GB/T 6616-2009半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜６６１６—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１６—１９９５

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層

電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱狊犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狉犲狊犻狊狋犻狏犻狋狔狅犳狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉狑犪犳犲狉狊

狅狉狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狅犳狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犳犻犾犿狊

狑犻狋犺犪狀狅狀犮狅狀狋犪犮狋犲犱犱狔犮狌狉狉犲狀狋犵犪狌犵犲

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

犌犅／犜６６１６—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了ＳＥＭＩＭＦ６７３１１０５《用非接觸渦流法測(cè)定半導(dǎo)體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的

方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ６７３１１０５相比主要變化如下：

———本標(biāo)準(zhǔn)范圍中只包括硅半導(dǎo)體材料，去掉了范圍中對(duì)于其他半導(dǎo)體晶片的適用對(duì)象；

———本標(biāo)準(zhǔn)未采用ＳＥＭＩＭＦ６７３１１０５中局部范圍測(cè)量的方法Ⅱ；

———未采用ＳＥＭＩ標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)鍵詞章節(jié)以適合ＧＢ／Ｔ１．１的要求。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ６６１６—１９９５《半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ６６１６—１９９５相比，主要有如下變化：

———調(diào)整了本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量直徑或邊長(zhǎng)范圍為大于２５ｍｍ；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)；

１１

———修改了第３章中的公式為犚＝ρ＝＝，并增加了電導(dǎo)率；

狋犌δ狋

———修改了第４章中參考片電阻率的值與表１指定值之偏差為小于±２５％；

———增加了干擾因素；

———修改了第６章中測(cè)試環(huán)境溫度為２３℃±１°Ｃ；

———規(guī)定了測(cè)試環(huán)境清潔度不低于１００００級(jí)；儀器預(yù)熱時(shí)間為２０ｍｉｎ；

———第７章中采用了ＳＥＭＩＭＦ６７３１１０５標(biāo)準(zhǔn)中相關(guān)的精度和偏差。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：萬(wàn)向硅峰電子股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：樓春蘭、朱興萍、方強(qiáng)、汪新平、戴文仙。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ６６１６—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６１６—２００９

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層

電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用非接觸渦流測(cè)定半導(dǎo)體硅片電阻率和薄膜薄層電阻的方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑或邊長(zhǎng)大于２５ｍｍ、厚度為０．１ｍｍ～１ｍｍ的硅單晶切割片、研磨片和拋

光片（簡(jiǎn)稱硅片）的電阻率及硅薄膜的薄層電阻。測(cè)量薄膜薄層電阻時(shí)，襯底的有效薄層電阻至少應(yīng)為

薄膜薄層電阻的１０００倍。

硅片電阻率和薄膜薄層電阻測(cè)量范圍分別為１．０×１０－３Ω·ｃｍ～２×１０２Ω·ｃｍ和２×１０３Ω／□～

３×１０３Ω／□。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５２硅、鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針法

ＡＳＴＭＥ６９１引導(dǎo)多個(gè)實(shí)驗(yàn)室測(cè)定試驗(yàn)方法的慣例

３方法提要

將硅片試樣平插入一對(duì)共軸渦流探頭（傳感器）之間的固定間隙內(nèi)，與振蕩回路相連接的兩個(gè)渦流

探頭之間的交變磁場(chǎng)在硅片上感應(yīng)產(chǎn)生渦流，則激勵(lì)電流值的變化是硅片電導(dǎo)的函數(shù)。通過測(cè)量激勵(lì)

電流的變化即可測(cè)得試樣的電導(dǎo)。當(dāng)試樣厚度已知時(shí)，便可計(jì)算出試樣的電阻率，見式（１）。

１１

犚＝ρ＝＝…………（１）

狋犌δ狋

式中：

ρ———試樣的電阻率，單位為歐姆厘米（Ω·ｃｍ）；

犌———試樣的薄層電導(dǎo)，單位為西門子（Ｓ）；

犚———試樣的薄層電阻，單位為歐姆（Ω／□）；

狋———試樣中心的厚度（測(cè)薄膜時(shí)厚度?。埃埃担埃福悖恚?，單位為厘米（ｃｍ）；

δ———電導(dǎo)率，單位為歐姆每厘米（Ω／ｃｍ）。