標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 4061-2009 硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法》與《GB 4061-1983》相比,在內(nèi)容和技術(shù)要求上進(jìn)行了更新和細(xì)化,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
首先,《GB/T 4061-2009》將標(biāo)準(zhǔn)從強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)調(diào)整為推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),這一變化反映了國(guó)家對(duì)于該領(lǐng)域技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)管理方式的調(diào)整。其次,在適用范圍上,新版本明確了適用于硅多晶材料中非金屬夾雜物及缺陷檢測(cè)的要求,并對(duì)樣品制備、試驗(yàn)條件等細(xì)節(jié)做出了更加具體的規(guī)定。
此外,《GB/T 4061-2009》還增加了對(duì)試驗(yàn)溶液成分的具體要求以及配制方法的描述,確保了不同實(shí)驗(yàn)室間結(jié)果的一致性和可比性。同時(shí),新版標(biāo)準(zhǔn)也詳細(xì)規(guī)定了腐蝕過(guò)程中的溫度控制、時(shí)間設(shè)定等關(guān)鍵參數(shù),以提高檢測(cè)精度。
在結(jié)果評(píng)定部分,《GB/T 4061-2009》不僅保留了原標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于缺陷分類(lèi)的基本框架,而且進(jìn)一步細(xì)化了各類(lèi)缺陷的定義及其識(shí)別依據(jù),使得評(píng)價(jià)體系更為科學(xué)合理。另外,新標(biāo)準(zhǔn)還補(bǔ)充了實(shí)驗(yàn)報(bào)告格式的相關(guān)要求,強(qiáng)調(diào)了記錄保存的重要性,有利于后續(xù)的數(shù)據(jù)分析與質(zhì)量追溯。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2009-10-30 頒布
- 2010-06-01 實(shí)施
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GB/T 4061-2009硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
犐犆犛29.045
犎80
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
犌犅/犜4061—2009
代替GB4061—1983
硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱犪狊狊犲狊狊犿犲狀狋狅犳
狊犪狀犱狑犻犮犺犲狊狅狀犮狉狅狊狊狊犲犮狋犻狅狀犫狔犮犺犲犿犻犮犪犾犮狅狉狉狅狊犻狅狀
20091030發(fā)布20100601實(shí)施
中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局
發(fā)布
中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
書(shū)
犌犅/犜4061—2009
前言
本標(biāo)準(zhǔn)代替GB4061—1983《硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法》。
本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比,主要有如下改動(dòng):
———增加了“術(shù)語(yǔ)”、“試劑與器材”;
———增加了“檢驗(yàn)報(bào)告”內(nèi)容;
———對(duì)試樣尺寸的切取方向和試樣處理內(nèi)容增加了要求。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位:洛陽(yáng)中硅高科技有限公司。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:袁金滿。
本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為:
———GB4061—1983。
Ⅰ
書(shū)
犌犅/犜4061—2009
硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗(yàn)方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了以三氯氫硅和四氯化硅為原料在還原爐內(nèi)用氫氣還原出的硅多晶棒的斷面夾層化學(xué)
腐蝕檢驗(yàn)方法。
本標(biāo)準(zhǔn)關(guān)于斷面夾層的檢驗(yàn)適用于以三氯氫硅和四氯化硅為原料,以細(xì)硅芯為發(fā)熱體,在還原爐內(nèi)
用氫氣還原沉積生長(zhǎng)出來(lái)的硅多晶棒。
2方法原理
本方法采用化學(xué)腐蝕法,根據(jù)氫氟酸硝酸混合液對(duì)硅多晶斷面氧化夾層及溫度夾層腐蝕速率的差
別進(jìn)行檢驗(yàn)。
3術(shù)語(yǔ)
3.1
氧化夾層狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪
硅多晶橫斷面上呈同心圓狀結(jié)構(gòu)的氧化硅夾雜。
3.2
溫度夾層狋犲犿狆犲狉犪狋狌狉犲犾犪犿犲犾犾犪
由于溫度起伏,在硅多晶的橫斷面上引起結(jié)晶致密度、晶粒大小或顏色的差異,晶粒呈現(xiàn)出以硅芯
為中心的年輪狀結(jié)構(gòu),也叫溫度圈(temperaturecircle)。
4試劑與器材
4.1試劑
4.1.1純水:大于2MΩ·cm純水(25℃)。
4.1.2氫氟酸(HF):化學(xué)純。
4.1.3硝酸(HNO3):化學(xué)純。
4.2器材
4.2.1器皿:采用耐氫氟酸腐蝕材料。
4.2.2排風(fēng)櫥:采用耐酸氣腐蝕材料。
5試樣制備
5.1取樣部位
除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10cm
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