半導體物理器件1課件

第一章半導體物理基礎●半導體中的電子狀態(tài)●載流子的統(tǒng)計分布●簡并半導體●載流子的散射●載流子的輸運●非平衡載流子1、本課程的主要內容

研究由不同半導體材料組成半導體器件時，載流子的運動規(guī)律和電壓-電流等電學特性。方法：1）分析半導體器件時，應先將整個器件分為若干個區(qū)。2）給出邊界條件。3）求解出各個區(qū)中的少子濃度分布、少子濃度梯度分布、電場分布、電勢分布、電流密度分布等，最終求得器件的各個端電流。2、本課程的考核方式、答疑時間概述1.1半導體中的電子狀態(tài)●半導體中電子的波函數(shù)和能量譜值●能帶●有效質量●導帶電子和價帶空穴●Si/Ge/GaAs的能帶結構●雜質和缺陷能級請復習《半導體物理基礎》相關知識點！1.2載流子的統(tǒng)計分布●導帶電子濃度和價帶空穴濃度之積（1-64）式中為禁帶寬度。與溫度有關，可以把它寫成經驗關系式：其中為常數(shù)得：（1-66）1.2載流子的統(tǒng)計分布●本征半導體于是：（1-70）（1-68）（1-69）即：參照得：習題1.2載流子的統(tǒng)計分布●只有一種雜質的半導體☆P型半導體在雜質飽和電離的溫度范圍內：導帶電子濃度為：費米能級：（1-80）1.2載流子的統(tǒng)計分布●雜質補償半導體相應的費米能級為：在的半導體中：（1-84）1.2載流子的統(tǒng)計分布相應的費米能級為：在的半導體中：（1-88）●雜質補償半導體習題1.4載流子的散射1.格波與聲子2.載流子的散射1）平均自由時間與馳豫時間2）散射機構○晶格振動散射○電離雜質散射聲學波特點：相鄰兩種不同原子的振幅都有相同的正號或負號，即對于聲學波，相鄰原子都是沿著同一方向振動，當波長很長時，聲學波實際上代表原胞質心的振動。光學波特點：對于光學波，相鄰兩種不同原子的振動方向是相反的。原胞的質心保持不動，由此也可以定性的看出，波長很長的光學波（長光學波）代表原胞中兩個原子的相對振動。1.格波與聲子晶格振動能量的量子化---聲子1.5載流子的輸運1.漂移運動遷移率和電導率電子遷移率：空穴遷移率：電子漂移電流密度：（1-114）電子電導率：（1-118）——N型半導體的電導率空穴電導率：——P型半導體的電導率電子和空穴共同作用電導率：1.5載流子的輸運2.擴散運動和擴散電流電子擴散電流密度D——擴散系數(shù)（1-129）空穴擴散電流密度3.流密度在漂移和擴散同時存在的情況下，空穴和電子的流密度分別為：（1-133）1.5載流子的輸運4.電流密度空穴和電子的電流密度分別為：（1-135）在一維情況下，空穴和電子的電流分別為：（1-137）式中A為電流垂直流過的面積1.5載流子的輸運（1-144）于是：——熱電勢在熱平衡情況下，費米勢為常數(shù)，可以把它取為零基準，于是：（1-146）2）愛因斯坦關系電子：空穴：1.5載流子的輸運對于N型半導體，有（取EF為零基準）：（1-151）對于P型半導體，有：（1-153）3）非均勻半導體自建電場1.6非平衡載流子非平衡載流子：比平衡態(tài)多出來的部分載流子小注入：非平衡載流子濃度<<熱平衡多數(shù)載流子濃度1.非平衡載流子的產生與復合——非平衡載流子1.6非平衡載流子3.修正的歐姆定律其中：分別稱為電子和空穴的等效電導率。修正歐姆定律雖然在形式上和歐姆定律一致，但它包括了載流子的漂移和擴散的綜合效應。從修正歐姆定律可以看出，費米能級恒定（即）是電流為零的條件。處于熱平衡的半導體，費米能級恒定?；蛘哒f，熱平衡系統(tǒng)具有統(tǒng)一的費米能級。1.6非平衡載流子4.復合機制凈復合率：壽命：（1-171）1）直接復合小注入：本征半導體：雜質半導體：1.6非平衡載流子2）通過復合中心的復合為簡單計，假設復合中心對電子和空穴的俘獲系數(shù)相等。凈復合率可寫成或3）表面復合率（1-210）1.6非平衡載流子5.半導體中的基本控制方程在飽合電離的情況下：2）泊松方程（1-220）設空間電荷所形成的電勢分布為，則與之間滿足泊松方程：為自由空間電容率，其數(shù)值為分析半導體器件時，應先將整個器件分為若干個區(qū)，然后在各個區(qū)中視具體情況對基本方程做相應的簡化后進行求解。求解微分方程時還需要給出

邊界條件。擴散方程的邊界條件為邊界上的