光電檢測(cè)技術(shù)知識(shí)點(diǎn)

1〔光電導(dǎo)〔光生伏特效應(yīng)。2、真空光電器件是一種基于〔外光電〕效應(yīng)的器件，它包括〔光電管〕和〔光電倍增管。構(gòu)造特點(diǎn)是有一個(gè)真空管，其他元件都放在真空管中3、光電導(dǎo)器件是基于半導(dǎo)體材料的〔光電導(dǎo)〕效應(yīng)制成的，最典型的光電導(dǎo)器件是〔光敏電阻。4〔光電導(dǎo)〔光生伏特模式。5、變象管是一種能把各種〔不行見〕輻射圖像轉(zhuǎn)換成為可見光圖像的真空光電成像器件。6、固體成像器件〕主要有兩大類，一類是電荷耦合器件，另一類是。CCD電荷轉(zhuǎn)移通道主要有：一是SCCD〔外表溝道電荷耦合器件〕是電荷包存儲(chǔ)在半導(dǎo)體與絕緣體之間的界面，并沿界面?zhèn)鬏敚欢荁CCD稱為體內(nèi)溝道或埋溝道電荷耦合器件，電荷包存儲(chǔ)在離半導(dǎo)體外表確定深度的體內(nèi)，并沿著半導(dǎo)體內(nèi)確定方向傳輸7、光電技術(shù)室〔光子技術(shù)〕和〔電子技術(shù)〕相結(jié)合而形成的一門技術(shù)。8、場(chǎng)致發(fā)光有〔粉末、薄膜和結(jié)型三種形態(tài)。9、常用的光電陰極有正電子親合勢(shì)光電陰極〔〕和負(fù)電子親合勢(shì)光電陰極〔電子親和勢(shì)材料光電陰極有哪些〔Ag-O-Cs,單堿銻化物，多堿銻化物。10、依據(jù)襯底材料的不同，硅光電二極管可分為〔2DU〕型和〔2CU〕型兩種。11稱為〔微光管。12、光導(dǎo)纖維簡(jiǎn)稱光纖，光纖有〔纖芯〔包層〕及〔外套〕組成。13、光源按光波在時(shí)間，空間上的相位特征可分為〔相干〕和〔非相干〕光源。14、光纖的色散有材料色散〔波導(dǎo)色散〕和〔多模色散。5〔一般〔變放大率的錐形〔傳遞倒像的扭像器。16、光纖的數(shù)值孔徑表達(dá)式為，它是光纖的一個(gè)根本參數(shù)、它反映了光纖的〔集光〕力氣，打算了能被傳播的光束的半孔徑角、真空光電器件是基于〔外光電〕效應(yīng)的光電探測(cè)器，他的構(gòu)造特點(diǎn)是有一個(gè)〔其他元件都置于〔真空管。18、依據(jù)襯底材料的不同，硅光電電池可分為2DR〔P型硅作基底〕型和〔2CR〕型兩種。19、依據(jù)襯底材料的不同，硅光點(diǎn)二、三級(jí)管可分為2CU2DU、3CU3DU20、為了從數(shù)量上描述人眼對(duì)各種波長(zhǎng)輻射能的相對(duì)敏感度，引入視見函數(shù)V〔f〕,視見函數(shù)有〔明視見函數(shù)〕和〔暗視見函數(shù)。21、PMT由哪幾局部組成？入射窗口D極。、電子光學(xué)系統(tǒng)的作用是1〕〔2〕使陰極面上各處放射的光電子在電子學(xué)系統(tǒng)的中渡越時(shí)間盡可能相等23、PMT的工作原理光子透過入射窗口入射在光電陰極K上光電陰極K受光照激發(fā)，外表放射光電子光電子被電子光學(xué)系統(tǒng)加速和聚焦后入射到第一倍增極D1上，將放射出比入射電子數(shù)更多的二次電子。入射電子經(jīng)N級(jí)倍增后，光電子數(shù)就放大N次.4．經(jīng)過倍增后的二次電子由陽(yáng)極PIp，RL0。22、PMT的倍增極構(gòu)造有幾種形式個(gè)有什么特點(diǎn)？〔1〕鼠籠式：特點(diǎn)構(gòu)造緊湊，時(shí)間響應(yīng)快〔2〕盒柵式：特點(diǎn)光電子收集率高，均勻性和穩(wěn)定性較好，但時(shí)間響應(yīng)稍慢些〔4〕百葉窗式，特點(diǎn)：管子均勻性好，輸出電流大并且穩(wěn)〔5〕〔6〕微通道板式，特點(diǎn)：響應(yīng)速度快，抗磁場(chǎng)干擾力氣強(qiáng)，線性好23驟？為一次電子，從倍增極外表放射的電子為二次電子。二次電子放射3〔〕子稱為內(nèi)二次電子?！?〕內(nèi)二次電子中初速指向外表的那局部像外表運(yùn)動(dòng)〔3〕到達(dá)界面的內(nèi)二次電子能量大于外表壘的電子放射到真空中成為二次電子。光電子放射過程的三步驟：(1)物體吸取光子后體內(nèi)的電子被激發(fā)到高能態(tài)；(2)被激發(fā)電子向外表運(yùn)動(dòng)，在運(yùn)動(dòng)中因碰撞損失局部能量；(3)抑制外表勢(shì)壘逸出金屬外表。24Si-PINSi-PIN管的頻率特性為什么比一般光電二極管好？p6925器在在第三代根底上突破的兩個(gè)技術(shù)是什么？p130答：1)2代像增加器〔微通道板像增加器〕3代像增加器、X射線像增加器。2〕級(jí)聯(lián)式像增加器由幾個(gè)分立的單極變像管組合成屬于第一代像3〕MCDNEA光電陰極承受的自動(dòng)把握門電流，有利于減小強(qiáng)光MCD的電子流，以降低強(qiáng)光以以以下圖像模糊效應(yīng)。26、什么是光電子技術(shù)?光電子技術(shù)以什么為特征？子學(xué)中的理論模式和電子學(xué)處理方法光學(xué)化為特征：是一門興的綜合性穿插學(xué)科。27、光源的光譜功率分為哪幾種狀況？畫出每種狀況對(duì)應(yīng)的分布圖？分為：線狀光譜〔有假設(shè)干條明顯分割的西線組成、帶狀光譜(由一些分開的譜帶組成，沒個(gè)譜袋中包含很多連續(xù)譜線)、連續(xù)光譜〔光源發(fā)出的譜線連成一片、混合光譜〔前三種譜線混合而成〕28光的輸出。29型和梯度型31、什么是負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極？具有哪些優(yōu)點(diǎn)？NEA子親和勢(shì)能變?yōu)樨?fù)值。優(yōu)點(diǎn)：1)量子率高；2〕3〕熱電子放射??；4〕光子的能量集中32000’電荷的優(yōu)缺點(diǎn)？“胖0CCD的動(dòng)態(tài)范圍；增大了器件的轉(zhuǎn)移噪聲。P15836、CCDCCD是非穩(wěn)態(tài)器件？CCD能否工作，其電極間距為？p1471)電耦合器件組成：信號(hào)輸入局部、電荷轉(zhuǎn)移局部、信號(hào)輸出局部。信號(hào)輸入局部作用：將信號(hào)電荷引入到CCD的第一個(gè)轉(zhuǎn)移柵下的勢(shì)阱中；電荷轉(zhuǎn)移局部作用：將重復(fù)頻率一樣、波形一樣并且彼此間有固定相位關(guān)系的多相時(shí)鐘脈沖分組依次加到CCD轉(zhuǎn)移局部的電極上，CCD最終一個(gè)轉(zhuǎn)移柵下勢(shì)阱中的信號(hào)電荷引出CCDSiO2-CCD能否成功工作首先取決于金屬電極排列，需找金屬柵極間的最正確間隙寬度，一般小3um37、對(duì)于CCD來說電荷注入方式有電注入和光注入，什么是電注入？什么是光注入？p147,148IdIg組成?？梢詫⑿盘?hào)電壓轉(zhuǎn)換為勢(shì)阱中等效電荷，應(yīng)用狀況下用電注入。光注入：攝像器件實(shí)行的唯一注入方法〔P148〕光注入過程如下：攝像時(shí)間照耀到光敏面以時(shí)鐘電壓時(shí)，這些代表光信號(hào)的少數(shù)載流子就會(huì)進(jìn)入到轉(zhuǎn)移柵的勢(shì)阱中，完成注入過程。38ZnCdTe靶的構(gòu)造圖，并說明每層的作用？p1381層：ZnSe層屬于N型半導(dǎo)體，厚50～100nm；無光電效應(yīng)，其作用是增加對(duì)短波光的度，減小暗電流的作用；第2層：碲化鋅和碲化鎘的固溶體，屬于P型半導(dǎo)體，厚μ；光電效應(yīng)主要發(fā)生在該層，x值的大小對(duì)靈敏度、暗電流和光譜特性都有較大的影響，x值小，靈敏度高，體內(nèi)暗電流增大，光譜特性的峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波方面移動(dòng)；3Sb2S3100nm；其作用是減小掃描電子束的電子注入效應(yīng)，1223層之間不形成結(jié)。39CdSe靶的構(gòu)造圖，并說明每層的作用？p1381層：沉積在玻璃板上的透亮的導(dǎo)電層SnO2，作信號(hào)電極,N+；2層：是NCdSe層,N+SnO2構(gòu)成對(duì)空穴的阻擋層；CdSeCdSe靶的基體，厚2微米；是完成光電轉(zhuǎn)換的光敏層，其禁帶寬度為1.7eV，具有良好的光電導(dǎo)特性；3層：亞硒酸鎘(CdSeO3)CdSe氧化而成,是一層絕緣體,有利于降低暗電流,但不影響光電靈敏度；4層：As2S3層是靶的掃描面，是在高空狀態(tài)下氣湘沉積而成，呈玻璃態(tài)，厚0.2微米；是一個(gè)高阻層，禁帶寬度為2.3eV，具有很高的電阻率。其作用是防止電子進(jìn)入靶內(nèi)，形成對(duì)電子的阻擋層，并且擔(dān)當(dāng)電荷的積存和儲(chǔ)存。40MCP？簡(jiǎn)述微通道板〔MCP〕的工作原理？p130微通道板是由成千上萬根直徑為15～40μm0.6～1.6mm的微通道排成的二維列陣，MCP。微通道板〔MCP〕的工作原理：微通道是一根根的玻璃管，內(nèi)壁鍍有高阻值二次放射材料，一端，放射出的二次電子因電場(chǎng)加速轟擊另一端，再放射二次電子，連續(xù)放射二次可得約10的四次方的增益。在近聚焦式的MCP位增益中，光電陰極和第一微通道板的間距約為0.3mm，級(jí)間電壓為150V，其次微通道板和陰極的間距為1.5mm，級(jí)間電壓為300V，外加偏置電壓的變化只轉(zhuǎn)變微通道板上的電壓，可以調(diào)整總增益MCP電子倍增加速后到達(dá)熒光屏上，輸出光學(xué)圖像。42p型NMOS電容器為例，說明勢(shì)阱存儲(chǔ)電荷的原理〔第七章〕43、什么是光纖面板？簡(jiǎn)述光纖面板由哪幾種玻璃組成？每種玻璃的作用？p197可傳遞光學(xué)圖像的光纖器件；3種玻璃組成，芯玻璃，玻璃和光吸玻璃芯玻璃：是一種高折射率，是光的通路；玻璃為低折射率玻璃，起界面全反射作用；的比