電容觸摸屏原理與工藝制

電容屏工作簡單數(shù)學模型當手指或?qū)w觸摸到TP時，電容值Cp就會產(chǎn)生變化第一頁，共24頁。工作原理概括1.觸摸TP，寄生電容產(chǎn)生變化2.發(fā)射極發(fā)射信號，經(jīng)過容抗，阻抗后，信號產(chǎn)生滯后或超前，接收極接受信號后計算出具體數(shù)值，掃描整屏，產(chǎn)生數(shù)據(jù)矩陣3.和基準數(shù)據(jù)矩陣對比，產(chǎn)生DIFF值矩陣，使用重心算法映射到LCD分辨率，得出具體坐標值，賦予ID號4.產(chǎn)生中斷，主控使用IIC讀走數(shù)據(jù)第二頁，共24頁。電容觸摸屏分類CTP（CapacityTouchPanel）表面電容式投射電容式

自電容：檢測通道與地之間的寄生電容變化，有手指存在時寄生電容會增加，IC通道pin既是發(fā)射極又是接收極

互電容：檢測發(fā)射通道和接受通道交叉處的互電容（也就是耦合電容）的變化，有手指存在時互電容會減小，IC通道pin發(fā)射極和接受極是分開的第三頁，共24頁。自電容觸摸屏結(jié)構(gòu)串行驅(qū)動/感應特點M+N個電容M+N條連線

模擬多點（2點）

第四頁，共24頁?；ル娙萦|摸屏結(jié)構(gòu)串行驅(qū)動并行感應特點M*N個電容M+N條連線真實多點第五頁，共24頁?；ル娙軻S自電容第六頁，共24頁。電容式觸摸屏常見工藝結(jié)構(gòu)G/FG/F/FG/F2GIFG/G（G/GS,G/GD）OGS（TOL）OnCellInCell第七頁，共24頁。G/F結(jié)構(gòu)解析蓋板/Lens/CoverGlass/CoverLens

作用：保護/功能/裝飾

要求：強度/硬度/透光率OCA（固態(tài)光學膠，LOCA液態(tài)光學膠）

要求：透光率/粘性FilmSensor

特點：單層/單點+手勢/或者單層多點，支持最大尺寸5寸第八頁，共24頁。G/G結(jié)構(gòu)解析結(jié)構(gòu)同于G/F，區(qū)別在于FilmSensor變?yōu)镚lassSensor特殊的兩種情況：

G/GD雙面玻璃工藝（eg.:Apple）

G/GS單面搭橋工藝（MetalJump）第九頁，共24頁。電容式觸摸屏堆疊結(jié)構(gòu)比較CoverLensCoverLensCoverLensITOGlassITOFilm:RXITOFilm:TXITOGlassCoverLensITOFilm:RXCoverLensPETG/F/FG/FG/GDG/GSG2TPTypeG/F/FG/GSG/GDG/FG2Thickness1.1-1.3mm1.3-1.4mm1.3-1.4mm0.9-1.1mm>1.1mmTransmittance85%89%89%88%90.8%WeightLightHeaviestHeaviestLightestHeavyStrengthBestAverageAverageGoodGoodSensitivityGoodAverageGoodAverageAverageCostHighHighAverageLowLowCoverLensITOFilm:RXP/FITO銦錫氧化物

第十頁，共24頁。圖形方案菱形+Cypress條形+Synaptics網(wǎng)形+Atmel

第十一頁，共24頁。自電容三角形三角形+Atmel第十二頁，共24頁。圖形方案實物菱形長條形三角形第十三頁，共24頁。G/GS工藝通常使用搭橋工藝只需要一片ITO玻璃一面搭橋做ITO層另一面做屏蔽層主要用于小尺寸的屏藝少，成本、良率好控制第十四頁，共24頁。電容式觸摸屏新工藝OGS/TOL（One

Glass

Solution/Touch

On

Lens）單層多點OnCell（觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光板之間）InCell（觸摸面板功能嵌入到液晶像素中）第十五頁，共24頁。控制芯片廠家CypressSynaptics新思4層結(jié)構(gòu)Atmel2層結(jié)構(gòu)敦泰、匯頂、威盛、聯(lián)發(fā)科瀚瑞、義隆電第十六頁，共24頁?？刂菩酒瑥S家LOGO第十七頁，共24頁。電容式觸摸屏幾種工藝制程的特點酸堿脫膜：效率高、成本低、精度低蝕刻膏蝕刻：與酸堿脫膜一樣，效率高、成本低、精度低。工藝更簡單，工藝圖案與酸堿脫膜相反，難點是涂布不勻容易造成蝕刻不凈，更難清洗等激光蝕刻：精度較高，30

μm，效率低，成本低，工藝簡單，良率高，環(huán)保黃光工藝：精度最高，對位精度±5μm，蝕刻精度±5μm，能蝕刻5μm，一般量產(chǎn)用20μm第十八頁，共24頁。使用激光工藝時常見的工藝流程（GFF/酸堿+Laser）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）貼OCA光學膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）第十九頁，共24頁。使用激光工藝時常見的工藝流程（GFF/Laser）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）

ITO+Ag蝕刻貼OCA光學膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）第二十頁，共24頁。使用激光工藝時常見的工藝流程（GF/酸堿+Laser）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）貼OCA光學膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）第二十一頁，共24頁。使用激光工藝時常見的工藝流程（GF/Laser）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）

ITO+Ag蝕刻貼OCA光學膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（部分會在激光裁切是分層切出讓位部分）Sensor上下線貼合激光裁切（Sheet→Piece）邦定FPC（Bonding后需要檢測無Lens是的功能）蓋板貼合（CTP成型，觸摸屏功能測試，出廠）第二十二頁，共24頁。使用激光工藝時常見的工藝流程（GF/單層多點）來料（卷材，較好的ITO基材有背保）開料（按需要的尺寸裁切成片材）老化（烘烤，將收縮率降到最低）撕膜（撕掉ITO面的保護膜）絲印耐酸（保護要留下的Sensor電路，沒有背保的基材要印背保）酸刻Sensor電路堿洗耐酸水洗（洗掉化學殘留）絲印銀膠塊（通常為了保護可視區(qū)不被劃傷，印銀膠前會印刷正保）烘烤（白格測試附著著力）激光干刻引線電路（通斷檢測）

ITOSensor蝕刻貼OCA光學膠（有的用液態(tài)膠）激光裁切讓位孔（