GB/T 6352-1998半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流晶體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范

ICS31.080.20L43中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T6352.1998idttIEC747-6-1:1989QC750110半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第一篇100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范SemiconductordevicesDiscretedevicesPart6：ThyristorsSection0neBlankdetailspecificationforeblockingreversetriodeethyristorsambient，uptoorcase-rated，100A1998-11-17發(fā)布1999-06-01實(shí)施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T6352—1998前本規(guī)范等同采用IEC747-6-1:1989《半導(dǎo)體器件分立器件100A以下環(huán)境或管殼額定的反向阻斷三極閘流品體管空白詳細(xì)規(guī)范》。本規(guī)范是GB/T6352—1986的修訂版本規(guī)范與GB/T6352—1986的主要差別是;在第4章中增加了電流與溫度的降額曲線;調(diào)整了引用總規(guī)范及分規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)號(hào)。徐除非另有規(guī)定，本規(guī)范第8章中引用的條號(hào)對(duì)應(yīng)于GB/T4589.1一1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》(IEC747-10:1984)的條號(hào),測試方法引自GB/T15291—1994《半導(dǎo)體分立器件和集成電路第6部分:閘流晶體管》(IEC747-6:1983)；試驗(yàn)方法引自GB/T4937-—1995《半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法》(IEC749:1984)。本規(guī)范由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本規(guī)范由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本規(guī)范由電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所負(fù)責(zé)起草本規(guī)范主要起草人：于志賢、楊志丹、顧康麟

GB/T6352--1998IEC前言1）IEC（國際電工委員會(huì))在技術(shù)問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對(duì)這些問題特別關(guān)切的國家委員會(huì)參加的技術(shù)委員會(huì)制定的，對(duì)所涉及的問題盡可能地代表了國際上的一致意見。2）這些決議或協(xié)議，以推薦標(biāo)準(zhǔn)的形式供國際上使用.并在此意義上為各國家委員會(huì)所認(rèn)可。3）為了促進(jìn)國際上的統(tǒng)一,IEC希望各國家委員會(huì)在本國條件許可的情況下,采用IEC標(biāo)準(zhǔn)的文本作為其國家標(biāo)準(zhǔn),IEC標(biāo)準(zhǔn)與相應(yīng)國家標(biāo)準(zhǔn)之間的差異，應(yīng)盡可能在國家標(biāo)準(zhǔn)中指明。本標(biāo)準(zhǔn)由IEC第47技術(shù)委員會(huì)(半導(dǎo)體器件)制訂。本標(biāo)準(zhǔn)是100A以下環(huán)境或管殼額定的反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)文本以下列文件為依據(jù)：六個(gè)月法表決報(bào)告47（C096047（C0)1010表決批準(zhǔn)本標(biāo)準(zhǔn)的所有資料均可在上表所列的表決報(bào)告中查閱。本標(biāo)準(zhǔn)封面上的QC號(hào)是IEC電子元器件質(zhì)量評(píng)定體系(IECQ)的規(guī)范號(hào)。本標(biāo)準(zhǔn)中引用的其他IEC標(biāo)準(zhǔn)：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗(yàn)程序第2部分：試驗(yàn)，試驗(yàn)Q：密封IEC191-2:1966半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-6:1983半導(dǎo)體器件分立器件第6部分：閘流品體管IEC747-10：1984半導(dǎo)體器件第10部分:分立器件和集成電路總規(guī)范JEC747-11:1985半導(dǎo)體器件第11部分:分立器件分規(guī)范IEC749:1984華導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體器件分立器件第6部分:閘流晶體管第一篇_100A以下環(huán)境或管殼額定反向阻斷三極閘流晶體管空白詳細(xì)規(guī)范idiIEc7476-1：1985SemiconductordevicesQC.750110代替GB/T6352-1986DiscretedevicesPart6：ThyristorsSectionOne-Blankdetailspecificationforreverseblockingtriodethyristorsambientorcase-rated.upto100A引言本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定100A以下(含100A)環(huán)境或管殼額定的反向阻斷三極閘流晶體管(包括快速型）詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)盡可能與本空白詳細(xì)規(guī)范相一致.本空白詳細(xì)規(guī)范是與GB/T4589.1-1989《半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984)和GB/T12560一1990《半導(dǎo)體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11:1985)有關(guān)的一系列空白詳細(xì)規(guī)范中的一個(gè)。要求資料下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容，應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)的空欄內(nèi)。詳細(xì)規(guī)范的識(shí)別：「1授權(quán)起草詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的名稱L2JIECQ詳細(xì)規(guī)范號(hào)。L37總規(guī)范號(hào)和分規(guī)范號(hào)以及年代號(hào)【41詳細(xì)規(guī)范號(hào)、發(fā)布日期和國家體系要求的更多的資料。器件的識(shí)別：L57器件型號(hào)、「6典型結(jié)構(gòu)和應(yīng)用資料。如果設(shè)計(jì)一種器件滿足若干應(yīng)用,則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中指出。這些應(yīng)用的特性、極限值和檢驗(yàn)要求均應(yīng)予以滿足。如果器件對(duì)靜電敏感.或含有害物質(zhì),例如氧化皺.則應(yīng)在詳細(xì)規(guī)范中附加注意事項(xiàng)。L7外形圖和(或)引用有關(guān)的外形標(biāo)準(zhǔn)?！?7質(zhì)量評(píng)定類別。L9能在各器件型號(hào)之間比較的最重要特性的