面板的PCB布線中的底層進(jìn)行大面積敷地，并使用盡可能多的通 5.給每個(gè)各功能 104或者103.耦容離 越越，據(jù)FR4板材分布參數(shù)，起8在PCB布線中，如果是雙面板，使用盡可能多的通孔把底層和頂層的地連起的信號(hào)傳輸速率選擇合適的 接到地；； 之間。比如1Kbps的數(shù)據(jù)率，選擇1000pF的電容,1Mbps的數(shù)據(jù)率，選擇200pF的電容.合嵌電子科如圖422總線的IO互連線上串聯(lián)使用了 15.電路板與機(jī)殼內(nèi)邊緣相隔一定的距離，或者電路板的邊緣留下0.3mm的16.當(dāng)電路內(nèi)存在多個(gè)高速數(shù)字 17.法拉第 GND地上，可以取得一定的RF抑制效果和防靜電效果。如此PCB圖中20關(guān)鍵性的走線，比如數(shù)據(jù)線、時(shí)鐘信號(hào)線、復(fù)位線等需要遵循3W布線 ）縮進(jìn)了約1mm .

性的關(guān)注度。如下圖存在的地回路阻抗斷裂的問題，如圖所示：主四周

如果是DDR2SDRAM或者DDR3，因?yàn)镃LK時(shí)鐘頻率比較高，所以DDR引 CORTEXA8 如下圖中高亮的 到TDLTE模之 第二種布線方式如圖,為了保持阻抗一致，L3和L4的走線要比L1寬1左右，L5的走線又要比L3寬1倍左 時(shí)鐘線等布置成微帶線；5.為每一個(gè)走線提供續(xù)的參考層，走線盡量不要不同的參考層；6.對(duì)GND如下圖中對(duì)GNDAD地在電路板的中間，造29.將電路中器件分成兩大類：高速(>40MHz)器件和低速器件。如果可能的30.最后明確 MPU6050、ZigbeeUE-STM32F103開發(fā)板的淘 UE-AT9

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