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文檔簡介
3.1概述AES定義:根據(jù)待測(cè)物質(zhì)的氣態(tài)原子被激發(fā)時(shí)所發(fā)射的特征線狀光譜的波長和強(qiáng)度來測(cè)定物質(zhì)的元素組成和含量的分析技術(shù)。AES分析過程
試樣蒸發(fā)、分解、激發(fā)產(chǎn)生輻射輻射經(jīng)色散形成光譜檢測(cè)記錄光譜根據(jù)光譜進(jìn)行定性、定量分析3原子發(fā)射光譜法1)靈敏度、準(zhǔn)確度高、選擇性好:一般可達(dá)0.1-10ppm,經(jīng)富集可達(dá)ppb.RSD一般為10%,ICP光源RSD小于1%。
幾十種元素可同時(shí)測(cè)定(Co,Ni等)
2)廣譜性:可直接分析固、液和氣體樣品(70多種元素),
3)操作簡便,分析速度快,用量少。4)AES屬相對(duì)分析法,需要一套標(biāo)準(zhǔn)樣品。而且標(biāo)準(zhǔn)樣品不易配制、且組成易變化。5)只能用于組成測(cè)定,而不能給出結(jié)構(gòu)、價(jià)態(tài)等信息6)對(duì)一些非金屬元素靈敏度較低。AES的特點(diǎn)
3.2.2原子發(fā)射光譜的產(chǎn)生及特征:原子光譜發(fā)射光譜紫外可見光譜△E=1.7-6.2eV對(duì)應(yīng)波長200-750nm線狀光譜量子化能級(jí)對(duì)應(yīng)線狀光譜
特定元素具有特定結(jié)構(gòu)、特定光譜項(xiàng),對(duì)應(yīng)特征光譜,譜線波長是定性分析的基礎(chǔ)。原子發(fā)射光譜產(chǎn)生條件:原子處于氣態(tài)基態(tài)原子在外能(激發(fā)電位)作用下轉(zhuǎn)變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)激發(fā)態(tài)原子經(jīng)過10-8-10-9秒回落到基態(tài)或較低能級(jí),以輻射的形式釋放出多余的能量而形成發(fā)射光譜。原子發(fā)射光譜的特征:溫度對(duì)譜線強(qiáng)度的影響最佳溫度IjiT
Ca(I)
Ti(I)
Ca(II)離子線原子線譜線強(qiáng)度與試樣中元素濃度的關(guān)系Ij0=Aj0hj0
N0(Pj/P0)e-Ej/kT=Aj0hj0
kC(Pj/P0)e-Ej/kT=aC考慮到自吸收:
Ij0=aCb
光譜定量分析的基本關(guān)系式(賽伯-羅馬金公式),其中b稱為自吸收系數(shù)電極光原子電極樣品自吸收:在原子發(fā)射光譜中,處于弧心較高溫度的原子發(fā)射出的電磁輻射被較低溫度的同種元素的原子所吸收,而使譜線強(qiáng)度減弱的現(xiàn)象I無自吸收自吸收自蝕電極光原子電極樣品弧層厚度b1直流電弧
原理:氣體放電(圖3.4)
分析特性:設(shè)備簡單,不用高壓,操作安全;陽極蒸發(fā)溫度高,靈敏度高因而適用于定性分析弧焰不穩(wěn)定,且易受樣品基體的影響,因而重現(xiàn)性差。再加上易產(chǎn)生自吸或自蝕,故不適合定量分析。
熱電子正粒子陰極陽極2低壓交流電弧
原理:氣體放電(見圖3-4)
分析特性:激發(fā)溫度較高,放電穩(wěn)定性較好,適用于
低含量元素的定量分析。
3高壓火花原理:氣體放電(見圖3-4)分析特性:電極間電壓高,不安全,設(shè)備復(fù)雜擊穿面積小,時(shí)間短,電極熱效應(yīng)小,故蒸發(fā)溫度低,適用于低熔點(diǎn)物質(zhì)的測(cè)定光源穩(wěn)定,重現(xiàn)性好。激發(fā)能量高,譜線主要為離子線,適用于難激發(fā)元素的分析。4電感耦合等離子炬(ICP)原理:
等離子體:電離度大于0.1%、正負(fù)電荷相等的電離氣體
高頻感應(yīng)渦流加熱(見圖)分析特性:蒸發(fā)、激發(fā)溫度高(4000-7000)重現(xiàn)性好基體效應(yīng)、自吸或自蝕效應(yīng)小光譜背景小。3.3.2分光系統(tǒng)(單色器)--將樣品激發(fā)態(tài)原子的
輻射色散成光譜1棱鏡材料:玻璃可見光石英紫外光巖鹽、氟石紅外光分光原理:科希公式:n=A+B/2
偏向角()、頂角()底邊邊長(b)
b色散率:角色散率(d/d):波長相差d的兩光線色散后分開的角度線色散率(dl/d)倒線色散率(d/dl):單位距離上兩波長之差d/d=2msin(/2)/(1-n2sin2(/2))1/2?(dn/d)其中m棱鏡數(shù)目,n材料折射率,棱鏡頂角。M、、n、dn/d越大,d/d越大Dl/d
=f/sin?d/d其中f為物鏡焦距,光軸與感光板之間的夾角。分辨率R=/=mbdn/d△是根據(jù)瑞利準(zhǔn)則恰能分辨的兩條譜線的波長差。?某光譜儀在300nm附近的分辨率為104,它能否分開300.23和300.25nm的兩條譜線?R=300.24/0.02=15012104,不能分開。棱鏡的非均勻光譜Dl/d正比于dn/d,
而dn/d=-2B/3
400500600700800nm若d(光柵常數(shù)),入射光方向()一定,在一定的光譜級(jí)次(k)上,不同有不同的衍射角。(分光原理)若d(光柵常數(shù)),入射光方向()一定,在同一衍射方向上,不同光譜級(jí)次k有不同波長的重疊輻射能量最大的波長稱為閃耀波長(b1,b2,b3…)光柵適用范圍:b1/(k+0.5)(短波極限)b1/(k-0.5)(長波極限)一級(jí)閃耀波長為800nm,求二級(jí)閃耀波長及其最佳適用范圍?最佳適用范圍:320nm533.3nmb2=800/2=400nm分光性能:角色散率d/d=k/dcos線色散率dl/d=f/d=kf/dcoskf/d(很小,且變化不大。)勻排光譜光柵刻線數(shù)越多,即d越小,dl/d越大光譜級(jí)次越大,物鏡焦距越大,dl/d越大理論分辨率R=/=kN,k光譜級(jí)次,N光柵刻線數(shù)
一般K=1、2,增大R可通過增大光柵尺寸或增大刻線密度。光柵刻線密度為1200條/mm,光柵寬度為5cm,問用一級(jí)光譜能否分辨下列三條譜線?600.013,600.019,600.038nm1=0.006nm2=0.019nmN=1200×50=6×104,K=1R=KN=6×104,
=600,故=600/6×104=0.01nm光譜重疊與消除光譜重疊條件:K1
1=K2
2=K3
3=…如600nm,300nm,200nm消除方法:濾光片;選用合適靈敏度的感光板;附加棱鏡作譜級(jí)分離器。中階梯光柵:刻槽密度低、寬度遠(yuǎn)大于深度、分辨率極高,常采用垂直對(duì)稱式(即入射角=衍射角=閃耀角),以及高級(jí)次光譜和二維色散技術(shù)。AB曝光不足BC正常曝光CD曝光過度DE負(fù)感乳劑特性曲線乳劑特性曲線的制作方法:階梯減光板法(S-lgI曲線)S=rlgH-Ir=tg感光板反襯度其中I=tglgH,Hi感光板惰延量,
2光電倍增管光電流i=kI(分析線強(qiáng)度)電壓U∝i∝I=aCb光譜定量分析的基本關(guān)系式U=a'CblgU=blgC+lga'光電檢測(cè)光譜定量分析的基本關(guān)系式3圖像檢測(cè)器:光電二極管陣列(PDA)、電荷耦合器件(CCD)、電荷注入器件(CID)攝譜儀
棱鏡攝譜儀
光柵攝譜儀光電直讀光譜儀
單道掃描光譜儀
多道直讀光譜儀
全譜直讀光譜儀光譜儀類型:標(biāo)準(zhǔn)試樣光譜比較法:
適用于少數(shù)指定元素的分析,同時(shí)純物資又易得到。
試樣與純物質(zhì)同時(shí)攝譜元素光譜圖比較法元素光譜圖波長標(biāo)尺;鐵光譜;元素靈敏線;元素符號(hào)試樣與鐵同時(shí)攝譜波長測(cè)定法--查閱波長表
=(a2+b1)/(a+b)定性分析方法:3.4.2光譜半定量分析方法:譜線黑度比較法;譜線呈現(xiàn)法(表3-4)1基本公式:I=Acb,lgI=lgA+blgC
3.4.3光譜定量分析內(nèi)標(biāo)法:利用待測(cè)元素的分析線和內(nèi)標(biāo)元素的內(nèi)標(biāo)線的強(qiáng)度比與元素含量的關(guān)系來進(jìn)行光譜定量分析的方法。蓋納赫1925年提出。內(nèi)標(biāo)法的優(yōu)點(diǎn):可消除實(shí)驗(yàn)條件波動(dòng)的影響定量分析方法S=rlgA+rblgC(攝譜法)lgU=lga’
+blgC(光電法)校準(zhǔn)曲線法-適用于簡單基體的大批量樣品的測(cè)定配制標(biāo)準(zhǔn)溶液:C1C2C3C4C5Cx測(cè)黑度差:S1S2S3S4S5Sx0SCCxSxCx+0,Cx+C1
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