GB/T 32495-2016表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中砷的深度剖析方法

ICS7104040

G04..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

硅中砷的深度剖析方法

Surfacechemicalanalysis—Secondary-ionmassspectrometry—

Methodfordepthprofilingofarsenicinsilicon

(ISO12406:2010,IDT)

2016-02-24發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

符號和縮略語

4……………1

原理

5………………………2

參考物質(zhì)

6…………………2

用于校準(zhǔn)相對靈敏度因子的參考物質(zhì)

6.1……………2

用于校準(zhǔn)深度的參考物質(zhì)

6.2…………2

儀器

7………………………2

二次離子質(zhì)譜儀

7.1……………………2

觸針式輪廓儀

7.2………………………2

光學(xué)干涉儀

7.3…………………………2

樣品

8………………………2

步驟

9………………………2

二次離子質(zhì)譜儀的調(diào)整

9.1……………2

優(yōu)化二次離子質(zhì)譜儀的設(shè)定

9.2………………………3

進樣

9.3…………………3

被測離子

9.4……………3

樣品檢測

9.5……………4

校準(zhǔn)

9.6…………………4

結(jié)果表述

10…………………5

測試報告

11…………………5

附錄資料性附錄硅中砷深度剖析巡回測試報告

A()…………………6

附錄資料性附錄深度剖析步驟

B()NISTSRM2134…………………9

參考文獻

……………………10

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜硅中砷的深度剖析

ISO12406:2010《

方法

》。

與本標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

表面化學(xué)分析詞匯

———GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)

本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC38)。

本標(biāo)準(zhǔn)負責(zé)起草單位中國電子科技集團公司第四十六研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人馬農(nóng)農(nóng)陳瀟何友琴王東雪

:、、、。

Ⅰ

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

引言

本標(biāo)準(zhǔn)為使用二次離子質(zhì)譜對硅中砷的定量深度剖析

(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)

而制定

。

對于定量深度剖析濃度和深度定標(biāo)都是必不可少的國家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了硅中硼濃

,。GB/T20176

度的測定方法國際標(biāo)準(zhǔn)[1]中規(guī)定了硅中硼深度剖析方法國家標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定

。ISO17560。GB/T25186

了離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)的相對靈敏度因子的測定方法國家標(biāo)準(zhǔn)中建立了表面化學(xué)

(RSF)。GB/T22461

分析領(lǐng)域常規(guī)術(shù)語和譜學(xué)術(shù)語的詞匯表本標(biāo)準(zhǔn)中硅中砷定量深度剖析方法將會引用這些國家標(biāo)準(zhǔn)

。。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于采用二次離子質(zhì)譜法對單晶硅多晶硅非晶硅中砷元素進行深度剖析及用觸針式

、、,

表面輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標(biāo)的方法

。

Ⅱ

GB/T32495—2016/ISO124062010

:

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜

硅中砷的深度剖析方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)詳細規(guī)定了用扇形磁場或四極桿式二次離子質(zhì)譜儀對硅中砷進行深度剖析的方法以及用

,

觸針式輪廓儀或光學(xué)干涉儀深度定標(biāo)的方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于砷原子濃度范圍從163

。1×10atoms/cm~

213的單晶硅多晶硅非晶硅樣品坑深在及以上

2.5×10atoms/cm、、,50nm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜用均勻摻雜物測定硅中硼的原子濃度

GB/T20176—2006

(ISO14237:2010,IDT)

表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜由離子注入?yún)⒖嘉镔|(zhì)確定相對靈敏度因子

GB/T25186—2010

(ISO18114:2003,IDT)

表面化學(xué)分析詞匯第部分通用術(shù)語和譜學(xué)用術(shù)語

ISO18115-11:(Surfacechemicalanaly-

sis—Vocabulary—Part1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

ISO18115-1。

4符號和縮略語

Ci深度剖析第i個周期時砷原子濃度用單位體積原子個數(shù)3表示

,,(atoms/cm)

d深度剖析中求相對靈敏度因子用的深度用厘米表示

,(cm)

di在測試第i個周期時的深度用厘米表示

,(cm)

d坑深用厘米表示

t,(cm)

Ii測試第i個周期時砷離子強度用每秒計數(shù)