• 被代替
  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替,建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 3389-2008
  • 1997-12-09 頒布
  • 1998-09-01 實(shí)施
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GB/T 3389.6-1997壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法長(zhǎng)方片厚度切變振動(dòng)模式_第1頁(yè)
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ICS31-030L90°中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T3389.6-1997壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法長(zhǎng)方片厚度切變振動(dòng)模式TestmethodsforpropertiesofpiezoelectricceramicsThickness-shearyibrationmodeforrectangularplate1997-12-09發(fā)布1998-09-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T3389.6-1997次前言1范圍引用標(biāo)準(zhǔn)3定義和符號(hào)?測(cè)試原理測(cè)試條件測(cè)試方法附錄A(標(biāo)準(zhǔn)的附錄)Ja/f與ke的關(guān)系·附錄B(標(biāo)準(zhǔn)的附錄)。/f,與的關(guān)系

CB/T3389.6-1997前-82《壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法本標(biāo)準(zhǔn)是在GB3389.6一長(zhǎng)方片厚度切變振動(dòng)模式》的基礎(chǔ)上修訂的、與GB3389.6-82對(duì)比,主要作了如下的修訂1)按照GB/T1.1—1993的規(guī)定,增加了前言。2)試驗(yàn)方法增加“電橋法”。3)環(huán)境條件按照B2421一89《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總總則》的規(guī)定4)刪去原標(biāo)準(zhǔn)中的符號(hào)表。本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A和附錄B都是標(biāo)準(zhǔn)的附錄。本標(biāo)準(zhǔn)從實(shí)施之日起,同時(shí)代替GB3389.6-82.本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)電子工業(yè)部提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)鐵電壓電陶瓷標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位:電子工業(yè)部標(biāo)準(zhǔn)化研究所、江蘇雷聲電子設(shè)備廠本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:王玉功、羅紹掌。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)壓電陶瓷材料性能測(cè)試方法GB/T3389.6-1997長(zhǎng)方片厚度切變振動(dòng)模式代替GB3389.6-82TestmethodsforpropertiesofpiezoelectricceramicsThickness-shearvibrationmodeforrectangularplate1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了壓電陶瓷材料長(zhǎng)方片厚度切交振動(dòng)模式的介電、壓電和彈性性能的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于壓電陶瓷材料長(zhǎng)方片厚度切變振動(dòng)模式參數(shù)性能的測(cè)試。2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文,通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成本標(biāo)準(zhǔn)的條文,本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí),所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂,使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB2413—81壓電陶瓷材料體積密度測(cè)量方法GB2421—89電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則GB/T3389.1—1996鐵電壓電陶瓷詞匯定義和符號(hào)本標(biāo)準(zhǔn)中采用的定義和符號(hào)按GB/T3389.1的規(guī)定4測(cè)試原理厚度切變振動(dòng)厚度切變振動(dòng)如圖1所示,振子沿Z方向極化,沿義方向施加激勵(lì)電場(chǎng),則在ZX面上產(chǎn)生剪切力圖1a,使ZX面產(chǎn)生切變圖1b。當(dāng)電場(chǎng)反向時(shí),則ZX面產(chǎn)生反方向切變圖1c.在交變電場(chǎng)激勵(lì)下,振子產(chǎn)生質(zhì)點(diǎn)位移沿乙

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