第一章-常用半導(dǎo)體器件

電子系統(tǒng)抽象模型電子系統(tǒng)基本電路1基本電路2基本電路3基本元器件1基本元器件2基本元器件3子系統(tǒng)1子系統(tǒng)2子系統(tǒng)3基本電路基本元器件第一章常用半導(dǎo)體器件1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.2半導(dǎo)體二極管1.3雙極型三極管在物理學(xué)中，根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將它們劃分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體(Semiconductor)。1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識銅導(dǎo)線(左上)、玻璃絕緣體(左下)和硅晶體(上)·導(dǎo)體:電阻率ρ小于10-3Ω·cm·絕緣體:ρ大于108Ω·cm·半導(dǎo)體:ρ介于導(dǎo)體和絕緣體之間。12’（300mm）1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1、摻雜性：半導(dǎo)體中摻雜后，其電阻率大大下降，晶體管。2、熱敏性：電阻率隨著溫度的變化而變化，熱敏電阻。3、光敏性：電阻率隨著光照增強(qiáng)而下降，光敏元件。1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的特性

常用半導(dǎo)體材料有:

硅（Si）、鍺（Ge），也有三-五族化合物半導(dǎo)體：GaAs、GaP等1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識硅原子Si鍺原子Ge簡化模型1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.本征半導(dǎo)體—IntrisicSemiconductor本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體硅晶體的結(jié)構(gòu)制造半導(dǎo)體器件的硅材料純度“九個(gè)9”99.9999999%1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識Fab18.90nm.Pentium4

CPU1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識a.單晶硅的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)1.本征半導(dǎo)體—IntrisicSemiconductor在絕對溫度T=0K時(shí)，所有的價(jià)電子都被共價(jià)鍵緊緊束縛在共價(jià)鍵中,因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。價(jià)電子——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體+41.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識b.自由電子空穴對的產(chǎn)生當(dāng)溫度升高或受光照射時(shí)本征半導(dǎo)體會(huì)發(fā)生什么情況?當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，束縛電子獲得能量，部分電子掙脫原子核的束縛，成為自由電子，與此同時(shí)，在其原來的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，稱為空穴(hole)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識b.自由電子空穴對的產(chǎn)生本征激發(fā)（熱激發(fā)）

電子和空穴都是載流子

在本征半導(dǎo)體中自由電子和

空穴的濃度相等自由電子空穴

空穴帶一個(gè)單位的正電荷c.空穴導(dǎo)電1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識c.空穴導(dǎo)電原來空穴位置形成共價(jià)鍵，原來價(jià)電子的位置形成空穴。這個(gè)過程叫空穴的移動(dòng)，空穴移動(dòng)方向與價(jià)電子移動(dòng)方向相反。

當(dāng)產(chǎn)生空穴后，由于熱運(yùn)動(dòng)，空穴周圍共價(jià)鍵中相近價(jià)電子很容易填補(bǔ)空穴。不加外電場時(shí)，空穴的移動(dòng)無規(guī)則當(dāng)外加電場時(shí)，空穴的填補(bǔ)也會(huì)定向

空穴導(dǎo)電本質(zhì)：價(jià)電子的移動(dòng)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識d.自由電子空穴的復(fù)合1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識d.自由電子空穴的復(fù)合

當(dāng)自由電子填補(bǔ)共價(jià)鍵中的空位(空穴)時(shí)，自由電子就會(huì)釋放能量，又形成共價(jià)鍵。這個(gè)過程叫電子空穴的復(fù)合釋放能量

在一定溫度下，本征激發(fā)和復(fù)合同時(shí)進(jìn)行，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，電子空穴對的濃度一定。即使溫度升高或光照,本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力仍很差1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識2.雜質(zhì)半導(dǎo)體—ExtrisicSemiconductor

本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體，稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體.

在一定溫度下半導(dǎo)體中電子濃度與空穴濃度乘積是恒定的,與摻雜濃度無關(guān).本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)雜質(zhì)元素(磷、砷等)本征半導(dǎo)體中摻入三價(jià)雜質(zhì)元素(硼、鎵等)N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識施主原子多余電子受主原子空穴例：在T=300K的條件下，本征硅中摻億分之一的5價(jià)原子，硅原子的濃度已知為5.1×1022/cm3

，對比摻雜前后的自由電子和空穴濃度。雜質(zhì)濃度為p×n=pi

×ni=ni2

p=ni2

/n=(1.43×1010)2

/5.1×1014=4.1×105/cm35.1×1022

/108=5.1×1014/cm31.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識本征半導(dǎo)體中自由電子空穴的濃度為1.43×1010/cm3n≈5.1×1014/cm3摻入五價(jià)元素的結(jié)果是自由電子變多，空穴變少，載流子總的濃度增加，導(dǎo)電能力大大增強(qiáng),而且導(dǎo)電能力由多子決定.摻雜前后的自由電子和空穴濃度對比1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識摻雜前摻雜后自由電子濃度1.43×10105.1×1014空穴濃度1.43×10104.1×105自由電子+空穴2.86×10105.1×1014思考：本征半導(dǎo)體摻雜的目的？結(jié)論：

在N型半導(dǎo)體中，自由電子數(shù)目遠(yuǎn)多于空穴數(shù)目

自由電子為多數(shù)載流子(majoritycarrier)，簡稱：多子

空穴為少數(shù)載流子(minoritycarrier)，簡稱：少子P型半導(dǎo)體剛好相反，自由電子為少子，空穴為多子

思考：本征半導(dǎo)體中存在多子少子嗎？N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體施主原子自由電子受主原子空穴1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識N型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)N型半導(dǎo)體簡化示意圖P型半導(dǎo)體共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)P型半導(dǎo)體簡化示意圖如何產(chǎn)生？硅原子在哪里？自由電子空穴1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識3.PN結(jié)的形成—PNJunctionP區(qū)N區(qū)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)：載流子濃度差引起的運(yùn)動(dòng)漂移運(yùn)動(dòng)：載流子在電場力作用下的運(yùn)動(dòng)P、N半導(dǎo)體結(jié)合→1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識3.PN結(jié)的形成—PNJunctionP區(qū)N區(qū)復(fù)合載流子濃度差→多子的擴(kuò)散→

diffusion空間電荷區(qū)space-charge形成內(nèi)建電場←built-inelectricfield阻礙多子擴(kuò)散，促進(jìn)少子漂移←+-

空間電荷區(qū)（耗盡層、PN結(jié)）隨著空間電荷區(qū)的增加1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識3.PN結(jié)的形成—PNJunction最后達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡：擴(kuò)散電流＝漂移電流+-→多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)減弱→少子漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)P區(qū)N區(qū)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識3.PN結(jié)的形成—PNJunction1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識4.PN結(jié)的單向?qū)щ娦寓偌诱螂妷?forwardbias)—電源正極接P區(qū),負(fù)極接N區(qū)+-

→耗盡層變窄外電場的方向與內(nèi)電場方向相反,外電場削弱內(nèi)電場：→擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＞漂移運(yùn)動(dòng)→多子擴(kuò)散形成正向電流(大)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識4.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識②加反向電壓(reversebias)—電源正極接N區(qū),負(fù)極接P區(qū)-+外電場的方向與內(nèi)電場方向相同,外電場增強(qiáng)內(nèi)電場：

→耗盡層變寬→擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)<漂移運(yùn)動(dòng)→少子漂移形成反向電流(小)4.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識4.PN結(jié)的單向?qū)щ娦?.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識正偏：多子擴(kuò)散電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于少子漂移電流，多子擴(kuò)散形成很大的正向電流，PN結(jié)表現(xiàn)為很小的電阻，PN結(jié)導(dǎo)通(ON)總結(jié)PN結(jié)：單向?qū)щ娦苑雌憾嘧訑U(kuò)散運(yùn)動(dòng)無法進(jìn)行，少子漂移，形成很小的反向電流，PN結(jié)表現(xiàn)為很大的電阻，PN結(jié)截止(OFF)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識5.PN結(jié)的伏安特性(I/Vcharacteristics)根據(jù)理論分析（半導(dǎo)體物理），pn結(jié)電流方程：

其中，：結(jié)兩端的電壓降：流過pn結(jié)的電流：反向飽和電流(reverse-biassaturationcurrent)

與溫度、材料、結(jié)面積、結(jié)構(gòu)有關(guān):溫度的電壓當(dāng)量(thermalvoltage)

室溫下（T=300K），正偏時(shí):反偏時(shí):1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識I/V特性曲線PN結(jié)的擊穿當(dāng)反向電壓增加到一定值時(shí)，由于空間電荷區(qū)的電場很強(qiáng)，會(huì)發(fā)生反向擊穿—Breakdown擊穿又可分為：電擊穿和熱擊穿電擊穿——可恢復(fù)（可逆）

包括齊納擊穿和雪崩擊穿熱擊穿——電擊穿后不限流,導(dǎo)致PN結(jié)過流過熱而永久性

燒毀（不可逆）1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識雪崩擊穿-碰撞擊穿Avalanchebreakdown被加速的載流子撞擊晶格，激發(fā)出新的電子-空穴對，又被加速，形成連鎖反應(yīng)，使電流劇增齊納擊穿-電場擊穿Zenereffect反偏電壓過大,電場過強(qiáng),將共價(jià)鍵中價(jià)電子拉出,成為自由電子I/V特性曲線PN結(jié)的電擊穿1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識6.PN結(jié)的電容效應(yīng)①勢壘電容

反偏時(shí)，當(dāng)u變化時(shí)，耗盡層寬度隨之改變，即PN結(jié)中存儲(chǔ)的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。-+②擴(kuò)散電容

正偏時(shí)，PN結(jié)耗盡層兩側(cè)存在非平衡少子的堆積現(xiàn)象，堆積的數(shù)量隨正偏的增加而增加，這也相當(dāng)于電容的充放電。1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識6.PN結(jié)的電容效應(yīng)對器件的高頻特性有很大的影響結(jié)電容反偏正偏1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識6.PN結(jié)的電容效應(yīng)1.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識7.PN結(jié)的溫度特性pn結(jié)電流方程

和都是溫度的函數(shù)，故PN的I/V特性也與溫度有關(guān)。正向曲線：T反向曲線：T下移左移思考題：2、在N型半導(dǎo)體中摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體3、N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)4、PN結(jié)在無光照，無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零5、PN結(jié)加正電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將變寬6、空穴導(dǎo)電本質(zhì)是電子的移動(dòng)1、在溫度相同的情況下，鍺半導(dǎo)體比硅半導(dǎo)體載流子濃度要高（√）（√）（×）（√）（×）（×）1.2半導(dǎo)體二極管1.2.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)1.2.2二極管的伏安特性與參數(shù)1.2.3二極管的等效電路1.2.4其它半導(dǎo)體二極管常用二極管實(shí)物圖1.2半導(dǎo)體二極管1.2.1半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型三大類。二極管的電氣符號特點(diǎn)：結(jié)面積小，結(jié)電容小，承受的電流有限點(diǎn)接觸型結(jié)構(gòu)示意圖①點(diǎn)接觸型二極管用途：高頻電路，小功率整流1.2半導(dǎo)體二極管②面接觸型二極管面接觸型結(jié)構(gòu)示意圖特點(diǎn):結(jié)面積大，結(jié)電容大，承受的電流大用途:工頻電路大電流整流電路1.2半導(dǎo)體二極管③平面型二極管平面型結(jié)構(gòu)示意圖特點(diǎn)：采用擴(kuò)散法制成，往往用于集成電路制造工藝中用途:PN結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中1.2半導(dǎo)體二極管二極管與PN結(jié)伏安特性曲線的區(qū)別：1.二極管存在串連電阻R（半導(dǎo)體體電阻和引線電阻）2.二級管存在反向漏電流1.2.2二極管的伏安特性：反向飽和電流:溫度的電壓當(dāng)量

二極管的I/V特性仍由

近似描述。導(dǎo)通壓降:硅管0.6~0.8V鍺管0.1~0.3V反向擊穿電壓UBR死區(qū)電壓硅管0.5V,鍺管0.1V材料開啟電壓Uon導(dǎo)通電壓V硅Si0.5V0.6~0.8(0.7)鍺Ge0.1V0.1~0.3(0.2)1.2半導(dǎo)體二極管二極管伏安特性與溫度T的關(guān)系1.2.2二極管的伏安特性1.2半導(dǎo)體二極管1.2.3二極管的主要參數(shù)1N400系列整流管：3kHz；1N4148開關(guān)管：～MHz最大整流電流：長期工作所允許的最大正向平均電流(2)反向擊穿電壓(3)最大反向工作電壓(通常取的一半)(4)反向電流

(

下的反向電流)(5)最高工作頻率：工作上限頻率超過此頻率，結(jié)電容不能夠忽略，二極管的單向?qū)щ娦允艿狡茐摹?.2半導(dǎo)體二極管1.2.4二極管的等效電路--equivalentcircuit1、理想二極管模型正向工作時(shí)二極管導(dǎo)通電壓等于0,反向時(shí)二極管開路,特性曲線如右圖所示,一般適用于大信號工作狀態(tài),例如邏輯電路、整流電路中。2、開關(guān)模型(恒壓降模型）-常用正向?qū)〞r(shí)。相當(dāng)于理想二極管串聯(lián)一個(gè)0.7伏（導(dǎo)通電壓，并非是開啟電壓Uon）的恒定電壓源，特性曲線如右圖所示。由于該模型比較簡單，在模擬電路中用得比較多。uiuott例1：二極管半波整流二極管的應(yīng)用舉例二極管導(dǎo)通電壓UD＝0

例2：電路如下圖所示，已知ui＝5sinωt（V），二極管導(dǎo)通電壓UD＝0.7V。試畫出ui與uo的波形。二極管的應(yīng)用舉例uiuott1.2半導(dǎo)體二極管1.2.4二極管的等效電路--equivalentcircuit3、折線模型正向?qū)〞r(shí)。相當(dāng)于理想二極管串聯(lián)一個(gè)等效電阻

和一個(gè)電壓源Uon，特性曲線如右圖所示。4、微變等效模型（小信號模型）二極管工作在正向特性的某一小范圍內(nèi)時(shí)，其正向特性可以等效成一個(gè)微變電阻。微變電阻的計(jì)算：1.2半導(dǎo)體二極管根據(jù)求出Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo)：常溫下T=300K時(shí)：結(jié)論：Q點(diǎn)的改變，也會(huì)改變，隨正向電流增大而減小。值得注意的是：是二極管兩端電壓和電流的變化量之比1.2半導(dǎo)體二極管1.2.5特殊二極管穩(wěn)壓二極管利用PN結(jié)反向擊穿后，在一定電流范圍內(nèi)，電壓不隨電流變化，這一特點(diǎn)制成的器件。它既具有普通二極管的單向?qū)щ娞匦?，又可工作于反向擊穿狀態(tài)。1、穩(wěn)壓二極管UIIZminIZmaxUZIZUZ符號：穩(wěn)壓二極管使用注意：1、工作在反向擊穿狀態(tài)；

2、要有合適的限流電阻；

3、負(fù)載RL與穩(wěn)壓管并聯(lián)。1.2半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管舉例：例4：已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值Uz=6V，穩(wěn)定電流的最小值Izmin=5mA。求下圖電路中Uo1和Uo2各為多少？1.2半導(dǎo)體二極管穩(wěn)壓二極管主要參數(shù)(1)穩(wěn)定電壓Uz在規(guī)定的工作電流Iz下，所對應(yīng)的工作電壓。(2)動(dòng)態(tài)電阻(3)最大耗散功率

PzM＝Uz×Izmax(4)最大穩(wěn)定工作電流

Izmax,最小穩(wěn)定工作電流

Izmin1.2半導(dǎo)體二極管2、發(fā)光二極管電致發(fā)光器件，將電信號轉(zhuǎn)換成光信號。正偏導(dǎo)通時(shí)發(fā)光。通常由鎵（Ga）與砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二極管，當(dāng)電子與空穴復(fù)合時(shí)能輻射出可見光。光的波長(顏色)與材料有關(guān)，磷砷化鎵二極管發(fā)紅光，磷化鎵二極管發(fā)綠光，碳化硅二極管發(fā)黃

發(fā)光二極管的開啟電壓和正向?qū)妷罕绕胀ǘO管大，正向電壓一般為1.3~2.4V。亮度與正向電流成正比，一般需要幾～幾十個(gè)毫安，使用時(shí)接限流電阻。在電路及儀器中作為指示燈，或者組成文字或數(shù)字顯示。光。1.2半導(dǎo)體二極管3、光電二極管通常由硅材料制成，管殼有接收光照的透鏡窗口。

正常工作在反偏狀態(tài)。無光照時(shí)，只有很小的反向飽和電流，稱為暗電流（通常小于0.2uA)；有光照時(shí)，PN結(jié)受光激發(fā)，產(chǎn)生大量電子空穴對，形成較大的電流（光電流）;光電二極管電流與照度正比，用于信號檢測、光電傳感器、電機(jī)轉(zhuǎn)速測量等。

1.2半導(dǎo)體二極管4、變?nèi)荻O管—VaractorDiode通常用于高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。

變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部“PN結(jié)”的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計(jì)的一種特殊二極管。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨所加電壓的變化而變化。壓控可變電容器1.3雙極型晶體管1.3.1BJT的結(jié)構(gòu)簡介1.3.2BJT的電流分配與放大原理1.3.3BJT的特性曲線1.3.4BJT的主要參數(shù)三極管實(shí)物圖1.3.1BJT的結(jié)構(gòu)簡介1.3雙極型晶體管NPN型三極管的結(jié)構(gòu)PNP型三極管的結(jié)構(gòu)管芯結(jié)構(gòu)剖面圖三極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn):1.3.1BJT的結(jié)構(gòu)簡介1.3雙極型晶體管1、發(fā)射區(qū)的摻雜濃度>>集電區(qū)摻雜濃度。2、基區(qū)很薄(1μm~幾μm)且濃度很低。3、集電區(qū)面積>基區(qū)面積>發(fā)射區(qū)面積。NPN管的符號PNP管的符號ebc

ebc1.3.2BJT的電流分配與放大原理1.3雙極型晶體管外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。1.各極的作用：發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子1.3雙極型晶體管發(fā)射區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏多數(shù)載流子參與導(dǎo)電集電區(qū)：集電結(jié)反偏少數(shù)載流子參與導(dǎo)電基區(qū)：多數(shù)、少數(shù)載流子都參與導(dǎo)電

各極的導(dǎo)電載流子外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏1.3雙極型晶體管電流分配關(guān)系根據(jù)載流子的運(yùn)動(dòng)過程可知:其值約為：0.9～0.99。共基直流電流放大系數(shù)Common-baseDCcurrentgain定義1.3雙極型晶體管載流子的運(yùn)動(dòng)過程1.3雙極型晶體管定義：共射直流電流放大系數(shù)Common-emitterDCcurrentgain（當(dāng)時(shí)，）穿透電流C-Ecut-offcurrentβ由材料、摻雜濃度以及工藝有關(guān),反映三極管電流放大能力1.3雙極型晶體管定義：共射交流電流放大系數(shù)Common-emittercurrentgain假設(shè)：變化時(shí)，

不隨之變化，則：事實(shí)上β是與Ic有關(guān)的：其值約為：幾十～數(shù)千常用：幾十～幾百1.3雙極型晶體管1.3.3BJT的特性曲線一、共發(fā)射極輸入特性：1.3雙極型晶體管共發(fā)射極輸入特性曲線共射輸入特性曲線是以uCE為參變量時(shí)，iB與uBE間的關(guān)系曲線，即1.3雙極型晶體管二、共發(fā)射極輸出特性：共射輸出特性曲線是以iB為參變量時(shí)，iC與uCE間的關(guān)系曲線，即1.3雙極型晶體管輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn)(1)放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。

(2)截止區(qū)：

發(fā)射結(jié)截止，集電結(jié)反偏。

(3)飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。

1.3雙極型晶體管深度飽和臨界飽和三極管工作狀態(tài)總結(jié)1.3雙極型晶體管狀態(tài)發(fā)射結(jié)集電結(jié)IC截止UBE<UON反偏0放大正偏反偏bIB飽和正偏正偏<bIB三極管處于放大狀態(tài)的特點(diǎn)電流關(guān)系電位關(guān)系1.3雙極型晶體管三極管舉例電路如圖所示，β=50，VCC=12V，RB=50k，RC=5k。當(dāng)VBB=-1V，2V，4V時(shí)，求晶體管的工作狀態(tài)？思路：求出BJT各極電位,從而得出BE結(jié)和BC