GB/T 35307-2017流化床法顆粒硅

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

Granularpolysiliconproducedbyfluidizedbedmethod

2017-12-29發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

流化床法顆粒硅

GB/T35307—2017

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201712

*

書號

:155066·1-58578

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T35307—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司亞洲硅業(yè)青海有限

:、、()

公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有研半導(dǎo)體材料有限公司天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司陜西

、、、、

天宏硅材料有限責(zé)任公司青海黃河上游水電開發(fā)有限責(zé)任公司新能源分公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉曉霞蔣立民付治棟魯文鋒賀東江李明峰李咸江銀波宗冰程鳳伶

:、、、、、、、、、、

夏進(jìn)京張雪囡尹敏秦榕

、、、。

Ⅰ

GB/T35307—2017

流化床法顆粒硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了流化床法生產(chǎn)的顆粒硅的術(shù)語和定義要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)

、、、、、

輸貯存質(zhì)量證明書和訂貨單或合同內(nèi)容

、、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以硅烷氣為原料采用流化床法生產(chǎn)的顆粒狀多晶硅產(chǎn)品

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

半導(dǎo)體材料牌號表示方法

GB/T14844

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

光伏電池用硅材料中金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測量方法

GB/T31854

用區(qū)熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規(guī)程

GB/T35309

粒度分析圖像分析法第部分動態(tài)圖像分析方法

ISO13322.2-2:(Particalsizeanalysis-Image

analysismethods—Part2:Dynamicimageanalysismethods)

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41牌號

.

顆粒硅的牌號表示按的規(guī)定可表示為

GB/T14844,:

-PSi-G--

表示用途表示電子級表示太陽能級

,E,S

顆粒硅等級特級用表示其他用阿拉伯?dāng)?shù)字表示

,“T”,

表示顆粒狀

表示多晶硅

表示生產(chǎn)方法表示硅烷法