GB/T 8756-2018鍺晶體缺陷圖譜

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標準

GB/T8756—2018

代替

GB/T8756—1988

鍺晶體缺陷圖譜

Collectionofmetallographsondefectsofgermaniumcrystal

2018-12-28發(fā)布2019-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T8756—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替鍺晶體缺陷圖譜本標準與相比主要技術變

GB/T8756—1988《》。GB/T8756—1988,

化如下

:

刪除了原標準缺陷圖譜張分別為圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖

———34,1、2、3、4、6、8、9、15、16、20、

圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖

21、23、24、28、29、30、32、33、78、87、88、90、91、95、

圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖見年版的第

96、102、106、113、114、115、116、124、125、132(19881

章第章第章

、2、3);

增加了術語和定義見第章

———(3);

增加了圖譜張分別為圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖

———44,1、2、3、4、6、8、9、13、14、15、16、22、

圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖

23、24、29、30、31、33、34、80、89、90、92、93、96、97、

圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖圖

98、99、105、106、116、117、118、119、120、128、129、130、

圖圖圖圖圖圖見第章

131、132、133、135、141、142(4);

完善了各類缺陷的特征及產(chǎn)生原因見第章

———(4);

增加了資料性附錄晶體缺陷消除方法給出了部分晶體缺陷的消除方法見附錄

———A“”,(A);

刪除了原標準中的附錄透射電子顯微鏡技術補充件見年版的附錄

———“B(TEM)()”(1988B)。

本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出

。

本標準由全國有色金屬標準化技術委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司有研光電新材料有限責任公司云南中科鑫圓

:、、

晶體材料有限公司中鍺科技有限公司廣東先導稀材股份有限公司云南東昌金屬加工有限公司有色

、、、、

金屬技術經(jīng)濟研究院

。

本標準主要起草人普世坤惠峰董汝昆馮德伸柯尊斌尹士平朱劉李素青

:、、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T8756—1988。

Ⅰ

GB/T8756—2018

鍺晶體缺陷圖譜

1范圍

本標準規(guī)定了鍺多晶鍺單晶制備和機械加工過程中產(chǎn)生的缺陷給出了各類缺陷的特征產(chǎn)生原

、,、

因及消除方法

。

本標準適用于區(qū)熔鍺錠鍺單晶鍺研磨片和鍺拋光片生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的缺陷

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

雜質(zhì)管道impuritiespipeline

在鍺單晶中沿晶體縱向形成的管道狀雜質(zhì)富集區(qū)

,。

4鍺晶體缺陷

41鍺多晶

.

411氧化物

..

4111特征

...

晶體表面失去銀灰色金屬光澤呈現(xiàn)不同顏色的表面膜如圖所示

,,1。

4112產(chǎn)生原因

...

氧化物是由于晶體在高溫狀態(tài)下或長期暴露在空氣中以及在操作過程中引進的有機物在高溫下

,

分解后氧與鍺反應生成

,。

412浮渣

..

4121特征

...

在晶體表面呈現(xiàn)的無金屬光澤的灰色薄層如圖所示

,2。

4122產(chǎn)生