標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 7577-1996 低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)用于低頻放大的、具有特定封裝形式的雙極型晶體管制定了詳細(xì)的技術(shù)要求。該標(biāo)準(zhǔn)適用于工作頻率較低（通常指音頻范圍及以下）且功率相對(duì)較小的應(yīng)用場(chǎng)景中使用的晶體管產(chǎn)品。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)于所涉及的晶體管，規(guī)定了包括但不限于電氣特性、機(jī)械結(jié)構(gòu)、環(huán)境適應(yīng)性等方面的具體參數(shù)和測(cè)試方法。例如，在電氣特性方面，可能會(huì)定義最大集電極電流、反向擊穿電壓等關(guān)鍵指標(biāo)；在機(jī)械結(jié)構(gòu)上，則可能對(duì)引腳排列、尺寸公差做出規(guī)定；至于環(huán)境適應(yīng)性，則會(huì)考慮到溫度變化、濕度等因素對(duì)器件性能的影響，并給出相應(yīng)的耐久性或可靠性測(cè)試條件。


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  • 1996-07-09 頒布
  • 1997-01-01 實(shí)施
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ICS31.080.30L42中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T.7577-1996274992.1989低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范BlankdetailspecificationforCase-ratedbipolartransistorsforlow-frequencyamplification1996-07-09發(fā)布1997-01-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)低頻放大管殼額定的雙極型晶體管空白詳細(xì)規(guī)范-1996代替GB7577-87Blankdetailspecificationforcase-ratedbipolartransistorsforlow-frequency：mplification本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定低頻放大管殼額定的雙極型晶體管詳細(xì)規(guī)范的基本原則，制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范一致。本空白規(guī)范是與GB4589.1—89《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》和GB12560—90《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。要求資料：下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容·應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別：（1）授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)名稱（2）IECQ詳細(xì)規(guī)范號(hào)。（3）總規(guī)范號(hào)和分規(guī)范號(hào)以及年代號(hào)（4）詳細(xì)規(guī)范號(hào)、發(fā)布日期和國(guó)家體系要求的任何更多的資料。器件的識(shí)別：（5）器件型號(hào)（6）典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足若干應(yīng)用，則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)子以滿足。如果器件對(duì)靜電敏感或含有害材料、例如氧化鎖，則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)。（7）外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)（8）質(zhì)量評(píng)定類別。（9）能在各器件型號(hào)之間比較的最重要

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