第01章-晶體二極管

《電子電路基礎(chǔ)》(BasisofElectronicCircuits)------光電學(xué)院電子工程系------教材：

《電子線路》(線性部分)（第四版）謝嘉奎主編高等教育出版社1999

（東南大學(xué)）《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)明教程》（第三版）楊素行主編

高等教育出版社2006

（清華大學(xué)）參考書：

1、《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第3版）童詩白，華成英主編，高教出版社，2001（清華）2、《電子技術(shù)基礎(chǔ)》（模擬部分）康華光編著高等教育出版社1999（華中理工）3、《電子線路基礎(chǔ)教程》王成華主編科學(xué)出版社2000一、學(xué)習(xí)本課程的意義三、本課程特點(diǎn)及學(xué)習(xí)方法前言二、目的和任務(wù)四、要求四、要求課程總評(píng)成績(jī)：由平時(shí)成績(jī)、階段成績(jī)和期末卷面成績(jī)加權(quán)構(gòu)成。作業(yè)：每周第一次課交上周作業(yè)，發(fā)上上周作業(yè)本?？记冢赫n堂隨機(jī)點(diǎn)名與課堂簽到相結(jié)合。重修生要求每次簽到。平時(shí)成績(jī)認(rèn)定：（占15%-30%）（1）課堂出勤次數(shù)（2）課堂聽課表現(xiàn)/回答問題情況（3）作業(yè)上交次數(shù)（4）每次作業(yè)完成質(zhì)量等過程成績(jī)階段成績(jī)認(rèn)定（占30%-45%）：課內(nèi)測(cè)驗(yàn)/階段測(cè)驗(yàn)/中期考試等期末卷面成績(jī)：（<=50%）考試資格：課堂缺席1/3，或作業(yè)缺交1/3，期末均無考試資格！在人類發(fā)展歷史中，現(xiàn)代信息技術(shù)的進(jìn)步，是從電的應(yīng)用開始起步、電子技術(shù)的出現(xiàn)奠定基礎(chǔ)、半導(dǎo)體集成電路技術(shù)和現(xiàn)代計(jì)算機(jī)技術(shù)的應(yīng)用迅猛加速而形成今天這種蓬勃興旺的局面的。1838莫爾斯電報(bào)1876電話1887赫芝無線電波試驗(yàn)1897馬可尼跨海無線電通信試驗(yàn)成功1904真空管1918超外差接收機(jī)1920調(diào)幅廣播1925電視1934雷達(dá)1945數(shù)字計(jì)算機(jī)1946晶體管人造衛(wèi)星1958集成電路1961 程控交換機(jī)1972 SPICE1979 蜂窩電話1985 IP網(wǎng)絡(luò)1G:模擬蜂窩移動(dòng)通信系統(tǒng)（主要支持業(yè)務(wù)：語音）2G:數(shù)字…（業(yè)務(wù)：語音、短信、數(shù)據(jù)、圖像）3G:寬帶多媒體………..(支持視頻）B3G/LTE/4G:下行：100Mbps,上行：20Mbps3G三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)WCDMA(歐洲）→聯(lián)通CDMA2000（北美）→電信TD-SCDMA（中國(guó)）→移動(dòng)移動(dòng)通信發(fā)展歷程：常用電路仿真軟件：Protel，MaxplusII，Multisim,EWB,Matlab等硬件描述語言（HardwareDescriptionLanguage，HDL）CPLD（ComplexProgrammableLogicDevice）復(fù)雜可編程邏輯器件FPGA（FieldProgrammableGateArray）現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列常用大規(guī)?？删幊踢壿嬈骷HDL，VerilogHDL電子技術(shù)發(fā)展的幾個(gè)主要趨勢(shì)：1969年：Moore定律半導(dǎo)體工藝提高：從10m1m0.1m

集成度的提高，在電子技術(shù)領(lǐng)域引發(fā)了巨大的變化：

小規(guī)模中規(guī)模大規(guī)模（LSI）超大規(guī)模（VLSI）

電子設(shè)備從電路板二次集成片上系統(tǒng)（SOC）

系統(tǒng)設(shè)計(jì)從器件級(jí)門級(jí)標(biāo)準(zhǔn)單元級(jí)可重用模塊（1）分立元件——集成電路（2）模擬電路（信號(hào)）——數(shù)字化（3）固定功能——可編程9信號(hào)與電子系統(tǒng)信號(hào)及其分類圖1.1.1電視系統(tǒng)方框圖信號(hào)：信息的載體（隨時(shí)間變化的物理量）。 也可用語言、文字、圖像或編碼來表達(dá)。但不便于直接傳輸。

電信號(hào)：隨時(shí)間變化的電壓或電流（便于傳輸）10信號(hào)及其分類幾種模擬信號(hào)波形(a)正弦波(b)三角波(c)調(diào)幅波(d)阻尼振蕩波(a)(d)(b)(c)信號(hào)與電子系統(tǒng)信號(hào)的分類模擬信號(hào)模擬信號(hào)的幅值隨時(shí)間呈連續(xù)變化，波形上任意一點(diǎn)的數(shù)值均有其物理意義。數(shù)字信號(hào)連續(xù)（模擬）信號(hào)離散信號(hào)(c)(a)(b)數(shù)字信號(hào)采樣幅值量化/編碼12

信號(hào)及其分類信號(hào)與電子系統(tǒng)信號(hào)的分類模擬信號(hào)模擬信號(hào)的幅值隨時(shí)間呈連續(xù)變化，波形上任意一點(diǎn)的數(shù)值均有其物理意義。數(shù)字信號(hào)數(shù)字信號(hào)波形舉例數(shù)字信號(hào)只在某些不連續(xù)的瞬時(shí)給出函數(shù)值,其函數(shù)值通常是某個(gè)最小單位的整數(shù)倍。電子線路：指包含電子器件、并能對(duì)電信號(hào)實(shí)現(xiàn)某種處理的功能電路。電路組成：電子器件+外圍電路電子器件：二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成電路。外圍電路：直流電源、電阻、電容、電感、電流源電路等。電子系統(tǒng)的任務(wù)：不失真地傳遞信號(hào)，或?qū)π盘?hào)進(jìn)行處理。電子系統(tǒng)：由若干相互關(guān)聯(lián)的單元電子電路組成，用來實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸或信號(hào)的處理14電子系統(tǒng)舉例熱電偶溫度計(jì)的方框圖爐溫自動(dòng)控制系統(tǒng)學(xué)習(xí)目標(biāo):

能夠?qū)ΤＳ玫碾娮与娐愤M(jìn)行分析，同時(shí)對(duì)較簡(jiǎn)單的單元電路進(jìn)行設(shè)計(jì)。1.1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)1.3晶體二極管電路分析方法1.2PN結(jié)1.4晶體二極管的應(yīng)用1.0概述第一章晶體二極管概述晶體二極管結(jié)構(gòu)及電路符號(hào)：PN結(jié)正偏（P接+、N接-），D導(dǎo)通。PN正極負(fù)極晶體二極管的主要特性：?jiǎn)畏较驅(qū)щ娞匦訮N結(jié)反偏（N接+、P接-），D截止。即主要用途：用于整流、開關(guān)、檢波電路中。半導(dǎo)體：導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。1.1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)硅(Si)、鍺(Ge)原子結(jié)構(gòu)及簡(jiǎn)化模型：+14284+3228418+4價(jià)電子慣性核

硅和鍺的單晶稱為本征半導(dǎo)體。它們是制造半導(dǎo)體器件的基本材料。+4+4+4+4+4+4+4+4

硅和鍺共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)示意圖：共價(jià)鍵1.1.1本征半導(dǎo)體當(dāng)T升高或光線照射時(shí)產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)。

共價(jià)鍵具有很強(qiáng)的結(jié)合力。當(dāng)T=0K（無外界影響）時(shí)，共價(jià)鍵中無自由移動(dòng)的電子。這種現(xiàn)象稱注意：空穴的出現(xiàn)是半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征。本征激發(fā)。

本征激發(fā)

當(dāng)原子中的價(jià)電子激發(fā)為自由電子時(shí)，原子中留下空位，同時(shí)原子因失去價(jià)電子而帶正電。

當(dāng)鄰近原子中的價(jià)電子不斷填補(bǔ)這些空位時(shí)形成一種運(yùn)動(dòng)，該運(yùn)動(dòng)可等效地看作是空穴的運(yùn)動(dòng)。注意：空穴運(yùn)動(dòng)方向與價(jià)電子填補(bǔ)方向相反。自由電子—帶負(fù)電半導(dǎo)體中有兩種導(dǎo)電的載流子

空穴的運(yùn)動(dòng)空穴—帶正電溫度一定時(shí)：激發(fā)與復(fù)合在某一熱平衡值上達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。

熱平衡載流子濃度熱平衡載流子濃度：本征半導(dǎo)體中本征激發(fā)——產(chǎn)生自由電子空穴對(duì)。電子和空穴相遇釋放能量——復(fù)合。T導(dǎo)電能力ni或光照熱敏特性光敏特性

N型半導(dǎo)體：1.1.2雜質(zhì)半導(dǎo)體+4+4+5+4+4簡(jiǎn)化模型：N型半導(dǎo)體多子——自由電子少子——空穴自由電子本征半導(dǎo)體中摻入少量五價(jià)元素構(gòu)成。P型半導(dǎo)體+4+4+3+4+4簡(jiǎn)化模型：P型半導(dǎo)體少子——自由電子多子——空穴空穴本征半導(dǎo)體中摻入少量三價(jià)元素構(gòu)成。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中載流子濃度計(jì)算N型半導(dǎo)體（熱平衡條件）（電中性方程）P型半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體呈電中性少子濃度取決于溫度。多子濃度取決于摻雜濃度。1.1.3兩種導(dǎo)電機(jī)理——漂移和擴(kuò)散

載流子在電場(chǎng)作用下的運(yùn)動(dòng)運(yùn)動(dòng)稱漂移運(yùn)動(dòng)，所形成的電流稱漂移電流。漂移電流密度總漂移電流密度：遷移率漂移與漂移電流電導(dǎo)率：

半導(dǎo)體的電導(dǎo)率電阻：電壓：

V=E

l電流：I=SJt+-V長(zhǎng)度l截面積S電場(chǎng)EI

載流子在濃度差作用下的運(yùn)動(dòng)稱擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，所形成的電流稱擴(kuò)散電流。擴(kuò)散電流密度:

擴(kuò)散與擴(kuò)散電流N型硅光照n(x)p(x)載流子濃度xnopo1.2PN結(jié)多子：多子：空穴少子：自由電子少子：

在一塊本征半導(dǎo)體在兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。此時(shí)將在N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的結(jié)合面上形成如下物理過程:自由電子空穴因濃度差空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)阻止多子擴(kuò)散內(nèi)電場(chǎng)促使少子漂移,而少子漂移可削弱內(nèi)電場(chǎng)

最后,多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)PN結(jié)的形成多子：空穴多子：自由電子內(nèi)電場(chǎng)方向少子：自由電子少子：空穴內(nèi)電場(chǎng)方向PN結(jié)的形成空間電荷區(qū)（耗盡層）

對(duì)于P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。在空間電荷區(qū)，由于缺少多子，所以也稱耗盡層。

注意：摻雜濃度（Na、Nd）越大，內(nèi)建電位差

VB

越高，阻擋層寬度

l0

越小。

內(nèi)建電位差：

阻擋層寬度：室溫時(shí)鍺管VB0.2~0.3V硅管VB0.5~0.7V1.2.2PN結(jié)的伏安特性PN結(jié)——單向?qū)щ娞匦訮+N內(nèi)建電場(chǎng)Elo+-VPN結(jié)正偏阻擋層變薄內(nèi)建電場(chǎng)減弱多子擴(kuò)散>>少子漂移多子擴(kuò)散形成較大的正向電流IPN結(jié)導(dǎo)通I電壓V電流IPN結(jié)——單向?qū)щ娞匦訮+N內(nèi)建電場(chǎng)Elo-+VPN結(jié)反偏阻擋層變寬內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)少子漂移>>多子擴(kuò)散少子漂移形成微小的反向電流IRPN結(jié)截止IRIR與V近似無關(guān)。溫度T電流IR結(jié)論：PN結(jié)具有單方向?qū)щ娞匦?。PN結(jié)——伏安特性方程式PN結(jié)正、反向特性，可用理想的指數(shù)函數(shù)來描述：熱電壓26mV（室溫）其中：

IS為反向飽和電流，其值與外加電壓近似無關(guān)，但受溫度影響很大。正偏時(shí)：

反偏時(shí)：

PN結(jié)——伏安特性曲線ID(mA)V(V)VD(on)-ISSiGeVD(on)=0.7VIS=(10-9~10-16)A硅PN結(jié)VD(on)=0.3V鍺PN結(jié)IS=(10-6~10-8)AV>VD(on)時(shí)隨著V

正向R很小I

PN結(jié)導(dǎo)通；V<0時(shí)IR很小(IR-IS)

反向R很大PN結(jié)截止。溫度每升高10℃，IS約增加一倍。溫度每升高1℃，VD(on)約減小2.5mV。|V反|=V(BR)時(shí)，IR急劇，

PN結(jié)反向擊穿。1.2.3PN結(jié)的擊穿特性雪崩擊穿齊納擊穿PN結(jié)摻雜濃度較低(lo較寬)發(fā)生條件外加反向電壓較大(>6V)

形成原因:

碰撞電離。V(BR)ID(mA)V(V)形成原因:

場(chǎng)致激發(fā)。

發(fā)生條件PN結(jié)摻雜濃度較高(lo較窄)外加反向電壓較小(<6V)

因?yàn)門

載流子運(yùn)動(dòng)的平均自由路程V(BR)。

擊穿電壓的溫度特性

雪崩擊穿電壓具有正溫度系數(shù)。

齊納擊穿電壓具有負(fù)溫度系數(shù)。因?yàn)門

價(jià)電子獲得的能量

V(BR)。

穩(wěn)壓二極管VZID(mA)V(V)IZminIZmax+-VZ

利用PN結(jié)的反向擊穿特性，可制成穩(wěn)壓二極管。

要求：Izmin<Iz<Izmax1.2.4PN結(jié)的電容特性勢(shì)壘區(qū)內(nèi)空間電荷量隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。

勢(shì)壘電容CT

擴(kuò)散電容CD

阻擋層外（P區(qū)和N區(qū)）貯存的非平衡電荷量,隨外加電壓變化產(chǎn)生的電容效應(yīng)。CT(0)CTV0xn少子濃度x0-xpP+NPN結(jié)電容PN結(jié)反偏時(shí)，CT>>CD，則Cj≈CT

PN結(jié)總電容：

Cj=CT+CD

PN結(jié)正偏時(shí)，CD>>CT，則Cj≈CD故：PN結(jié)正偏時(shí)，以CD為主。故：PN結(jié)反偏時(shí)，以CT為主。通常：CD≈幾十PF~

幾千PF。通常：CT≈幾PF~

幾十PF。1.3晶體二極管電路分析方法

晶體二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)就是一個(gè)PN結(jié)。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示為不同形式的模型：

適于任一工作狀態(tài)的通用曲線模型

便于計(jì)算機(jī)輔助分析的數(shù)學(xué)模型直流簡(jiǎn)化電路模型交流小信號(hào)電路模型

電路分析時(shí)采用的數(shù)學(xué)模型—伏安特性方程式理想模型：修正模型：rS—

體電阻+引線接觸電阻+引線電阻其中：n—非理想化因子I

正常時(shí):n1I

過小或過大時(shí):n2注意：考慮到阻擋層內(nèi)產(chǎn)生的自由電子空穴對(duì)及表面漏電流的影響，實(shí)際IS理想IS。1.3.1晶體二極管的模型曲線模型—伏安特性曲線V(BR)I

(mA)V(V)VD(on)-IS當(dāng)V>VD(on)時(shí)二極管導(dǎo)通當(dāng)V<VD(on)時(shí)二極管截止當(dāng)反向電壓V

V(BR)時(shí)二極管擊穿晶體二極管的伏安特性曲線，通常由實(shí)測(cè)得到。直流簡(jiǎn)化電路模型折線近似：在主要利用二極管單向?qū)щ娦缘碾娐分?，?shí)際二極管的伏安特性。IVVD(on)IV0abIVVD(on)abVD(on)RDD+-理想二極管：與外電路相比，VD(on)和RD均可忽略時(shí)二極管的伏安特性。開關(guān)狀態(tài)：與外電路相比，RD可忽略時(shí)的伏安特性。簡(jiǎn)化電路模型：折線近似時(shí)，二極管的簡(jiǎn)化電路模型。（室溫）ivQ小信號(hào)電路模型：為二極管增量結(jié)電阻。：PN結(jié)串聯(lián)電阻，數(shù)值很小。Cj：PN結(jié)結(jié)電容，由CD和CT兩部分構(gòu)成。注意：高頻電路中，需考慮Cj影響。因高頻工作時(shí)，

Cj容抗很小，PN結(jié)單向?qū)щ娦詴?huì)因Cj的交流旁路作用而變差。rsrdCj圖解法分析二極管電路主要采用：圖解法、直流簡(jiǎn)化分析法、小信號(hào)等效電路法。（重點(diǎn)掌握簡(jiǎn)化分析法）寫出管外電路直流負(fù)載線方程。1.3.2晶體二極管電路分析方法利用二極管曲線模型和管外電路所確定的負(fù)載線，通過作圖的方法進(jìn)行求解。要求：已知二極管伏安特性曲線和外圍電路元件值。分析步驟：作直流負(fù)載線。分析直流工作點(diǎn)。優(yōu)點(diǎn)：直觀。既可分析直流，也可分析交流。例1：已知電路參數(shù)和二極管伏安特性曲線，試求電路的靜態(tài)工作點(diǎn)電壓和電流。IVQ+-RVDDDI+-V由圖可寫出直流負(fù)載線方程：V=VDD-IR在直流負(fù)載線上任取兩點(diǎn)：解：VDDVDD/R連接兩點(diǎn)，畫出直流負(fù)載線。VQIQ令I(lǐng)=0，得V=VDD；令V=0，得I

=VDD/R；所得交點(diǎn)，即為Q點(diǎn)。

直流簡(jiǎn)化分析法

即將電路中二極管用簡(jiǎn)化電路模型代替，利用所得到的簡(jiǎn)化電路進(jìn)行分析、求解。

將截止的二極管開路，導(dǎo)通的二極管用直流簡(jiǎn)化電路模型替代，然后分析求解。（1）估算法

判斷二極管是導(dǎo)通還是截止？假設(shè)電路中二極管全部開路，分析其兩端的電位。理想二極管：若V>0，則管子導(dǎo)通；反之截止。實(shí)際二極管：若V>VD(on)，管子導(dǎo)通；反之截止。當(dāng)電路中存在多個(gè)二極管時(shí)，正偏電壓最大的管子優(yōu)先導(dǎo)通。其余管子需重新分析其工作狀態(tài)。例2：設(shè)二極管是理想的，求VAO值。圖(a)，假設(shè)D開路，則D兩端電壓：VD=V1–V2=–6–12=–18<0V，解：故D截止。VAO=12V。

+-DV2V1+-AOVAO+-12V-6V3K(a)+--+D1D2V2V1+-AOVAO3K6V9V(b)圖(b)，假設(shè)D1、D2開路，則D兩端電壓：VD1=V2–0=9V>0V，VD2=V2–(–V1)=15V>0V

（兩管同時(shí)導(dǎo)通會(huì)有矛盾）由于VD2>VD1

，則D2優(yōu)先導(dǎo)通此時(shí)VD1=–6V<0V，故D1截止。VAO=–V1=–6V。

（2）畫輸出信號(hào)波形方法根據(jù)輸入信號(hào)大小判斷二極管的導(dǎo)通與截止找出vO與vI關(guān)系畫輸出信號(hào)波形。例3：設(shè)二極管是理想的，vi=6sint(V)，試畫vO波形。解：vi>2V時(shí)，D導(dǎo)通，則vO=vivi2V時(shí)，D截止，則vO=2V由此可畫出vO的波形。

+-DV+-+-2V100RvOvit620vi(V)vO(V)t026vO(V)02vi(V)2轉(zhuǎn)移特性v0~vi小信號(hào)分析法

即將電路中的二極管用小信號(hào)電路模型代替，利用得到的小信號(hào)等效電路分析電壓或電流的微變量。分析步驟：

將直流電源短路，畫交流通路。

用小信號(hào)電路模型代替二極管，得小信號(hào)等效電路。

利用小信號(hào)等效電路分析電壓與電流的微變量。

總量=靜態(tài)工作點(diǎn)+微變量。解：例：如圖電路，設(shè)，且（小信號(hào)），求（1）先求由E（大信號(hào)）單獨(dú)作用時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)（2）作出小信號(hào)單獨(dú)作用時(shí)的小信號(hào)模型。i+-Rvs(t)(a)vE+-Δi+-Rvs(t)(c)

小信號(hào)模型Δ

uE+-rd（圖解法）IQ+-Rvs(t)(b)大信號(hào)單獨(dú)作用VQE+-1.4晶體二極管的應(yīng)用直流穩(wěn)壓電源設(shè)備組成框圖：電源變壓器整流電路濾波電路穩(wěn)壓電路vivOtvitv1tv2tv3tvO1.4.1整流與穩(wěn)壓電路當(dāng)u2(t)在正半周時(shí)，D導(dǎo)通，uo(t)=u2(t)

（1）單相半波整流電路u2t0U2muot0U2m輸出電壓uo的平均值：當(dāng)u2(t)在負(fù)半周時(shí)，D截止，uo(t)=0u1u2RLuoD+-*T*+-+-原理圖io可見，效率較低ioUo當(dāng)u2(t)在正半周時(shí)，D1,D3導(dǎo)通，D2,D4截止，

uo(t)與u2(t)正半周波形相同，電流i0從bcu2t0U2miou1u2RLuo+-*T*+-+-原理圖io-D1D2D3D4dabcuot0U2m當(dāng)u2(t)在負(fù)半周時(shí)，D2,D4

導(dǎo)通，D1,D3截止，電流i0仍從bc

，uo(t)與u2(t)負(fù)半周波形反相。全波整流（2）單相橋式整流電路（全波整流）u1u2RLuo+-*T*+-+簡(jiǎn)化圖io-輸出電壓uo的直流成分：同理：Io=0.9U2/RL（均為半波整流的2倍）二極管參數(shù)要求：（每個(gè)二極管只有半周導(dǎo)通）1.符號(hào)及穩(wěn)壓特性

利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在反向電擊穿狀態(tài)。(a)穩(wěn)壓二極管符號(hào)DZ(b)伏安特性UZUZU/V穩(wěn)壓二極管及穩(wěn)壓電路(1)穩(wěn)定電壓UZ(2)動(dòng)態(tài)電阻rZ

在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下，所對(duì)應(yīng)的反向工作電壓。rZ=UZ/IZ(3)最大穩(wěn)定工作電流

IZmax和最小穩(wěn)定工作電流IZmin(4)*穩(wěn)定電壓溫度系數(shù):定義為=UZ/T2.穩(wěn)壓二極管主要參數(shù)rZ

越小，穩(wěn)壓效果越好UZUZU/V3.穩(wěn)壓電路正常穩(wěn)壓時(shí)UO=UZ(1)穩(wěn)壓原理a.若RL不變而Ui改變?nèi)鬠iUZUZU/VUiUoU0(UZ)IZIRURU0反之，若Ui減小，變化過程相反。b.設(shè)Ui不變而RL變化若RLU0IZIRURU0反之，若RL減小，變化過程相反綜上，經(jīng)穩(wěn)壓后U0基本穩(wěn)定在UZ值#穩(wěn)壓條件是什么？IZmin

≤IZ≤IZmax#不加R可以嗎？#上述電路Ui為正弦波，且幅值大于UZ

，能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓?jiǎn)?？UZUZU/VUiUo不行。R稱