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概述一、集成電路簡介二、集成電路中的元件三、模擬集成電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)第一節(jié)概述四、集成運(yùn)放的組成電子定義集成電路是一種將“管”和“路”緊密結(jié)合的器件,它以半導(dǎo)體單晶硅為芯片,應(yīng)用半導(dǎo)體制造工藝把晶體管、場效應(yīng)管、電阻、小容量電容等許多元件以及它們之間的連線都做在同一芯片上,然后封裝在管殼里。
這樣制成的具有特定功能的電子電路稱為集成電路(IntegratedCircuit,IC)。一、集成電路簡介第一節(jié)特點(diǎn)
體積小、重量輕、性能好、功耗低、可靠性高.集成電路的分類第一節(jié)
模擬集成電路集成電路數(shù)字集成電路集成運(yùn)算放大器集成穩(wěn)壓器集成功率放大器其他種類按特點(diǎn)分我國集成電路發(fā)展第一節(jié)功能化集成單片模擬集成電路通用型集成運(yùn)算放大器專用型集成運(yùn)算放大器高速型運(yùn)放低溫漂型運(yùn)放低功耗型運(yùn)放集成運(yùn)放例如集成化功率放大器電壓比較器模擬乘法器混頻器從第一代到第四代二、集成電路中的元件晶體管電阻電容第一節(jié)NPN型三極管光刻和腐蝕基區(qū)擴(kuò)散發(fā)射區(qū)、集電極區(qū)擴(kuò)散蒸鋁掩膜三掩膜四掩膜五掩膜六選擇基區(qū)選擇發(fā)射區(qū)和集電區(qū)選擇電極引出線窗口選擇要去掉的鋁層(一)晶體管第一節(jié)
4.場效應(yīng)管第一節(jié)近年來,由于MOS器件所占芯片面積小,功耗低,輸入阻抗高,MOS工藝又較雙極型工藝簡單,成本低,這使MOS場效應(yīng)管器件在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中得到廣泛應(yīng)用。集成電路中常用的電阻是擴(kuò)散電阻。AB(b)俯視圖P襯底NP+PP+AB(c)剖面圖AB(a)符號(hào)(二)電阻N型外延阻值由該P(yáng)區(qū)的長度、截面積和雜質(zhì)濃度決定,阻值大,占用的硅片面積大。第一節(jié)(三)電容N+N+P襯底NPPP+P+P+NN+BAA
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