GB/T 30453-2013硅材料原生缺陷圖譜

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30453—2013

硅材料原生缺陷圖譜

Metallographscollectionfororiginaldefectsofcrystallinesilicon

2013-12-31發(fā)布2014-10-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T30453—2013

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

硅多晶結(jié)構(gòu)的不完整性

4…………………1

硅單晶晶體缺陷

5…………………………4

硅片加工缺陷

6……………9

硅外延片缺陷

7…………………………11

附錄資料性附錄氫致缺陷圖

A()………………………76

索引

…………………………79

Ⅰ

GB/T30453—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照制定的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分會提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司東方電氣集團峨眉半導(dǎo)體材料有限公司南京國

:、、

盛電子有限公司杭州海納半導(dǎo)體有限公司萬向硅峰電子股份有限公司四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任

、、、

公司陜西天宏硅材料有限責(zé)任公司中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫燕曹孜翟富義楊旭譚衛(wèi)東黃笑容樓春蘭王飛堯石宇劉云霞陳赫

:、、、、、、、、、、、

梁洪羅莉萍李詠梅齊步坤李慧向磊

、、、、、。

Ⅲ

GB/T30453—2013

硅材料原生缺陷圖譜

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)給出了硅多晶硅單晶硅片和硅外延片等硅材料的各種原生缺陷及其密切相關(guān)誘生缺陷的

、、

術(shù)語及其形貌特征圖譜分析了其產(chǎn)生的原因和消除方法

。。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅多晶硅單晶硅片和硅外延片等硅材料生產(chǎn)研究中各種缺陷的檢驗硅器件集

、、。、

成電路的生產(chǎn)研究也可參考本標(biāo)準(zhǔn)

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

GB/T1554

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

GB/T4058

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4硅多晶結(jié)構(gòu)的不完整性

41晶粒粗大

.

411特征

..

由三氯氫硅或四氯化硅氫還原法和硅烷熱分解法生長的硅多晶表面致密

(SiHCl3)(SiCl4)(SiH4),

度和晶粒大小與合格多晶明顯有差異見圖圖

,(1~4)。

412產(chǎn)生原因

..

多晶生長時沉積速率過快溫度過高易產(chǎn)生顆粒粗大

,,。

413對單晶制備的影響

..

給單晶制備前多晶料的清潔處理帶來困難并成為單晶中雜質(zhì)的污染源

,。

414消除方法

..

合理控制沉積速率控制進料配比調(diào)節(jié)氣流速度

,,。

42溫度圈

.

4