GB/T 32816-2016硅基MEMS制造技術以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

ICS31200

L55.

中華人民共和國國家標準

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技術

以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthecombination

ofthedeepetchingandbondingprocess

2016-08-29發(fā)布2017-03-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T32816—2016

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片選擇

4.2……………1

鍵合區(qū)制備

4.3…………………………1

玻璃片金屬電極制備

4.4………………5

硅玻璃陽極鍵合

4.5-……………………8

深刻蝕結(jié)構釋放

4.6……………………9

劃片

4.7…………………11

工藝保障條件要求

5………………………11

人員要求

5.1……………11

環(huán)境要求

5.2……………11

設備要求

5.3……………12

原材料要求

6………………12

安全與環(huán)境操作要求

7……………………13

安全

7.1…………………13

化學試劑

7.2……………13

排放

7.3…………………13

檢驗

8………………………13

總則

8.1…………………13

硅片干法刻蝕結(jié)構釋放關鍵工序檢驗

8.2……………13

最終檢驗

8.3……………14

GB/T32816—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準由全國微機電技術標準化技術委員會提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標準主要起草單位北京大學中機生產(chǎn)力促進中心大連理工大學北京青鳥元芯微系統(tǒng)科技有

:、、、

限公司

。

本標準主要起草人張大成楊芳李海斌王瑋何軍黃賢劉沖劉偉鄒赫麟田大宇姜博巖

:、、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技術

以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

1范圍

本標準規(guī)定了采用以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成進行器件加工時應遵循的工藝要求

MEMS

和質(zhì)量檢驗要求

。

本標準適用于基于以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成的加工和質(zhì)量檢驗

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測量管理體系測量過程和測量設備的要求

GB/T19022

微機電系統(tǒng)技術術語

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠房設計規(guī)范

GB50073

3術語和定義

界定的術語和定義適用于本文件

GB/T26111。

4工藝流程

41概述

.

以深刻蝕和鍵合為核心的工藝集成包括硅片鍵合區(qū)制備玻璃片金屬電極制備硅玻璃陽極鍵合

、、-、

深刻蝕結(jié)構釋放劃片等部分其中關鍵工藝用表示

、,(G)。

42硅片選擇

.

421硅片材料的選擇如型或型輕摻雜或重摻雜電阻率等應結(jié)合所制造的器件的性能要求

..,np、、,

和后續(xù)工藝需求確定

。

422硅片晶面的選擇應以后續(xù)的工藝選擇為依據(jù)當后續(xù)工藝步驟中使用了氫氧化鉀或四

.