標(biāo)準(zhǔn)解讀
YS/T 719-2009《平面磁控濺射靶材 光學(xué)薄膜用硅靶》是中國有色金屬工業(yè)協(xié)會發(fā)布的一項(xiàng)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范用于光學(xué)薄膜制造的硅靶材料的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等方面。該標(biāo)準(zhǔn)適用于通過平面磁控濺射技術(shù)沉積薄膜時(shí)使用的高純度硅靶。
在技術(shù)要求部分,標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了硅靶的化學(xué)成分、物理性能等關(guān)鍵指標(biāo)。例如,對于硅靶的純度有明確的要求,以確保所制備的光學(xué)薄膜具有良好的透光性或其他所需特性;同時(shí),也對靶材的密度、電阻率等參數(shù)設(shè)定了具體數(shù)值范圍,這些參數(shù)直接影響到濺射過程中的效率及最終薄膜的質(zhì)量。
試驗(yàn)方法章節(jié)則涵蓋了如何檢測硅靶是否符合上述技術(shù)規(guī)格的具體步驟與條件,包括但不限于采用ICP-AES(電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法)來測定元素組成,使用阿基米德原理測量密度等。
關(guān)于檢驗(yàn)規(guī)則,標(biāo)準(zhǔn)明確了出廠前需要進(jìn)行的檢查項(xiàng)目及其合格判定準(zhǔn)則,并指出當(dāng)供需雙方對產(chǎn)品質(zhì)量產(chǎn)生爭議時(shí)應(yīng)采取的解決措施。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-12-04 頒布
- 2010-06-01 實(shí)施



文檔簡介
犐犆犛77.150.99
犎63
中華人民共和國有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
犢犛/犜719—2009
平面磁控濺射靶材
光學(xué)薄膜用硅靶
犉犾犪狋犿犪犵狀犲狋犻狀犵狊狆狌狋狋犲狉犻狀犵狋犪狉犵犲狋—
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20091204發(fā)布20100601實(shí)施
中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布
書
犢犛/犜719—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位:利達(dá)光電股份有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:李智超、楊太禮、付勇、段玉玲、張向東、趙倫。
Ⅰ
書
犢犛/犜719—2009
平面磁控濺射靶材
光學(xué)薄膜用硅靶
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材的要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存
及訂貨單(或合同)內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于平面磁控濺射光學(xué)薄膜用硅靶材。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有
的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn),然而,鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
GB/T1551硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法
GB/T2040銅及銅合金板材
GB/T5121(所有部分)銅及銅合金化學(xué)分析方法
GB/T5231加工銅及銅合金化學(xué)成分和產(chǎn)品形狀
GB/T12963硅多晶
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。
搭接率犫狅狀犱犻狀犵狆犲狉犮犲狀狋犪犵犲
硅板與背板之間的實(shí)際接合面積占應(yīng)接合面積的百分比。
4要求
4.1材質(zhì)
銅板(背板)和硅板。
4.2化學(xué)成分
硅板的化學(xué)成分應(yīng)由供需雙方商定;銅板的牌號及化學(xué)成分符合GB/T5231的規(guī)定。
4.3靶材的尺寸及其允許偏差
靶材尺寸及其允許偏差由供需雙方協(xié)商,應(yīng)符合雙方簽訂的技術(shù)圖樣。
4.4表面狀況
靶材表面粗糙度及平面度由供需雙方協(xié)商。
4.5外觀質(zhì)量
硅板和銅板的外觀質(zhì)量應(yīng)分別符合GB/T12963和GB/T2040的規(guī)定。
4.6
溫馨提示
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