蘭州半導(dǎo)體硅片項目可行性研究報告

蘭州半導(dǎo)體硅片項目可行性研究報告xxx有限公司

目錄第一章項目背景及必要性 8一、半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢 8二、行業(yè)發(fā)展態(tài)勢 10三、SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景 13第二章項目概況 17一、項目名稱及投資人 17二、編制原則 17三、編制依據(jù) 18四、編制范圍及內(nèi)容 18五、項目建設(shè)背景 19六、結(jié)論分析 19主要經(jīng)濟指標一覽表 21第三章行業(yè)、市場分析 24一、半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類 24二、半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類 29第四章產(chǎn)品方案分析 35一、建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容 35二、產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng) 35產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表 35第五章建筑工程說明 37一、項目工程設(shè)計總體要求 37二、建設(shè)方案 37三、建筑工程建設(shè)指標 38建筑工程投資一覽表 38第六章項目選址方案 40一、項目選址原則 40二、建設(shè)區(qū)基本情況 40三、創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展 44四、社會經(jīng)濟發(fā)展目標 46五、產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向 48六、項目選址綜合評價 51第七章運營管理 52一、公司經(jīng)營宗旨 52二、公司的目標、主要職責(zé) 52三、各部門職責(zé)及權(quán)限 53四、財務(wù)會計制度 56第八章組織架構(gòu)分析 64一、人力資源配置 64勞動定員一覽表 64二、員工技能培訓(xùn) 64第九章環(huán)境影響分析 67一、環(huán)境保護綜述 67二、建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析 68三、建設(shè)期水環(huán)境影響分析 69四、建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析 70五、建設(shè)期聲環(huán)境影響分析 70六、營運期環(huán)境影響 71七、環(huán)境影響綜合評價 71第十章原輔材料成品管理 73一、項目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況 73二、項目運營期原輔材料供應(yīng)及質(zhì)量管理 73第十一章項目實施進度計劃 74一、項目進度安排 74項目實施進度計劃一覽表 74二、項目實施保障措施 75第十二章節(jié)能分析 76一、項目節(jié)能概述 76二、能源消費種類和數(shù)量分析 77能耗分析一覽表 77三、項目節(jié)能措施 78四、節(jié)能綜合評價 78第十三章投資方案 80一、投資估算的依據(jù)和說明 80二、建設(shè)投資估算 81建設(shè)投資估算表 85三、建設(shè)期利息 85建設(shè)期利息估算表 85固定資產(chǎn)投資估算表 87四、流動資金 87流動資金估算表 88五、項目總投資 89總投資及構(gòu)成一覽表 89六、資金籌措與投資計劃 90項目投資計劃與資金籌措一覽表 90第十四章經(jīng)濟收益分析 92一、經(jīng)濟評價財務(wù)測算 92營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表 92綜合總成本費用估算表 93固定資產(chǎn)折舊費估算表 94無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表 95利潤及利潤分配表 97二、項目盈利能力分析 97項目投資現(xiàn)金流量表 99三、償債能力分析 100借款還本付息計劃表 101第十五章風(fēng)險分析 103一、項目風(fēng)險分析 103二、項目風(fēng)險對策 105報告說明根據(jù)ICInsights統(tǒng)計，受益于中國近年來IC設(shè)計公司數(shù)量的增長、規(guī)模的擴張，中國晶圓代工企業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模隨之?dāng)U大。2017年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增長30%，實現(xiàn)收入75.72億美元；2018年，中國晶圓代工企業(yè)銷售收入增速進一步提高，高達41%，是2018年全球晶圓代工市場規(guī)模增速5%的8倍，實現(xiàn)收入106.90億美元。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資26469.65萬元，其中：建設(shè)投資21832.39萬元，占項目總投資的82.48%；建設(shè)期利息226.70萬元，占項目總投資的0.86%；流動資金4410.56萬元，占項目總投資的16.66%。項目正常運營每年營業(yè)收入46800.00萬元，綜合總成本費用38602.94萬元，凈利潤5992.06萬元，財務(wù)內(nèi)部收益率17.01%，財務(wù)凈現(xiàn)值6986.23萬元，全部投資回收期6.01年。本期項目具有較強的財務(wù)盈利能力，其財務(wù)凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。項目產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，市場發(fā)展空間大。本項目的建立投資合理，回收快，市場銷售好，無環(huán)境污染，經(jīng)濟效益和社會效益良好，這也奠定了公司可持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)。本期項目是基于公開的產(chǎn)業(yè)信息、市場分析、技術(shù)方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設(shè)計，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學(xué)習(xí)參考模板用途。項目背景及必要性半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢1、全球半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模與發(fā)展態(tài)勢由于半導(dǎo)體行業(yè)與全球宏觀經(jīng)濟形勢緊密相關(guān)，全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)在2009年受經(jīng)濟危機影響較為低迷出貨量與銷售額均出現(xiàn)下滑；2010年由于智能手機放量增長，硅片行業(yè)大幅反彈。2011年至2016年，全球經(jīng)濟逐漸復(fù)蘇但依舊較為低迷，硅片行業(yè)亦隨之低速發(fā)展。2017年以來，受益于半導(dǎo)體終端市場需求強勁，下游傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域計算機、移動通信、固態(tài)硬盤、工業(yè)電子市場持續(xù)增長，新興應(yīng)用領(lǐng)域如人工智能、區(qū)塊鏈、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子的快速發(fā)展，半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模不斷增長，并于2018年突破百億美元大關(guān)。2、全球各尺寸半導(dǎo)體硅片市場情況2018年，300mm硅片和200mm硅片市場份額分別為63.83%和26.14%，兩種尺寸硅片合計占比接近90.00%。2011年開始，200mm半導(dǎo)體硅片市場占有率穩(wěn)定在25-27%之間。2016年至2017年，由于汽車電子、智能手機用指紋芯片、液晶顯示器市場需求快速增長，200mm硅片出貨面積從2,690.00百萬平方英寸上升至3,085.00百萬平方英寸，同比增長14.68%。2018年，受益于汽車電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域的強勁需求，以及功率器件、傳感器等生產(chǎn)商將部分產(chǎn)能從150mm轉(zhuǎn)移至200mm，帶動200mm硅片繼續(xù)保持增長，200mm硅片出貨面積達到3,278.00百萬平方英寸，同比增長6.25%。自2000年全球第一條300mm芯片制造生產(chǎn)線建成以來，300mm半導(dǎo)體硅片市場需求增加，出貨面積不斷上升。2008年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨量首次超過200mm半導(dǎo)體硅片；2009年，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積超過其他尺寸半導(dǎo)體硅片出貨面積之和。2000年至2018年，由于移動通信、計算機等終端市場持續(xù)快速發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積從94.00百萬平方英寸擴大至8,005.00百萬平方英寸，市場份額從1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成為半導(dǎo)體硅片市場最主流的產(chǎn)品。2016至2018年，由于人工智能、區(qū)塊鏈、云計算等新興終端市場的蓬勃發(fā)展，300mm半導(dǎo)體硅片出貨面積分別為6,817.00、7,261.00、8,005.00百萬平方英寸，年均復(fù)合增長率為8.36%。3、中國大陸半導(dǎo)體硅片市場現(xiàn)狀及前景2008年至2013年，中國大陸半導(dǎo)體硅片市場發(fā)展趨勢與全球半導(dǎo)體硅片市場一致。2014年起，隨著中國各半導(dǎo)體制造生產(chǎn)線投產(chǎn)、中國半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷進步與中國半導(dǎo)體終端產(chǎn)品市場的飛速發(fā)展，中國大陸半導(dǎo)體硅片市場步入了飛躍式發(fā)展階段。2016年至2018年，中國大陸半導(dǎo)體硅片銷售額從5.00億美元上升至9.92億美元，年均復(fù)合增長率高達40.88%，遠高于同期全球半導(dǎo)體硅片的年均復(fù)合增長率25.65%。中國作為全球最大的半導(dǎo)體產(chǎn)品終端市場，預(yù)計未來隨著中國芯片制造產(chǎn)能的持續(xù)擴張，中國半導(dǎo)體硅片市場的規(guī)模將繼續(xù)以高于全球市場的速度增長。半導(dǎo)體硅片作為芯片制造的關(guān)鍵材料，市場集中度很高，目前全球半導(dǎo)體硅片市場主要被日本、德國、韓國、中國臺灣等國家和地區(qū)的知名企業(yè)占據(jù)。中國大陸的半導(dǎo)體硅片企業(yè)主要生產(chǎn)150mm及以下的半導(dǎo)體硅片，僅有少數(shù)幾家企業(yè)具有200mm半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。2017年以前，300mm半導(dǎo)體硅片幾乎全部依賴進口。2018年，硅產(chǎn)業(yè)集團子公司上海新昇作為中國大陸率先實現(xiàn)300mm硅片規(guī)?；N售的企業(yè)，打破了300mm半導(dǎo)體硅片國產(chǎn)化率幾乎為0%的局面。行業(yè)發(fā)展態(tài)勢1、半導(dǎo)體硅片向大尺寸方向發(fā)展在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。在未來一段時間內(nèi)，300mm半導(dǎo)體硅片仍將作為主流尺寸，同時100-150mm半導(dǎo)體硅片產(chǎn)能將逐步向200mm硅片轉(zhuǎn)移，而200mm硅片產(chǎn)能將逐步向300mm硅片轉(zhuǎn)移。向大尺寸方向發(fā)展是半導(dǎo)體硅片行業(yè)最基本的發(fā)展趨勢。2、行業(yè)集中度較高過去30年間，半導(dǎo)體硅片行業(yè)集中度持續(xù)提升。20世紀90年代，全球主要的半導(dǎo)體硅片企業(yè)超過20家。2016-2018年，全球前五大硅片企業(yè)的市場份額已從85%提升至93%。半導(dǎo)體硅片行業(yè)兼具技術(shù)密集型、資本密集型與人才密集型的特征。行業(yè)龍頭企業(yè)通過多年的技術(shù)積累和規(guī)模效應(yīng)，已經(jīng)建立了較高的行業(yè)壁壘。半導(dǎo)體行業(yè)的周期性較強，規(guī)模較小的企業(yè)難以在行業(yè)低谷時期生存，而行業(yè)龍頭企業(yè)由于產(chǎn)品種類較為豐富、與行業(yè)上下游的談判能力更強、單位固定成本更低，更容易承受行業(yè)的周期性波動。通過并購的方式實現(xiàn)外延式擴張是一些半導(dǎo)體硅片龍頭企業(yè)發(fā)展壯大的路徑。如信越化學(xué)在1999年并購了日立的硅片業(yè)務(wù)；SUMCO為住友金屬工業(yè)的硅制造部門、聯(lián)合硅制造公司以及三菱硅材料公司合并而成；環(huán)球晶圓在2012年收購了東芝陶瓷旗下的CovalentMaterials的半導(dǎo)體晶圓業(yè)務(wù)之后成為全球第六大半導(dǎo)體硅片廠，并于2016年收購了正在虧損的SunEdisonSemiconductorLimited、丹麥TopsilSemiconductorMaterialsA/S半導(dǎo)體事業(yè)部，進一步提升其市場占有率，也提高了整個行業(yè)的集中度。3、終端新興應(yīng)用涌現(xiàn)半導(dǎo)體硅片行業(yè)除了受宏觀經(jīng)濟影響，亦受到具體終端市場的影響。例如2010年，全球宏觀經(jīng)濟增速僅4%，但由于iPhone4和iPad的推出，大幅拉動了半導(dǎo)體行業(yè)的需求，2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)收入增長達32%。2017年開始，大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能、新能源汽車、區(qū)塊鏈等新興終端應(yīng)用的出現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè)進入了多種新型需求同時爆發(fā)的新一輪上行周期。4、全球半導(dǎo)體行業(yè)區(qū)域轉(zhuǎn)移半導(dǎo)體行業(yè)具有生產(chǎn)技術(shù)工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高風(fēng)險大、下游應(yīng)用廣泛等特點，疊加下游新興應(yīng)用市場的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈從集成化到垂直化分工的趨勢越來越明確，并經(jīng)歷了兩次空間上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次為20世紀70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀80年代向韓國與中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)正在開始第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，即向中國大陸轉(zhuǎn)移。歷史上兩次成功的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移都帶動了目標國產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、垂直化分工進程的推進和資源優(yōu)化配置。對于產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目標國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往往從封裝測試向芯片制造與設(shè)計延伸，擴展至半導(dǎo)體材料與設(shè)備，最終實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展。與發(fā)達國家和地區(qū)相比，目前中國大陸在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的分工仍處于前期，半導(dǎo)體材料和設(shè)備行業(yè)將成為未來增長的重點。受益于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國大陸轉(zhuǎn)移，中國大陸作為全球最大半導(dǎo)體終端產(chǎn)品消費市場，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)模不斷擴大，隨著國際產(chǎn)能不斷向中國轉(zhuǎn)移，中資、外資半導(dǎo)體企業(yè)紛紛在中國投資建廠，中國大陸半導(dǎo)體硅片需求將不斷增長。5、政策推動中國半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè)是中國電子信息產(chǎn)業(yè)的重要增長點、驅(qū)動力。近年來，中國政府頒布了一系列政策支持半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。2016年，全國人大發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要》，明確將培育集成電路產(chǎn)業(yè)體系、大力推進先進半導(dǎo)體等新興前沿領(lǐng)域創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化作為中國近期發(fā)展重點。2017年，科技部將300mm硅片大生產(chǎn)線的應(yīng)用并實現(xiàn)規(guī)模化銷售列為《“十三五”先進制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》。2018年，國務(wù)院將推動集成電路、新材料等產(chǎn)業(yè)發(fā)展列入《2018年政府工作報告》。2014年，隨著國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金的設(shè)立，各地方亦紛紛設(shè)立了集成電路產(chǎn)業(yè)基金。半導(dǎo)體硅片作為集成電路基礎(chǔ)性、關(guān)鍵性材料，屬于國家行業(yè)政策與資金重點支持發(fā)展的領(lǐng)域。SOI硅片市場現(xiàn)狀及前景1、SOI硅片市場規(guī)模2016年至2018年全球SOI硅片市場銷售額從4.41億美元增長至7.17億美元，年均復(fù)合增長率27.51%；同期，中國SOI硅片市場銷售額從0.02億美元上升至0.11億美元，年均復(fù)合增長率132.46%。作為特殊硅基材料，SOI硅片生產(chǎn)工藝更復(fù)雜、成本更高、應(yīng)用領(lǐng)域更專業(yè)，全球范圍內(nèi)僅有Soitec、信越化學(xué)、環(huán)球晶圓、SUMCO和硅產(chǎn)業(yè)集團等少數(shù)企業(yè)有能力生產(chǎn)。而在需求方面，中國大陸芯片制造領(lǐng)域具備SOI芯片生產(chǎn)能力的企業(yè)并不多，因此中國SOI硅片產(chǎn)銷規(guī)模較小。2、SOI硅片在射頻前端芯片中的應(yīng)用射頻前端芯片是超小型內(nèi)置芯片模塊，集成了無線前端電路中使用的各種功能芯片，包括功率放大器、天線調(diào)諧器、低噪聲放大器、濾波器和射頻開關(guān)等。射頻前端芯片主要功能為處理模擬信號，是以移動智能終端為代表的無線通信設(shè)備的核心器件之一。近年來，移動通信技術(shù)迅速發(fā)展，移動數(shù)據(jù)傳輸量和傳輸速度不斷提升，對于配套的射頻前端芯片的工作頻率、集成度與復(fù)雜性的要求隨之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有電荷陷阱層的高阻SOI），是用于射頻前端芯片的SOI硅片，其具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、集成密度高、速度快、功耗低、工藝簡單等優(yōu)點，符合射頻前端芯片對于高速、高線性與低插損等要求。為了應(yīng)對射頻前端芯片對于集成度與復(fù)雜性的更高要求，RF-SOI工藝可以在不影響半導(dǎo)體器件工作頻率的情況下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的結(jié)構(gòu)與良好的電學(xué)性能，為系統(tǒng)設(shè)計提供了巨大的靈活性。由于SOI是硅基材料，很容易與其它器件集成，同時可以使用標準的集成電路生產(chǎn)線以降低芯片制造企業(yè)的生產(chǎn)成本。例如，SOI與CMOS工藝的兼容使其能將數(shù)字電路與模擬電路混合，在射頻電路應(yīng)用領(lǐng)域優(yōu)勢明顯。RF-SOI工藝在射頻集成方面具有多種優(yōu)勢：SOI硅片中絕緣埋層（BOX）的存在，實現(xiàn)了器件有源區(qū)和襯底之間的完全隔離，有效降低了寄生電容，從而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻襯底，降低高頻RF和數(shù)字、混和信號器件之間的串?dāng)_并大幅度降低射頻前端的噪聲量，同時降低了高頻插入損耗；作為一種全介質(zhì)隔離，RF-SOI實現(xiàn)了RF電路與數(shù)字電路的單片集成。目前海外RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈較為成熟，格羅方德、意法半導(dǎo)體、TowerJazz、臺電和臺灣聯(lián)華電子等芯片制造企業(yè)均具有基于RF-SOI工藝的芯片生產(chǎn)線。國內(nèi)RF-SOI產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，下游終端智能手機市場發(fā)展迅速，中游射頻前端模塊和器件大部分依賴進口。目前，雖然我國企業(yè)具備RF-SOI硅片大規(guī)模生產(chǎn)能力，但是國內(nèi)僅有少數(shù)芯片制造企業(yè)具有基于RF-SOI工藝制造射頻前端芯片的能力，因此國產(chǎn)RF-SOI硅片以出口為主。SOI硅片主要應(yīng)用于智能手機、WiFi等無線通信設(shè)備的射頻前端芯片，亦應(yīng)用于汽車電子、功率器件、傳感器等產(chǎn)品。未來，隨著5G通信技術(shù)的不斷成熟，新一輪智能手機的更新?lián)Q代即將到來，以及自動駕駛、車聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，SOI硅片需求將持續(xù)上升。項目概況項目名稱及投資人（一）項目名稱蘭州半導(dǎo)體硅片項目（二）項目投資人xxx有限公司（三）建設(shè)地點本期項目選址位于xx（以選址意見書為準）。編制原則1、所選擇的工藝技術(shù)應(yīng)先進、適用、可靠，保證項目投產(chǎn)后，能安全、穩(wěn)定、長周期、連續(xù)運行。2、所選擇的設(shè)備和材料必須可靠，并注意解決好超限設(shè)備的制造和運輸問題。3、充分依托現(xiàn)有社會公共設(shè)施，以降低投資，加快項目建設(shè)進度。4、貫徹主體工程與環(huán)境保護、勞動安全和工業(yè)衛(wèi)生、消防同時設(shè)計、同時建設(shè)、同時投產(chǎn)。5、消防、衛(wèi)生及安全設(shè)施的設(shè)置必須貫徹國家關(guān)于環(huán)境保護、勞動安全的法規(guī)和要求，符合行業(yè)相關(guān)標準。6、所選擇的產(chǎn)品方案和技術(shù)方案應(yīng)是優(yōu)化的方案，以最大程度減少投資，提高項目經(jīng)濟效益和抗風(fēng)險能力?？茖W(xué)論證項目的技術(shù)可靠性、項目的經(jīng)濟性，實事求是地作出研究結(jié)論。編制依據(jù)1、《中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要》；2、《中國制造2025》；3、《建設(shè)項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)及使用手冊》（第三版）；4、項目公司提供的發(fā)展規(guī)劃、有關(guān)資料及相關(guān)數(shù)據(jù)等。編制范圍及內(nèi)容1、對項目提出的背景、建設(shè)必要性、市場前景分析；2、對產(chǎn)品方案、工藝流程、技術(shù)水平進行論述，確定建設(shè)規(guī)模；3、對項目建設(shè)條件、場地、原料供應(yīng)及交通運輸條件的評價；4、對項目的總圖運輸、公用工程等技術(shù)方案進行研究；5、對項目消防、環(huán)境保護、勞動安全衛(wèi)生和節(jié)能措施的評價；6、對項目實施進度和勞動定員的確定；7、投資估算和資金籌措和經(jīng)濟效益評價；8、提出本項目的研究工作結(jié)論。項目建設(shè)背景根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。堅持供給側(cè)和需求側(cè)并重，以供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革為突破口，加快解決現(xiàn)階段我市發(fā)展面臨的區(qū)域結(jié)構(gòu)、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、要素投入結(jié)構(gòu)、排放結(jié)構(gòu)、經(jīng)濟增長動力結(jié)構(gòu)和收入分配結(jié)構(gòu)上存在的結(jié)構(gòu)性缺陷，從供給端入手，提高創(chuàng)新、勞動力、土地、資本的全要素生產(chǎn)率，擴大有效供給，推進發(fā)展方式的轉(zhuǎn)變，促進經(jīng)濟社會健康可持續(xù)發(fā)展。結(jié)論分析（一）項目選址本期項目選址位于xx（以選址意見書為準），占地面積約73.00畝。（二）建設(shè)規(guī)模與產(chǎn)品方案項目正常運營后，可形成年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)能力。（三）項目實施進度本期項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。（四）投資估算本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資26469.65萬元，其中：建設(shè)投資21832.39萬元，占項目總投資的82.48%；建設(shè)期利息226.70萬元，占項目總投資的0.86%；流動資金4410.56萬元，占項目總投資的16.66%。（五）資金籌措項目總投資26469.65萬元，根據(jù)資金籌措方案，xxx有限公司計劃自籌資金（資本金）17216.54萬元。根據(jù)謹慎財務(wù)測算，本期工程項目申請銀行借款總額9253.11萬元。（六）經(jīng)濟評價1、項目達產(chǎn)年預(yù)期營業(yè)收入（SP）：46800.00萬元。2、年綜合總成本費用（TC）：38602.94萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤（NP）：5992.06萬元。4、財務(wù)內(nèi)部收益率（FIRR）：17.01%。5、全部投資回收期（Pt）：6.01年（含建設(shè)期12個月）。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點（BEP）：18495.23萬元（產(chǎn)值）。（七）社會效益本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。本項目實施后，可滿足國內(nèi)市場需求，增加國家及地方財政收入，帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，為社會提供更多的就業(yè)機會。另外，由于本項目環(huán)保治理手段完善，不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此，本項目建設(shè)具有良好的社會效益。（八）主要經(jīng)濟技術(shù)指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積㎡48667.00約73.00畝1.1總建筑面積㎡79732.391.2基底面積㎡31633.551.3投資強度萬元/畝275.822總投資萬元26469.652.1建設(shè)投資萬元21832.392.1.1工程費用萬元18137.562.1.2其他費用萬元3014.902.1.3預(yù)備費萬元679.932.2建設(shè)期利息萬元226.702.3流動資金萬元4410.563資金籌措萬元26469.653.1自籌資金萬元17216.543.2銀行貸款萬元9253.114營業(yè)收入萬元46800.00正常運營年份5總成本費用萬元38602.94""6利潤總額萬元7989.41""7凈利潤萬元5992.06""8所得稅萬元1997.35""9增值稅萬元1730.37""10稅金及附加萬元207.65""11納稅總額萬元3935.37""12工業(yè)增加值萬元13660.95""13盈虧平衡點萬元18495.23產(chǎn)值14回收期年6.0115內(nèi)部收益率17.01%所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元6986.23所得稅后行業(yè)、市場分析半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415℃，高于鍺的熔點937℃，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登?摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配。考慮到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。半導(dǎo)體硅片介紹及主要種類1、半導(dǎo)體硅片簡介常見的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體及砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）等化合物半導(dǎo)體。相較于鍺，硅的熔點為1,415℃，高于鍺的熔點937℃，較高的熔點使硅可以廣泛應(yīng)用于高溫加工工藝中；硅的禁帶寬度大于鍺，更適合制作高壓器件。相較于砷化鎵，硅安全無毒、對環(huán)境無害，而砷元素為有毒物質(zhì)；并且鍺、砷化鎵均沒有天然的氧化物，在晶圓制造時還需要在表面沉積多層絕緣體，這會導(dǎo)致下游晶圓制造的生產(chǎn)步驟增加從而使生產(chǎn)成本提高。硅基半導(dǎo)體材料是目前產(chǎn)量最大、應(yīng)用最廣的半導(dǎo)體材料，90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是用硅基材料制作的。硅在地殼中占比約27%，是除了氧元素之外第二豐富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸鹽的形式大量存在于沙子、巖石、礦物中，儲量豐富并且易于取得。通常將95-99%純度的硅稱為工業(yè)硅。沙子、礦石中的二氧化硅經(jīng)過純化，可制成純度98%以上的硅；高純度硅經(jīng)過進一步提純變?yōu)榧兌冗_99.9999999%至99.999999999%（9-11個9）的超純多晶硅；超純多晶硅在石英坩堝中熔化，并摻入硼（P）、磷（B）等元素改變其導(dǎo)電能力，放入籽晶確定晶向，經(jīng)過單晶生長，制成具有特定電性功能的單晶硅錠。熔體的溫度、提拉速度和籽晶/石英坩堝的旋轉(zhuǎn)速度決定了單晶硅錠的尺寸和晶體質(zhì)量，而熔體中的硼（P）、磷（B）等雜質(zhì)元素的濃度決定了單晶硅錠的電特性。單晶硅錠經(jīng)過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導(dǎo)體硅片。在半導(dǎo)體硅片上可布設(shè)晶體管及多層互聯(lián)線，使之成為具有特定功能的集成電路或半導(dǎo)體器件產(chǎn)品。在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導(dǎo)體器件的可靠性。2、半導(dǎo)體硅片的主要種類1965年，戈登?摩爾提出摩爾定律：集成電路上所集成的晶體管數(shù)量，每隔18個月就提升一倍，相應(yīng)的集成電路性能增強一倍，成本隨之下降一半。對于芯片制造企業(yè)而言，這意味著需要不斷提升單片硅片可生產(chǎn)的芯片數(shù)量、降低單片硅片的制造成本以便與摩爾定律同步。半導(dǎo)體硅片的直徑越大，在單片硅片上可制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。半導(dǎo)體硅片的尺寸（以直徑計算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）與300mm（12英寸）等規(guī)格。在摩爾定律的影響下，半導(dǎo)體硅片正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，向大尺寸演進是半導(dǎo)體硅片制造技術(shù)的發(fā)展方向。硅片尺寸越大，在單片硅片上制造的芯片數(shù)量就越多，單位芯片的成本隨之降低。同時，在圓形的硅片上制造矩形的芯片會使硅片邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，必然會浪費部分硅片。硅片的尺寸越大，相對而言硅片邊緣的損失會越小，有利于進一步降低芯片的成本。例如，在同樣的工藝條件下，300mm半導(dǎo)體硅片的可使用面積超過200mm硅片的兩倍以上，可使用率（衡量單位晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量的指標）是200mm硅片的2.5倍左右。半導(dǎo)體硅片尺寸越大，對半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)技術(shù)、設(shè)備、材料、工藝的要求越高。目前，全球市場主流的產(chǎn)品是200mm、300mm直徑的半導(dǎo)體硅片，下游芯片制造行業(yè)的設(shè)備投資也與200mm和300mm規(guī)格相匹配。考慮到大部分200mm及以下芯片制造生產(chǎn)線投產(chǎn)時間較早，絕大部分設(shè)備已折舊完畢，因此200mm及以下半導(dǎo)體硅片對應(yīng)的芯片制造成本往往較低，在部分領(lǐng)域使用200mm及以下半導(dǎo)體硅片的綜合成本可能并不高于300mm半導(dǎo)體硅片。此外，在高精度模擬電路、射頻前端芯片、嵌入式存儲器、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）圖像傳感器、高壓MOS等特殊產(chǎn)品方面，200mm及以下芯片制造的工藝更為成熟。綜上，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求依然存在。隨著汽車電子、工業(yè)電子等應(yīng)用的驅(qū)動，200mm半導(dǎo)體硅片的需求呈上漲趨勢。目前，除上述特殊產(chǎn)品外，200mm及以下半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于功率器件、電源管理器、非易失性存儲器、MEMS、顯示驅(qū)動芯片與指紋識別芯片等，終端應(yīng)用領(lǐng)域主要為移動通信、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電子等。目前，300mm半導(dǎo)體硅片的需求主要來源于存儲芯片、圖像處理芯片、通用處理器芯片、高性能FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列）與ASIC（專用集成電路），終端應(yīng)用主要為智能手機、計算機、云計算、人工智能、SSD（固態(tài)存儲硬盤）等較為高端領(lǐng)域。根據(jù)制造工藝分類，半導(dǎo)體硅片主要可以分為拋光片、外延片與以SOI硅片為代表的高端硅基材料。單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到拋光片。拋光片經(jīng)過外延生長形成外延片，拋光片經(jīng)過氧化、鍵合或離子注入等工藝處理后形成SOI硅片。隨著集成電路特征線寬的不斷縮小，光刻機的景深也越來越小，硅片上極其微小的高度差都會使集成電路布線圖發(fā)生變形、錯位，這對硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面顆粒度和潔凈度對半導(dǎo)體產(chǎn)品的良品率也有直接影響。拋光工藝可去除加工表面殘留的損傷層，實現(xiàn)半導(dǎo)體硅片表面平坦化，并進一步減小硅片的表面粗糙度以滿足芯片制造工藝對硅片平整度和表面顆粒度的要求。拋光片可直接用于制作半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于存儲芯片與功率器件等，也可作為外延片、SOI硅片的襯底材料。外延是通過化學(xué)氣相沉積的方式在拋光面上生長一層或多層，摻雜類型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)都符合特定器件要求的新硅單晶層。外延技術(shù)可以減少硅片中因單晶生長產(chǎn)生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS電路中使用，如通用處理器芯片、圖形處理器芯片等，由于外延片相較于拋光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了柵氧化層的完整性，改善了溝道中的漏電現(xiàn)象，從而提升了集成電路的可靠性。除此之外，通常在低電阻率的硅襯底上外延生長一層高電阻率的外延層，應(yīng)用于二極管、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高電壓的環(huán)境中，硅襯底的低電阻率可降低導(dǎo)通電阻，高電阻率的外延層可以提高器件的擊穿電壓。外延片提升了器件的可靠性，并減少了器件的能耗，因此在工業(yè)電子、汽車電子等領(lǐng)域廣泛使用。SOI硅片即絕緣體上硅，是常見的硅基材料之一，其核心特征是在頂層硅和支撐襯底之間引入了一層氧化物絕緣埋層。SOI硅片的優(yōu)勢在于可以通過絕緣埋層實現(xiàn)全介質(zhì)隔離，這將大幅減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象，并消除了閂鎖效應(yīng)。SOI硅片具有寄生電容小、短溝道效應(yīng)小、低壓低功耗、集成密度高、速度快、工藝簡單、抗宇宙射線粒子的能力強等優(yōu)點。因此，SOI硅片適合應(yīng)用在要求耐高壓、耐惡劣環(huán)境、低功耗、集成度高的芯片上，如射頻前端芯片、功率器件、汽車電子、傳感器以及星載芯片等。產(chǎn)品方案分析建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容（一）項目場地規(guī)模該項目總占地面積48667.00㎡（折合約73.00畝），預(yù)計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積79732.39㎡。（二）產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xxx有限公司建設(shè)能力分析，建設(shè)規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)xxx噸半導(dǎo)體硅片，預(yù)計年營業(yè)收入46800.00萬元。產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風(fēng)險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預(yù)測情況確定，同時，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品（服務(wù)）名稱單位單價（元）年設(shè)計產(chǎn)量產(chǎn)值1半導(dǎo)體硅片噸xxx2半導(dǎo)體硅片噸xxx3半導(dǎo)體硅片噸xxx4...噸5...噸6...噸合計xxx46800.00雖然中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模持續(xù)擴張，但中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依然嚴重依賴進口。根據(jù)海關(guān)總署統(tǒng)計，2018年，中國集成電路進口金額達3,120.58億美元，連續(xù)第四年超過原油進口金額，位列中國進口商品第一位，并且貿(mào)易逆差還在不斷擴大。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化進程嚴重滯后于國內(nèi)快速增長的市場需求，中國半導(dǎo)體企業(yè)進口替代空間巨大。當(dāng)前，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵階段，實現(xiàn)核心技術(shù)的“自主可控”是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段最重要的目標。建筑工程說明項目工程設(shè)計總體要求1、建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計力求貫徹“經(jīng)濟、實用和兼顧美觀”的原則，根據(jù)工藝需要，結(jié)合當(dāng)?shù)氐刭|(zhì)條件及地需條件綜合考慮。2、為滿足工藝生產(chǎn)的需要，方便操作、檢修和管理，盡量采取廠房一體化，充分考慮豎向組合，立求縮短管線，降低能耗，節(jié)約用地，減少投資。3、為加快建設(shè)速度并為今后的技術(shù)改造留下發(fā)展空間，主廠房設(shè)計成輕鋼結(jié)構(gòu)，各層主要設(shè)備的懸掛、支撐均采用鋼結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)輕型化，并滿足防腐防爆規(guī)范及有關(guān)規(guī)定。建設(shè)方案（一）結(jié)構(gòu)方案1、設(shè)計采用的規(guī)范（1）由有關(guān)主導(dǎo)專業(yè)所提供的資料及要求；（2）國家及地方現(xiàn)行的有關(guān)建筑結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范、規(guī)程及規(guī)定；（3）當(dāng)?shù)氐匦?、地貌等自然條件。2、主要建筑物結(jié)構(gòu)設(shè)計（1）車間與倉庫：采用現(xiàn)澆鋼筋混凝土結(jié)構(gòu)，磚砌外墻作圍護結(jié)構(gòu)，基礎(chǔ)采用淺基礎(chǔ)及地梁拉接，并在適當(dāng)位置設(shè)置伸縮縫。（2）綜合樓、辦公樓:采用現(xiàn)澆鋼筋砼框架結(jié)構(gòu)，（二）建筑立面設(shè)計為使建筑物整體風(fēng)格具有時代特征，更加具有強烈的視覺效果，更加耐人尋味、引人入勝。建筑外形設(shè)計時盡可能簡潔明了，重點把握個體與部分之間的比例美與邏輯美，并注意各線、面、形之間的相互關(guān)系，充分利用方向、形體、質(zhì)感、虛實等多方位的建筑處理手法。建筑工程建設(shè)指標本期項目建筑面積79732.39㎡，其中：生產(chǎn)工程56421.61㎡，倉儲工程8945.96㎡，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施8297.50㎡，公共工程6067.32㎡。建筑工程投資一覽表單位：㎡、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程16449.4556421.617246.511.11#生產(chǎn)車間4934.8416926.482173.951.22#生產(chǎn)車間4112.3614105.401811.631.33#生產(chǎn)車間3947.8713541.191739.161.44#生產(chǎn)車間3454.3811848.541521.772倉儲工程8857.398945.961019.102.11#倉庫2657.222683.79305.732.22#倉庫2214.352236.49254.782.33#倉庫2125.772147.03244.582.44#倉庫1860.051878.65214.013辦公生活配套1929.658297.501202.253.1行政辦公樓1254.275393.38781.463.2宿舍及食堂675.382904.13420.794公共工程4428.706067.32667.53輔助用房等5綠化工程7543.39130.74綠化率15.50%6其他工程9490.0637.077合計48667.0079732.3910303.20項目選址方案項目選址原則1、符合國家地區(qū)城市規(guī)劃要求；2、滿足項目對：原材料、能源、水和人力的供應(yīng)；3、節(jié)約和效力原則；安全的原則；4、實事求是的原則；5、節(jié)約用地；6、注意環(huán)保（以人為本，減少對生態(tài)環(huán)境影響）。建設(shè)區(qū)基本情況蘭州，簡稱蘭或皋，古稱金城，是甘肅省省會，國務(wù)院批復(fù)確定的中國西部地區(qū)重要的中心城市之一、西北地區(qū)重要的工業(yè)基地和綜合交通樞紐、絲綢之路經(jīng)濟帶的重要節(jié)點城市。蘭州地處中國西北地區(qū)、甘肅省中部，位于中國大陸陸域版圖的幾何中心，是中國大西北鐵路、公路、航空的綜合交通樞紐，中國人民解放軍西部戰(zhàn)區(qū)陸軍機關(guān)駐地，也是新亞歐大陸橋中國段五大中心城市之一，西部重要的區(qū)域商貿(mào)中心和現(xiàn)代物流基地，享有絲路重鎮(zhèn)、黃河明珠、西部夏宮、水車之都、瓜果名城等美譽。蘭州是古絲綢之路上的重鎮(zhèn)，早在5000年前人類就在這里繁衍生息；西漢設(shè)立縣治，取金城湯池之意而稱金城；隋初改置蘭州總管府，始稱蘭州；自漢至唐、宋時期，隨著絲綢之路的開通，出現(xiàn)了絲綢西去、天馬東來的盛況，蘭州逐漸成為絲綢之路重要的交通要道和商埠重鎮(zhèn)，聯(lián)系西域少數(shù)民族的重要都會和紐帶，是黃河文化、絲路文化、中原文化與西域文化的重要交匯地。2012年8月28日，國務(wù)院批復(fù)設(shè)立西北地區(qū)第一個、中國第五個國家級新區(qū)——蘭州新區(qū)。文件中明確提出，要把建設(shè)蘭州新區(qū)作為深入實施西部大開發(fā)戰(zhàn)略的重要舉措，并于2020年將蘭州發(fā)展為西北地區(qū)現(xiàn)代化大都市。經(jīng)濟運行總體平穩(wěn)。面對復(fù)雜多變的內(nèi)外部環(huán)境，克服經(jīng)濟下行壓力帶來的不利影響，全力以赴穩(wěn)增長。實現(xiàn)生產(chǎn)總值2837.36億元，增長6%，其中一產(chǎn)、二產(chǎn)、三產(chǎn)增加值分別增長5.5%、1.9%和8.4%。社會消費品零售總額增長7.6%。就業(yè)、物價、收入三項指標表現(xiàn)較好，新增城鎮(zhèn)就業(yè)9.36萬人，居民消費價格指數(shù)控制在2.2%，城鄉(xiāng)居民人均可支配收入分別增長8.8%和10%，連續(xù)跑贏經(jīng)濟增速，有效保持了經(jīng)濟運行基本面穩(wěn)定。從機遇來看，黃河流域生態(tài)保護和高質(zhì)量發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略，“一帶一路”建設(shè)縱深推進，新時代推進西部大開發(fā)形成新格局深入實施，現(xiàn)代化中心城市建設(shè)步伐持續(xù)加快，“一心兩翼”城市框架不斷拉開，基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域補短板等政策利好充分釋放，蘭州高質(zhì)量發(fā)展未來可期、大有可為。只要我們趨利避害、揚長避短，乘勢而上、順勢而為，就一定能夠迎來美好的前景，取得更大的成績。今年經(jīng)濟社會發(fā)展主要預(yù)期目標是：生產(chǎn)總值增長6%；第一產(chǎn)業(yè)增加值增長5%；第二產(chǎn)業(yè)增加值增長4.8%，其中工業(yè)增加值增長4%，規(guī)模以上工業(yè)增加值增長4%，建筑業(yè)增加值增長7%；第三產(chǎn)業(yè)增加值增長6.8%；固定資產(chǎn)投資增長6%；社會消費品零售總額增長7%；一般公共預(yù)算收入增長3%；城鎮(zhèn)居民人均可支配收入增長7%；農(nóng)村居民人均可支配收入增長8.5%；居民消費價格指數(shù)漲幅控制在3.5%左右；單位生產(chǎn)總值能耗和主要污染物排放完成國家和省上下達的控制目標?！笆濉睍r期，發(fā)展環(huán)境和形勢將發(fā)生深刻的變化。全球經(jīng)濟處于后危機時代，世界經(jīng)濟和貿(mào)易進入恢復(fù)性增長期，新一輪科技革命帶來新一輪產(chǎn)業(yè)革命，世界多極化、經(jīng)濟全球化、文化多樣化、社會信息化深入發(fā)展。我國經(jīng)濟發(fā)展處于增速換檔、結(jié)構(gòu)升級和動力轉(zhuǎn)換的新常態(tài)，發(fā)展速度由高速轉(zhuǎn)向中高速，發(fā)展方式從規(guī)模型轉(zhuǎn)向質(zhì)量效益型，發(fā)展動力由要素投入轉(zhuǎn)向創(chuàng)新驅(qū)動。同時，國家宏觀調(diào)控由傳統(tǒng)強化需求端作用轉(zhuǎn)向供需兩端同時發(fā)力，在繼續(xù)擴大投資、消費、出口有效需求的同時，加快推進供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革，通過提高土地、資源、資本、創(chuàng)新等全要素的優(yōu)化配置，以高質(zhì)量的供給滿足市場需求或引導(dǎo)有效需求，建立供需匹配、可持續(xù)發(fā)展的新經(jīng)濟結(jié)構(gòu)，推動經(jīng)濟提質(zhì)增效?？傮w判斷，“十三五”時期我市發(fā)展面臨難得的機遇：一是蘭州新區(qū)建設(shè)的機遇。未來五年，蘭州新區(qū)伴隨基礎(chǔ)設(shè)施的完善和入駐企業(yè)的投產(chǎn)，產(chǎn)業(yè)集聚效益逐步發(fā)揮，新增產(chǎn)能不斷釋放，將逐步形成全市經(jīng)濟發(fā)展的重要增長極。二是政策平臺的機遇?！笆濉睍r期蘭州爭取到的國家級新區(qū)和眾多產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型、科技創(chuàng)新、基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、節(jié)能減排、生態(tài)環(huán)境、社會事業(yè)等方面的政策支持和資金支持將在“十三五”時期發(fā)揮效益，成為經(jīng)濟社會發(fā)展的強大支撐。三是創(chuàng)新驅(qū)動的機遇。創(chuàng)新驅(qū)動將成為推動經(jīng)濟社會持續(xù)健康發(fā)展的動力源泉，隨著蘭白科技創(chuàng)新改革試驗區(qū)建設(shè)的扎實推進，我市豐富的科技資源和人才優(yōu)勢必將高效轉(zhuǎn)化為發(fā)展的新動能，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、現(xiàn)代服務(wù)業(yè)、非公有制經(jīng)濟、中小企業(yè)必將迎來一個大的發(fā)展機遇，大眾創(chuàng)業(yè)、萬眾創(chuàng)新必將帶來新的發(fā)展動力和活力。四是對外開放的機遇。隨著國家“一帶一路”戰(zhàn)略深入實施，圍繞國家中歐國際貨運班列集結(jié)站和國際港務(wù)區(qū)建設(shè)加快推進，蘭州對外開放必將迎來一個全新的階段，對外開放的層次和水平將大幅提升，國際美譽度和影響力將持續(xù)提高，絲綢之路經(jīng)濟帶核心節(jié)點城市的作用將日益顯現(xiàn)，蘭州市將會成為國家實施向西開放的前沿陣地和重要戰(zhàn)略平臺。同時，我們也清醒地看到，蘭州的發(fā)展也面臨諸多困難和挑戰(zhàn)：一是產(chǎn)業(yè)布局不均衡。工業(yè)總量的85%集中在黃河河谷的主城區(qū)，第三產(chǎn)業(yè)的50%以上集中在城關(guān)區(qū)，部分產(chǎn)業(yè)園區(qū)活力不足、優(yōu)勢不明顯、產(chǎn)業(yè)集聚水平低。二是一產(chǎn)、二產(chǎn)、三產(chǎn)內(nèi)部結(jié)構(gòu)不盡合理。工業(yè)中石油化工、有色冶金等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)比重較大，能源消耗較高、污染排放較大，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)比重低、規(guī)模?。环?wù)業(yè)以傳統(tǒng)業(yè)態(tài)為主，現(xiàn)代服務(wù)業(yè)特別是生產(chǎn)性服務(wù)業(yè)發(fā)展滯后；現(xiàn)代農(nóng)業(yè)規(guī)模小，加工轉(zhuǎn)化水平低，增值鏈條短。三是自主創(chuàng)新能力不強。創(chuàng)新體系不完善，創(chuàng)新內(nèi)生動力不足，科技成果轉(zhuǎn)化率不高。四是城市建管水平較低。城市建設(shè)和管理相對滯后，支撐發(fā)展的綜合承載力不強，尤其是城市重大基礎(chǔ)設(shè)施欠賬大，暢交通、治污染任務(wù)艱巨，實現(xiàn)城市科學(xué)高效管理任重道遠。五是民生保障能力有待于提高。教育、衛(wèi)生、文化旅游等公共服務(wù)設(shè)施相對薄弱，基本公共服務(wù)保障水平較低，城鄉(xiāng)二元結(jié)構(gòu)矛盾依然存在，城鄉(xiāng)居民收入差距較大。這些問題和矛盾必須在“十三五”期間下大力氣加以解決。創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展按照省委提出的建設(shè)“大蘭州新蘭州”的新要求，充分發(fā)揮省會中心城市的區(qū)位和資源優(yōu)勢，著力推動大都市、大產(chǎn)業(yè)、大樞紐、大物流、大市場、大平臺建設(shè)，支撐經(jīng)濟社會持續(xù)健康發(fā)展。著力建設(shè)大都市。打造城市景觀特色，提升城市環(huán)境質(zhì)量，提高城市治理能力，增強城市發(fā)展活力，著力建設(shè)山水城市、宜居城市和活力城市。打造以蘭州為中心、100公里道路交通距離為半徑的“一小時經(jīng)濟圈”，提升蘭州輻射帶動功能，與周邊城市、重點城鎮(zhèn)形成優(yōu)勢互補、錯位發(fā)展格局，努力把蘭州建成現(xiàn)代化中心城市，經(jīng)濟總量占全省30%以上，人口規(guī)模達到500萬以上，在全省乃至西北地區(qū)發(fā)揮更大的中心帶動作用。著力建設(shè)大產(chǎn)業(yè)。加大傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造提升、提質(zhì)增效力度，爭取國家支持啟動蘭石化搬遷。壯大培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。加快發(fā)展生產(chǎn)性服務(wù)業(yè)和生活性服務(wù)業(yè)。著力發(fā)展電子信息（大數(shù)據(jù)）、文化旅游、健康養(yǎng)生、新材料以及城市投資開發(fā)等千億百億級大產(chǎn)業(yè)，形成新的增長極。著力建設(shè)大樞紐。加快建設(shè)“1221”鐵路樞紐運輸輻射網(wǎng)，蘭州西客站綜合交通樞紐基本建成。圍繞全省“6873”交通突破行動，率先實施道路暢通工程，努力構(gòu)建“139”城區(qū)道路網(wǎng)和“321”環(huán)城公路網(wǎng)，實現(xiàn)鄉(xiāng)鄉(xiāng)通省道，村村通四級以上公路。建成中川機場三期航站樓，增加30條以上國際航線，持續(xù)提升航空客運能力，打造國際貨運航空港，航空貨運實現(xiàn)重點突破。推進綜合保稅區(qū)與航空港一體化發(fā)展，打造臨空經(jīng)濟園區(qū)。全國性綜合交通樞紐優(yōu)勢地位持續(xù)強化。著力建設(shè)大物流。依托交通樞紐、重要通道功能優(yōu)勢，分類分層次設(shè)置物流集散中心，形成“342”物流集散中心網(wǎng)。大力發(fā)展國際中轉(zhuǎn)物流，建設(shè)蘭西拉、蘭銀包、蘭西烏等物流通道，完善輻射全省及全國各地的綜合物流網(wǎng)，全面提升現(xiàn)代物流業(yè)發(fā)展的層次和水平，更好地發(fā)揮全國性物流節(jié)點城市和西部地區(qū)重要的商品集散中心的作用。著力建設(shè)大市場。充分利用蘭州商品集散和輻射周邊省區(qū)的基礎(chǔ)條件，根據(jù)城鄉(xiāng)居民收入不斷提高和消費迅速升級的現(xiàn)狀，以創(chuàng)新供給帶動需求擴展，以擴大有效需求倒逼供給升級，加快建設(shè)區(qū)域商貿(mào)中心，推動綜合性市場與專業(yè)批發(fā)市場共同發(fā)展，建成統(tǒng)一、開放、競爭有序的市場體系，形成消費引領(lǐng)、服務(wù)驅(qū)動的發(fā)展格局，建成輻射周邊的大市場。著力建設(shè)大平臺。依托國家向西開放戰(zhàn)略機遇，以蘭州新區(qū)為基礎(chǔ)，以國際港務(wù)區(qū)建設(shè)為重點，構(gòu)建與中西亞及歐洲進行商業(yè)貿(mào)易、產(chǎn)業(yè)合作、信息服務(wù)、人文交流、機構(gòu)互設(shè)的大平臺，促進絲綢之路經(jīng)濟帶國家地區(qū)間的全方位交流合作。社會經(jīng)濟發(fā)展目標“十三五”時期，按照全面建成小康社會的要求，綜合考慮我市發(fā)展趨勢、發(fā)展基礎(chǔ)、主要任務(wù)和增長潛力，今后五年，要在已經(jīng)確定的全面建成小康社會目標任務(wù)的基礎(chǔ)上，努力實現(xiàn)以下新的發(fā)展目標?！?jīng)濟保持健康穩(wěn)定增長。在加快轉(zhuǎn)變經(jīng)濟發(fā)展方式、促進經(jīng)濟結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型升級、產(chǎn)業(yè)發(fā)展邁向中高端水平的基礎(chǔ)上，實現(xiàn)經(jīng)濟增長和城鄉(xiāng)居民收入增速高于全國全省平均水平，到2017年生產(chǎn)總值比2010年翻一番，2020年達到3050億元，在全省的經(jīng)濟首位度提高到30%以上；經(jīng)濟結(jié)構(gòu)更加合理，第三產(chǎn)業(yè)、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)、非公有制經(jīng)濟占全市生產(chǎn)總值的比重分別達65%、16%、60%以上；文化旅游產(chǎn)業(yè)成為支柱性產(chǎn)業(yè)，文化和旅游產(chǎn)業(yè)增加值分別占全市GDP的8%以上和5%以上；蘭白科技創(chuàng)新改革試驗區(qū)加快發(fā)展，研究與開發(fā)支出占生產(chǎn)總值比重達到2.6%以上，科技進步貢獻率達到60%以上，城市核心競爭力明顯增強?！嗣裆钏胶唾|(zhì)量大幅提升。新型城鎮(zhèn)化發(fā)展步伐加快，常住人口城鎮(zhèn)化率、戶籍人口城鎮(zhèn)化率分別達到85%、80%?，F(xiàn)代農(nóng)業(yè)取得明顯進展，城鄉(xiāng)居民收入差距逐步縮小，城鎮(zhèn)居民人均可支配收入達到43625元，年均增長10%；農(nóng)村居民人均可支配收入達到15750元，年均增長10.2%?，F(xiàn)行標準下農(nóng)村貧困人口實現(xiàn)脫貧，貧困縣全部摘帽，實現(xiàn)全市整體脫貧。就業(yè)、教育、文化、社保、醫(yī)療、住房等公共服務(wù)體系更加健全，城鎮(zhèn)新增就業(yè)達到25萬人，城鄉(xiāng)基本養(yǎng)老保險和基本醫(yī)療保險基本實現(xiàn)全覆蓋，全民參保登記率100%，人均預(yù)期壽命提高到74.5歲，基本公共服務(wù)均等化水平穩(wěn)步提高，各項社會事業(yè)協(xié)調(diào)推進，主要勞動年齡人口平均受教育年限達到11年以上，新增勞動力平均受教育年限達到13年以上?！鞘幸?guī)劃建設(shè)管理水平顯著提高。四版城市規(guī)劃、經(jīng)濟社會發(fā)展規(guī)劃、土地利用總體規(guī)劃執(zhí)行更加協(xié)調(diào)配套。交通突破行動深入實施，鐵路、公路、航空等綜合交通運輸體系建設(shè)取得重大突破。城市路、橋、管、網(wǎng)和軌道交通加快建設(shè)，建成“139”路網(wǎng)體系；軌道1、2號線一期工程竣工，軌道3號、4號線一期工程全線開工；建成地下綜合管廊100公里以上；建成5萬個公共停車泊位，4.5萬個公共立體停車位；建成50座以上景觀天橋地道，城區(qū)交通擁堵得到有效緩解。加強公共服務(wù)設(shè)施和公共基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，不斷提升城市綜合承載力，城市供水普及率達到100%以上，污水處理率達到100%?！鞘形拿鞒潭让黠@提升。弘揚優(yōu)秀傳統(tǒng)文化，大力推進立德樹人。中國夢和社會主義核心價值觀更加深入人心，人民思想道德素質(zhì)、科學(xué)文化素質(zhì)、健康素質(zhì)明顯提高，公共文化服務(wù)體系基本建成，全社會法治意識不斷增強。“五城聯(lián)創(chuàng)”取得重大突破，努力爭取全國文明城市和園林城市創(chuàng)建成功。產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向優(yōu)化空間布局，著力構(gòu)建主城區(qū)—蘭州新區(qū)—縣城—小城鎮(zhèn)一體化城鄉(xiāng)體系，推進蘭州新區(qū)和主城區(qū)互動發(fā)展，高新區(qū)和經(jīng)濟區(qū)錯位發(fā)展，縣域經(jīng)濟與特色城鎮(zhèn)梯次發(fā)展，加快培育壯大經(jīng)濟發(fā)展增長極，把蘭州建設(shè)成為全國有影響力的現(xiàn)代化中心城市。到2020年，全市生產(chǎn)總值突破3000億元，人口規(guī)模達到500萬人以上。加快基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，完善城市服務(wù)功能，建設(shè)九大產(chǎn)業(yè)園區(qū)，打造六大產(chǎn)業(yè)集群，促進產(chǎn)城融合發(fā)展。到2020年，新區(qū)生產(chǎn)總值達到400億元以上，年均增長20%以上，實現(xiàn)生產(chǎn)總值基本翻兩番，城鎮(zhèn)常住人口達到30萬人以上。加強基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。全面建成“三縱三橫一聯(lián)”快速路系統(tǒng)和“四縱四橫”城市骨架路網(wǎng)系統(tǒng)，加快公路、鐵路、航空建設(shè)，構(gòu)建集運輸組織、中轉(zhuǎn)換乘、裝卸存儲、多式聯(lián)運、輔助管理服務(wù)等綜合功能為一體的立體化交通運輸網(wǎng)絡(luò)體系。加快供電、供水、供氣、供熱、通信、消防設(shè)施、地下管廊、垃圾處理廠和污水處理廠建設(shè)，不斷健全完善公共基礎(chǔ)設(shè)施。構(gòu)建六大產(chǎn)業(yè)集群。加快建設(shè)石化、裝備制造、南部綜合、機場北、飛地經(jīng)濟、綜合保稅區(qū)、臨空經(jīng)濟、行政文化、科教研發(fā)九大園區(qū)，謀劃與韓國、馬來西亞等國合作建設(shè)具有國際化運營模式與管理水平的中外合作產(chǎn)業(yè)園。通過園區(qū)平臺著力構(gòu)建六大產(chǎn)業(yè)集群。石油化工：延伸乙烯、丙烯、芳烴、C4/C5、清潔油品及下游延伸產(chǎn)業(yè)五大產(chǎn)業(yè)鏈，發(fā)展丁基橡膠、乙丙橡膠、聚酯、聚碳酸酯、碳纖維等化工新材料，力爭啟動蘭州石化公司搬遷改造，建設(shè)國際一流標準的化工產(chǎn)業(yè)園。到2020年，石油化工業(yè)產(chǎn)值達到120億元。裝備制造：緊盯智能化、精密化、綠色化、離散化制造方向，著重發(fā)展新能源裝備、交通裝備、工程裝備、智能化農(nóng)業(yè)機械、電機與電梯裝備、節(jié)能環(huán)保裝備六大領(lǐng)域，提高智能化制造水平和產(chǎn)業(yè)核心競爭力，推進產(chǎn)業(yè)配套，提高成套能力和外向出口能力。到2020年，裝備制造業(yè)產(chǎn)值達到260億元。新材料：重點發(fā)展電子信息和光電材料、功能性材料、高分子材料，力爭在新材料關(guān)鍵技術(shù)和領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。加快打造以科天化工為龍頭的水性材料產(chǎn)業(yè)集群，以正威、北大眾志、四聯(lián)、潤晶為龍頭的電子信息材料與光電材料產(chǎn)業(yè)集群。到2020年，新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達到220億元。生物醫(yī)藥：緊密結(jié)合健康中國發(fā)展戰(zhàn)略，依托我省豐富的中藥材資源、蘭州生物制藥的研發(fā)優(yōu)勢以及中成藥的品牌優(yōu)勢，強化科技創(chuàng)新，建設(shè)西部藥谷，重點發(fā)展現(xiàn)代中藥、生物制藥、化學(xué)制藥和生物醫(yī)學(xué)工程四大領(lǐng)域，打造西部生物醫(yī)藥高端產(chǎn)品制造中心和創(chuàng)新研發(fā)中心。到2020年，生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達到150億元。農(nóng)產(chǎn)品加工：打造種植、加工、物流、展示、體驗一體化的農(nóng)產(chǎn)品加工產(chǎn)業(yè)集群。發(fā)展具有高原特色的花卉、林果、蔬菜加工業(yè)和牛羊肉制品、乳制品加工業(yè)。發(fā)展清真食品、啤酒及方便面等產(chǎn)品。加快建設(shè)清真產(chǎn)業(yè)園。到2020年，農(nóng)產(chǎn)品加工業(yè)產(chǎn)值達到60億元。信息產(chǎn)業(yè)：加快信息網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，發(fā)展大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)，打造全省大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)基地，建設(shè)西部一流的大數(shù)據(jù)存儲災(zāi)備中心和大數(shù)據(jù)應(yīng)用服務(wù)平臺。建立面向中西亞與歐洲國家的金融結(jié)算數(shù)據(jù)中心、商品貿(mào)易流通電子商務(wù)平臺。促進互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算的研發(fā)和示范應(yīng)用，推動信息化與工業(yè)化深度融合，著力發(fā)展數(shù)控機床、工業(yè)機器人、3D打印技術(shù)。到2020年，信息產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入達到100億元，其中電子信息制造產(chǎn)值達到60億元。項目選址綜合評價項目選址應(yīng)統(tǒng)籌區(qū)域經(jīng)濟社會可持續(xù)發(fā)展，符合城鄉(xiāng)規(guī)劃和相關(guān)標準規(guī)范，保證城鄉(xiāng)公共安全和項目建設(shè)安全，滿足項目科研、生產(chǎn)要求，社會經(jīng)濟效益、社會效益、環(huán)境效益相互協(xié)調(diào)發(fā)展。運營管理公司經(jīng)營宗旨以市場需求為導(dǎo)向；以科研創(chuàng)新求發(fā)展；以質(zhì)量服務(wù)樹品牌；致力于產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步和行業(yè)發(fā)展，創(chuàng)建國際知名企業(yè)。公司的目標、主要職責(zé)（一）目標近期目標：深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，優(yōu)化資源配置，加強企業(yè)管理，建立現(xiàn)代企業(yè)制度；精干主業(yè)，分離輔業(yè)，增強企業(yè)市場競爭力，加快發(fā)展；提高企業(yè)經(jīng)濟效益，完善管理制度及運營網(wǎng)絡(luò)。遠期目標：探索模式創(chuàng)新、制度創(chuàng)新、管理創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)發(fā)展新思路。堅持發(fā)展自主品牌，提升企業(yè)核心競爭力。此外，面向國際、國內(nèi)兩個市場，優(yōu)化資源配置，實施多元化戰(zhàn)略，向產(chǎn)業(yè)集團化發(fā)展，力爭利用3-5年的時間把公司建設(shè)成具有先進管理水平和較強市場競爭實力的大型企業(yè)集團。（二）主要職責(zé)1、執(zhí)行國家法律、法規(guī)和產(chǎn)業(yè)政策，在國家宏觀調(diào)控和行業(yè)監(jiān)管下，以市場需求為導(dǎo)向，依法自主經(jīng)營。2、根據(jù)國家和地方產(chǎn)業(yè)政策、半導(dǎo)體硅片行業(yè)發(fā)展規(guī)劃和市場需求，制定并組織實施公司的發(fā)展戰(zhàn)略、中長期發(fā)展規(guī)劃、年度計劃和重大經(jīng)營決策。3、根據(jù)國家法律、法規(guī)和半導(dǎo)體硅片行業(yè)有關(guān)政策，優(yōu)化配置經(jīng)營要素，組織實施重大投資活動，對投入產(chǎn)出效果負責(zé)，增強市場競爭力，促進區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體硅片行業(yè)持續(xù)、快速、健康發(fā)展。4、深化企業(yè)改革，加快結(jié)構(gòu)調(diào)整，轉(zhuǎn)換企業(yè)經(jīng)營機制，建立現(xiàn)代企業(yè)制度，強化內(nèi)部管理，促進企業(yè)可持續(xù)發(fā)展。5、指導(dǎo)和加強