標準解讀
《GB/T 41744-2022 銅銦鎵硒薄膜太陽能電池用基板玻璃》是一項國家標準,主要針對用于銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池制造過程中的基板玻璃材料進行了詳細規(guī)定。該標準旨在通過設定一系列技術要求來保證基板玻璃的質量與性能,從而提升最終產(chǎn)品的效率和可靠性。
首先,文件明確了適用范圍,指出其適用于作為CIGS薄膜太陽能電池組件中使用的透明導電氧化物涂層載體的平板玻璃。接著,在術語定義部分對涉及到的專業(yè)詞匯給出了明確解釋,確保了行業(yè)內對于相關概念理解的一致性。
在技術要求章節(jié)里,標準具體規(guī)定了基板玻璃應滿足的物理化學性質指標,包括但不限于尺寸偏差、外觀質量、熱膨脹系數(shù)、透光率以及耐候性等關鍵參數(shù)。此外,還特別強調了產(chǎn)品需具備良好的機械強度及抗熱震能力,以適應后續(xù)加工工藝及實際應用環(huán)境下的需求。
檢驗規(guī)則方面,《GB/T 41744-2022》提出了詳細的抽樣方法和試驗項目列表,涵蓋從原材料進廠到成品出廠整個生產(chǎn)流程的質量控制要點。同時,也指出了不合格品處理方式及重新提交檢驗的具體條件。
最后,在標志、包裝、運輸和貯存等方面,標準亦做了相應指導,要求生產(chǎn)企業(yè)必須按照規(guī)定正確標識產(chǎn)品信息,并采取適當措施防止運輸過程中可能發(fā)生的損壞,確保貨物安全抵達目的地并保持良好狀態(tài)直至使用前。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2022-10-12 頒布
- 2023-05-01 實施
文檔簡介
ICS8104030
CCSQ.34.
中華人民共和國國家標準
GB/T41744—2022
銅銦鎵硒薄膜太陽能電池用基板玻璃
Substrateglassforcopperindiumgalliumselenidethinfilmsolarcell
2022-10-12發(fā)布2023-05-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標準化管理委員會
GB/T41744—2022
前言
本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任
。。
本文件由中國建筑材料聯(lián)合會提出
。
本文件由全國工業(yè)玻璃和特種玻璃標準化技術委員會歸口
(SAC/TC447)。
本文件起草單位中建材蚌埠玻璃工業(yè)設計研究院有限公司安徽華光光電材料科技集團有限公
:、
司中國國檢測試控股集團股份有限公司中國建材國際工程集團有限公司玻璃新材料創(chuàng)新中心安
、、、(
徽有限公司蚌埠市產(chǎn)品質量監(jiān)督檢驗研究院中國建材檢驗認證集團北京檢測技術服務有限公司
)、、。
本文件主要起草人彭壽陶立綱張沖孫娜麗劉曉紅官敏夏志強段美江錢學君李娜曹欣
:、、、、、、、、、、、
劉堯龍謝瀏莎王勇呂思穩(wěn)劉國璋崔介東成惠峰胡匡藝周建王晟劉欣
、、、、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T41744—2022
銅銦鎵硒薄膜太陽能電池用基板玻璃
1范圍
本文件規(guī)定了銅銦鎵硒薄膜太陽能電池用基板玻璃的要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸
、、、、、
和貯存
。
本文件適用于浮法工藝生產(chǎn)的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池用基板玻璃
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
建筑玻璃可見光透射比太陽光直接透射比太陽能總透射比紫外線透射比及有
GB/T2680、、、
關窗玻璃參數(shù)的測定
計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣計劃
GB/T2828.11:(AQL)
數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定
GB/T8170
平板玻璃
GB11614
平板玻璃術語
GB/T15764
玻璃平均線熱膨脹系數(shù)的測定
GB/T16920
固體絕緣材料介電和電阻特性第部分電阻特性方法體積電阻和體
GB/T31838.22:(DC)
積電阻率
平板顯示器基板玻璃術語
GB/T32639
電子玻璃退火點和應變點的測試方法
SJ/T11039
電子玻璃高頻介質損耗和介電常數(shù)的測試方法
SJ/T11043
3術語和定義
和界定的以及下列術語和定義適用于本文件
GB/T15764GB/T32639。
31
.
銅銦鎵硒薄膜太陽能電池copperindiumgalliumselenidethinfilmsolarcell
由銅銦鎵預制后再經(jīng)硒化制備的四元半導體化合物薄膜作為發(fā)電基本單元經(jīng)過封裝而成的太陽
、、
能電池
。
32
.
下垂度差saggingdifference
浮法玻璃錫面下垂度與空氣面下垂度之差
。
注下垂度是將基板玻
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