標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 39159-2020 集成電路用高純銅合金靶材》這一標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)集成電路制造過程中使用的高純銅合金靶材制定了詳細(xì)的技術(shù)要求與測(cè)試方法。它適用于集成電路中作為導(dǎo)電層沉積材料的銅合金靶材,旨在確保這類材料的質(zhì)量和性能符合半導(dǎo)體行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)需求。

該標(biāo)準(zhǔn)首先界定了術(shù)語定義,明確了何為“高純銅合金靶材”,并對(duì)其主要成分、雜質(zhì)含量等做了具體規(guī)定,強(qiáng)調(diào)了對(duì)銅及其合金元素如銀等的控制范圍。同時(shí),還設(shè)定了物理性能指標(biāo),比如密度、電阻率等關(guān)鍵參數(shù)值,以及外觀質(zhì)量上的要求,包括表面平整度、無明顯缺陷等。

在檢測(cè)方面,《GB/T 39159-2020》提供了詳盡的方法指南,覆蓋了從樣品制備到結(jié)果分析的全過程。其中包括化學(xué)成分分析采用光譜法或滴定法;物理性質(zhì)測(cè)定則通過專用儀器測(cè)量密度、硬度及導(dǎo)電性等;對(duì)于微觀結(jié)構(gòu),則利用金相顯微鏡或電子掃描顯微鏡進(jìn)行觀察評(píng)估。此外,還特別指出需要對(duì)靶材的焊接性能進(jìn)行檢驗(yàn),以保證其在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。

此標(biāo)準(zhǔn)不僅為制造商提供了明確的產(chǎn)品規(guī)格參考,同時(shí)也為用戶選擇合適的高純銅合金靶材提供了科學(xué)依據(jù),有助于推動(dòng)整個(gè)集成電路行業(yè)向更高水平發(fā)展。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2020-11-19 頒布
  • 2021-10-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS7715030

H62..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39159—2020

集成電路用高純銅合金靶材

Highpuritycopperalloytargetforintegratedcircuit

2020-11-19發(fā)布2021-10-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T39159—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位寧波江豐電子材料股份有限公司有研億金新材料有限公司寧波微泰真空技術(shù)

:、、

有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曹歡歡袁海軍姚力軍王學(xué)澤曾浩邊逸軍鐘偉華周友平賀昕慕二龍

:、、、、、、、、、、

高巖江偉龍

、。

GB/T39159—2020

集成電路用高純銅合金靶材

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了集成電路用高純銅合金靶材以下簡(jiǎn)稱靶材的分類技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則

()、、、

及標(biāo)志包裝運(yùn)輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容

、、、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于集成電路制造用的高純銅鋁合金靶材和高純銅錳合金靶材

(CuAl)(CuMn)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定

GB/T8170

金屬板材超聲板波探傷方法

GB/T8651

金屬材料中氫氧氮碳和硫分析方法通則

GB/T14265、、、

金屬平均晶粒度的測(cè)定電子背散射衍射法

GB/T36165(EBSD)

銅及銅合金平均晶粒度測(cè)定方法

YS/T347

銅及銅合金分析方法光電發(fā)射光譜法

YS/T482

濺射靶材背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法

YS/T837-

高純銅化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法

YS/T922

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

靶材target

在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子原子或離子的形

。、

式脫離陰極而在陽極表面沉積

32

.

靶坯targetblank

陰極上用作濺射材料的材料

。

33

.

背板backingplate

用來支撐或固定靶材的材料

。

注靶坯與背板可以通過焊接如釬焊電子束焊擴(kuò)散焊等機(jī)械復(fù)合粘接等方式連接

:(、、)、、。

34

.

表面粗糙度surfaceroughness

Ra

加工表面具有的較小間距和微小峰谷的不平度輪廓的平均算術(shù)偏差值Ra即在一定測(cè)量長(zhǎng)度l

。,

范圍內(nèi)輪廓上各點(diǎn)至中線距離

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