2015微電子工藝學(xué)練習(xí)一

2014- 微電子工藝學(xué)練習(xí)（一一、判斷題（每小題0.5分現(xiàn)代硅基CMOS集成電路大多是采用（100）晶向的硅片作為襯底材料的，主要原因在（100）晶向的硅片表面鍵密度大缺陷少，Si-SiO2界面特性較好 （MOS器件中的輕摻雜漏（LDD，LightlyDopedDrain）結(jié)構(gòu)提供了一個(gè)從溝道到重?fù)诫s （被提純。區(qū)熔法一次提純的效果比直拉法好，可以更高純度的單晶。（） （ （如果某超凈環(huán)境中，每立方米空氣含粒徑大于等于0.1m的粒子10000個(gè)，則該超凈室的空氣潔凈度相當(dāng)于ISO標(biāo)準(zhǔn)的5級(jí) （ （接觸和接近式系統(tǒng)工作于近場(chǎng)Fresnel衍射區(qū)域，掩膜版與光刻膠之間沒(méi)有透鏡，間隙大小為零。投影式系統(tǒng)工作于遠(yuǎn)場(chǎng)Fraunhofer衍射區(qū)域，像平面遠(yuǎn)離孔徑，中 （上的圖形完美轉(zhuǎn)移到光刻膠上，要求系統(tǒng)具有足夠的聚焦深度，特別是對(duì)于大直徑 （用于圖形轉(zhuǎn)移的剝離（tof）工藝是由光刻工藝中的去膠派生而來(lái)，具有較高的分辨率廣用分器制通要薄厚大光刻厚。 （ （ （）量二氧化硅薄膜質(zhì)量的指標(biāo)。質(zhì)量較好的二氧化硅薄膜，其折射率接近1.46，HF腐蝕 （無(wú)論對(duì)于PMOS還是NMOS器件，要得到良好受控的閾值電壓，需要控制氧化層厚度、 （離子束是利用離子束直接在襯底片上描畫圖形或轉(zhuǎn)印圖形的技術(shù)。由于離子的 （采用有限源（limitedSource）擴(kuò)散方法進(jìn)行摻雜時(shí)，在雜質(zhì)分布形式相同的情況下，襯底本征雜質(zhì)濃度越大結(jié)深越深 （于形成深結(jié)，如CMOS的n阱。 （） （） （二、多項(xiàng)選擇題（每小題全部選對(duì)得1分，選對(duì)但不全的得0.5分，有的得0分規(guī)模和制造工藝水平用什么來(lái)衡量？（）A、集成度；B、速度；C、可靠性；D、技術(shù)節(jié)點(diǎn)isolated法有（A、增加場(chǎng)氧化層厚度；B、場(chǎng)區(qū)摻雜；C、淺槽；D、深槽

Vb/D（b k ， A、較速率和較高熔爐旋轉(zhuǎn)速率；B、較低速率和較高熔爐旋轉(zhuǎn)速率C、較速率和較低熔爐旋轉(zhuǎn)速率；D、較低速率和較低熔爐旋轉(zhuǎn)速率 與普通的硅單晶襯底相比，SOI襯底有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，包括（C、抑制CMOS電路的閂鎖效應(yīng)Au、Pt等深能級(jí)金屬元素的吸雜處理過(guò)程中，首先要使它們由替位式雜質(zhì)轉(zhuǎn)變?yōu)殚g硅內(nèi)部氧化形成SiO2，目的都是（AB、提高空位濃度；CB、降低空位濃度。接觸和接近式系統(tǒng)工作于近場(chǎng)Fresnel衍射區(qū)域。由于衍射效應(yīng)，光線“彎折”離A、相干光源，單波長(zhǎng)；B、非相干光源，單波長(zhǎng) D、非相干光源，多波長(zhǎng) B、擴(kuò)散控制，線性氧化階段； 邊界條件和初始條件（分別稱為恒定源或有限源條件）下對(duì)（Fick）第二定律求分析解，得到雜質(zhì)的余誤差函數(shù)分布和函數(shù)分布。在進(jìn)行擴(kuò)散層的設(shè)計(jì)和估算時(shí)，通（ C、當(dāng)表面濃度為固溶度時(shí)，意味著該分布是分布；D、當(dāng)表面濃度較低時(shí)，意味著該分布是經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的推進(jìn)過(guò)程，是分布， A、核阻擋；B、電子阻擋；C、離子和電子復(fù)合；D、離子被襯底表三、簡(jiǎn)答題（每小題5分以一個(gè)簡(jiǎn)單的CMOS場(chǎng)效應(yīng)管為例，簡(jiǎn)述其工藝流程，包括涉及的主要單項(xiàng)工藝CZ法進(jìn)行硅單晶生長(zhǎng)時(shí)，往往將一定數(shù)量的雜質(zhì)加入多晶硅熔融液中，以獲得所現(xiàn)代投影式光學(xué)系統(tǒng)，大多采用分布投影式或分布掃描投影式，而不是傳統(tǒng)的掃描投影式，為什么？，：用Arrhenius表達(dá)式很好地描述，其中E1，：什么是注氧（SIMOXSeparationbyImplantedOxygen）？其工藝過(guò)程主要包括哪四、計(jì)算題（每小題10分從含有1015cm-3的硼和2×1014cm-3的磷的硅熔融液中提拉單晶硅。起初拉出來(lái)的硅p型變成n型時(shí)，凝結(jié)了多少硅晶體？%1200C0.1m的氧化層需要增加多長(zhǎng)時(shí)間？（已知1200