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  • 1984-04-12 頒布
  • 1985-03-01 實施
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GB/T 4326-1984非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法_第1頁
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UDC621.315.592:621.317.3中華人民共和國國家標準GB4326-84非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法ExtrinsicsemiconductorsingleeCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoeffictent1984-04-12發(fā)布1985-03-01實施家標準局批準

中華人民共和國國家標準UDC621.315非本征半導體單晶霍爾遷移率和.592:621.317.8GB4326-84霍爾系數(shù)測量方法ExtrinsicsemiconductorsingleCrystals-measurementofHallmobilityandHallcoerficient本標準適用于在非本征半導體單晶試樣中確定載流子霍爾遷移率。為獲得霍爾遷移率必須測量電阻率和霍爾系數(shù)，因此本標準也分別適用于這些參數(shù)的測量。本方法僅在有限的范圍內和對錯、硅和砷化欽進行了實驗室測量，但該方法也可適用于其他半導體單晶材料。所述的測量技術至少適用于室溫電阻率高達10"Qcm的試樣。1術語1.1電阻率1.1.1電阻率是材料中平行于電流的電位梯度與電流密度之比。電阻率應在零磁通下測定。11.1.2電阻率是材料中直接測量的址。在具有單一類型載流子的非本征半導體中，電阻率與材料基本參數(shù)的關系如下：p=（neu）-?。?）式中：p一電阻率，.cmi載流子濃度，cm-3電子電荷值，C；-載流子遷移率，cm2/V·s。必須指出，對于本征半導體和某些P型半導體如P-Ge（存在兩種空穴)，式（1）顯然是不適用的，而必須采用如下關系式：P-二（meui）-（2）式中心和4,表示第；種載流子相關的量。1.2蛋爾系數(shù)在各向同性的固體上同時加上互相垂直的電場和磁場，1.2.1則載流子在第三個互相垂直的方向上偏轉，在試樣兩側建立橫向電場，稱

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