半導(dǎo)體材料測(cè)試與表征課件

半導(dǎo)體材料測(cè)試與表征—Raman光譜在半導(dǎo)體科學(xué)中的應(yīng)用參考文獻(xiàn)：1.藍(lán)閩波.納米材料測(cè)試技術(shù)[M].華東理工大學(xué)出版社,2009.5,34~120.2.周玉.材料分析測(cè)試技術(shù)[M].哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社,2007.8.3.陳文哲.材料測(cè)試與表征技術(shù)的挑戰(zhàn)和展望[J].理化檢驗(yàn),2007,43(5):89~91..4.吳征鎧，唐敖慶.分子光譜學(xué)專(zhuān)論，山東科學(xué)技術(shù)出版社，1999.5.王斌,徐曉軒,秦哲,宋寧,張存洲.分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光譜研究.光譜學(xué)與光譜分析.2008,28(9):2013-2016.材料測(cè)試與表征的作用和地位成分結(jié)構(gòu)制備性能結(jié)構(gòu)表征內(nèi)容：材料成分分析、結(jié)構(gòu)分析，也包括材料表面與界面分析、微區(qū)形貌分析以及缺陷等一般原理：通過(guò)對(duì)表征材料的物理性質(zhì)或物理化學(xué)性質(zhì)參數(shù)及其變化的檢測(cè)，分析測(cè)量信號(hào)獲知材料成分、結(jié)構(gòu)等。材料結(jié)構(gòu)表征的內(nèi)容與基本方法成分分析結(jié)構(gòu)分析形貌分析化學(xué)價(jià)鍵分析表面與界面分析XRD、IR、Raman、XPS、AESXRD、ED、Raman、中子衍射TEM、SEM、AFM、STMIR、RamanXPS、AES20世紀(jì)50年代20世紀(jì)70年代現(xiàn)代導(dǎo)電類(lèi)型、載流子濃度、遷移率、雜質(zhì)含量層錯(cuò)、位錯(cuò)密度、夾雜和孿晶等半導(dǎo)體薄膜的表面、異質(zhì)結(jié)界面性質(zhì)、薄膜材料的組分和結(jié)構(gòu)分析納米級(jí)研究半導(dǎo)體材料的測(cè)試與表征電阻率、霍耳系數(shù)、磁阻、光電導(dǎo)、光吸收、X射線(xiàn)衍射、金相觀(guān)察結(jié)電容技術(shù)、激光光譜技術(shù)、俄歇電子能譜、二次離子質(zhì)譜和電子顯微分析技術(shù)測(cè)試表征

h

基態(tài)E0振動(dòng)激發(fā)態(tài)E1h0h0h0h0

+

E1+h0E0+h0h(0

-

)激發(fā)虛態(tài)Rayleigh散射Raman散射拉曼原理h(0

+

)E0E1E1+h0E2+h0

h

h0h(0

-

)ANTI-STOKES0-

RayleighSTOKES0+

0Raman位移：Raman散射光與入射光頻率差表征分子振-轉(zhuǎn)能級(jí)的特征物理量；定性與結(jié)構(gòu)分析的依據(jù)。

取決于分子振動(dòng)能級(jí)的改變,與入射光波長(zhǎng)無(wú)關(guān)；拉曼位移、退偏振比退偏振比與入射偏振方向垂直的拉曼散射光強(qiáng)度與入射偏振方向平行的拉曼散射光強(qiáng)度退偏比可以提供有關(guān)分子振動(dòng)的對(duì)稱(chēng)性及分子構(gòu)型的信息。單色儀光電倍增管高壓電源光子計(jì)數(shù)器驅(qū)動(dòng)電路計(jì)算機(jī)顯示器樣品激光器凹面鏡經(jīng)離子注入后的半導(dǎo)體損傷分布外延層的質(zhì)量TextRaman光譜在半導(dǎo)體科學(xué)中的應(yīng)用半磁半導(dǎo)體的組分外延層混品的組分載流子濃度Raman光譜的應(yīng)用舉例a用拉曼光譜研究金剛石膜的生長(zhǎng)過(guò)程：a生長(zhǎng)2min樣品的Raman光譜b生長(zhǎng)30min樣品的Raman光譜c生長(zhǎng)1h樣品的Raman光譜d生長(zhǎng)2h樣品的Raman光譜b不同Si摻雜濃度的n-GaAs薄膜的Raman光譜研究Si摻雜濃度不斷提高，