標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32816-2016 硅基MEMS制造技術(shù) 以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為基于硅材料的微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件的制造提供一套關(guān)于深刻蝕技術(shù)和鍵合技術(shù)應(yīng)用的指導(dǎo)性文件。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了在MEMS生產(chǎn)過(guò)程中采用深刻蝕和鍵合作為關(guān)鍵技術(shù)時(shí)所需遵循的一系列操作流程、質(zhì)量控制要求以及安全措施等。

深刻蝕是指利用化學(xué)或物理方法對(duì)硅片進(jìn)行深度加工的技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的三維結(jié)構(gòu)制作；而鍵合則是指將兩個(gè)或多個(gè)預(yù)先制備好的硅片或其他材料通過(guò)一定方式緊密結(jié)合在一起的過(guò)程，是構(gòu)建復(fù)雜MEMS結(jié)構(gòu)的重要手段之一。這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)于提高M(jìn)EMS產(chǎn)品的性能參數(shù)至關(guān)重要。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，深刻蝕過(guò)程需要考慮的因素包括但不限于：刻蝕劑的選擇、刻蝕速率的控制、刻蝕均勻性及選擇比等。同時(shí)，針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，可能還需要特別關(guān)注刻蝕后的表面粗糙度等問(wèn)題。至于鍵合部分，則涵蓋了直接鍵合、陽(yáng)極鍵合等多種類(lèi)型的鍵合方法，并對(duì)其實(shí)施條件如溫度、壓力等做出了明確規(guī)定。此外，還強(qiáng)調(diào)了在整個(gè)工藝鏈中保持良好清潔度的重要性，因?yàn)槿魏挝廴径伎赡軐?dǎo)致最終產(chǎn)品性能下降甚至失效。

該標(biāo)準(zhǔn)適用于從事MEMS設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)制造及相關(guān)研究工作的企業(yè)和機(jī)構(gòu)，為其提供了從原材料準(zhǔn)備到成品檢驗(yàn)全鏈條的技術(shù)指南，有助于提升國(guó)內(nèi)MEMS行業(yè)的整體技術(shù)水平。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2016-08-29 頒布
  • 2017-03-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31200

L55.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthecombination

ofthedeepetchingandbondingprocess

2016-08-29發(fā)布2017-03-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T32816—2016

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

工藝流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片選擇

4.2……………1

鍵合區(qū)制備

4.3…………………………1

玻璃片金屬電極制備

4.4………………5

硅玻璃陽(yáng)極鍵合

4.5-……………………8

深刻蝕結(jié)構(gòu)釋放

4.6……………………9

劃片

4.7…………………11

工藝保障條件要求

5………………………11

人員要求

5.1……………11

環(huán)境要求

5.2……………11

設(shè)備要求

5.3……………12

原材料要求

6………………12

安全與環(huán)境操作要求

7……………………13

安全

7.1…………………13

化學(xué)試劑

7.2……………13

排放

7.3…………………13

檢驗(yàn)

8………………………13

總則

8.1…………………13

硅片干法刻蝕結(jié)構(gòu)釋放關(guān)鍵工序檢驗(yàn)

8.2……………13

最終檢驗(yàn)

8.3……………14

GB/T32816—2016

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)微機(jī)電技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC336)。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位北京大學(xué)中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心大連理工大學(xué)北京青鳥(niǎo)元芯微系統(tǒng)科技有

:、、、

限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人張大成楊芳李海斌王瑋何軍黃賢劉沖劉偉鄒赫麟田大宇姜博巖

:、、、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T32816—2016

硅基MEMS制造技術(shù)

以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了采用以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成進(jìn)行器件加工時(shí)應(yīng)遵循的工藝要求

MEMS

和質(zhì)量檢驗(yàn)要求

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于基于以深刻蝕與鍵合為核心的工藝集成的加工和質(zhì)量檢驗(yàn)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測(cè)量管理體系測(cè)量過(guò)程和測(cè)量設(shè)備的要求

GB/T19022

微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T26111(MEMS)

潔凈廠(chǎng)房設(shè)計(jì)規(guī)范

GB50073

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T26111。

4工藝流程

41概述

.

以深刻蝕和鍵合為核心的工藝集成包括硅片鍵合區(qū)制備玻璃片金屬電極制備硅玻璃陽(yáng)極鍵合

、、-、

深刻蝕結(jié)構(gòu)釋放劃片等部分其中關(guān)鍵工藝用表示

、,(G)。

42硅片選擇

.

421硅片材料的選擇如型或型輕摻雜或重?fù)诫s電阻率等應(yīng)結(jié)合所制造的器件的性能要求

..,np、、,

和后續(xù)工藝需求確定

。

422硅片晶面的選擇應(yīng)以后續(xù)的工藝選擇為依據(jù)當(dāng)后續(xù)工藝步驟中使用了氫氧化鉀或四

.

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