GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜４０５９—２００７

代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０５９—２００７

中國標準出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

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電話：（０１０）５１２９９０９０、６８５２２００６

２００８年２月第一版

書號：１５５０６６·１３０５３４

版權專有侵權必究

舉報電話：（０１０）６８５２２００６

書

犌犅／犜４０５９—２００７

前言

本標準是對ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３《硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法》的修訂。本標準修改采用了

ＡＳＴＭＦ１７２３—１９９６《用懸浮區(qū)熔法晶體生長和光譜學方法評價多晶硅棒的標準》。

本標準與ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６的一致性程度是修改采用，其差異如下：

———刪去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第９章“危害”，因此，使用本標準時應建立相應的安全操作規(guī)范；

———刪去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第５章“意義和用途”、第１０章１０．２．３條“垂直取芯”、第１５章“關鍵詞”。

本標準與原標準相比，主要變化如下：

———檢測雜質濃度范圍擴大為０．００２ｐｐｂａ～１００ｐｐｂａ；

———采用ＡＳＴＭＦ１７２３９６規(guī)定的施主雜質測量范圍替代原ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３的測量范圍；

———依據ＡＳＴＭＦ１７２３９６增加了用低溫紅外光譜和熒光光譜分析法測量樣品中的磷雜質含量的

方法；

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術語”、“允許差”、“計算”；

———刪去了原標準中的附錄Ａ；

———將原標準中的第５章“檢驗條件”修訂為“干擾因素”；

———將原標準中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于５ｍｍ，距多晶硅棒底部不低于５０ｍｍ；

———將原標準中的試樣尺寸范圍修訂為直徑１５ｍｍ～２０ｍｍ、長度為１８０ｍｍ；

———將原標準中的“檢驗結果尺寸”修訂為１０ｍｍ～１５ｍｍ。

本標準自實施之日起，同時代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：峨眉半導體材料廠。

本標準主要起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０５９—２００７

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

１范圍

本標準適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基磷的檢驗。

本標準檢測雜質濃度的有效范圍：０．００２×１０－９～１００×１０－９。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內少數載流子壽命測定光電導衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１５５５半導體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度