標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 26068-2010 硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)定使用無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減技術(shù)來測(cè)量硅片中載流子復(fù)合壽命的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估單晶硅、多晶硅等半導(dǎo)體材料的質(zhì)量及其在光伏應(yīng)用中的性能。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試過程主要基于以下原理：當(dāng)一束光照射到硅片上時(shí)，會(huì)在硅片內(nèi)部產(chǎn)生電子-空穴對(duì)（即載流子）。這些新生成的載流子會(huì)逐漸通過復(fù)合過程消失，導(dǎo)致硅片電導(dǎo)率發(fā)生變化。通過監(jiān)測(cè)這一變化，并利用微波反射技術(shù)非接觸地探測(cè)硅片表面附近的電導(dǎo)率變化情況，可以間接計(jì)算出載流子的復(fù)合壽命。

具體操作步驟包括準(zhǔn)備試樣、設(shè)置實(shí)驗(yàn)裝置參數(shù)、進(jìn)行光照激發(fā)以及數(shù)據(jù)采集與分析等環(huán)節(jié)。其中，關(guān)鍵在于選擇合適的光源強(qiáng)度和頻率，確保能夠有效激發(fā)足夠數(shù)量的載流子；同時(shí)調(diào)整微波發(fā)生器輸出功率及頻率，使之能夠敏感地反映出自由載流子濃度的變化。此外，還需注意環(huán)境溫度控制等因素可能對(duì)結(jié)果造成的影響。

該標(biāo)準(zhǔn)還詳細(xì)描述了如何處理原始數(shù)據(jù)以獲得準(zhǔn)確的載流子復(fù)合壽命值，并給出了誤差范圍估計(jì)的方法。通過對(duì)不同條件下測(cè)得的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較分析，可以幫助研究人員更好地理解材料特性，優(yōu)化生產(chǎn)工藝，提高產(chǎn)品質(zhì)量。


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....

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  • 2011-01-10 頒布
  • 2011-10-01 實(shí)施
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GB/T 26068-2010硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T26068—2010

硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射

光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法

Testmethodforcarrierrecombinationlifetimeinsiliconwafersbynon-contact

measurementofphotoconductivitydecaybymicrowavereflectance

2011-01-10發(fā)布2011-10-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T26068—2010

目次

前言…………………………

Ⅲ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

檢測(cè)方法概述……………

42

干擾因素…………………

53

設(shè)備………………………

64

試劑………………………

75

取樣及樣片制備…………………………

85

測(cè)試步驟…………………

97

報(bào)告………………………

108

精密度和偏差……………

118

附錄規(guī)范性附錄注入水平的修正…………………

A()9

附錄資料性附錄注入水平的相關(guān)探討……………

B()10

附錄資料性附錄載流子復(fù)合壽命與溫度的關(guān)系…………………

C()13

附錄資料性附錄少數(shù)載流子復(fù)合壽命……………

D()16

附錄資料性附錄測(cè)試方法目的和精密度…………

E()19

參考文獻(xiàn)……………………

20

Ⅰ

GB/T26068—2010

前言

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研半導(dǎo)體材料股份有限公司瑟米萊伯貿(mào)易上海有限公司中國計(jì)量科學(xué)研

:、()、

究院萬向硅峰電子有限公司廣州昆德科技有限公司洛陽單晶硅有限責(zé)任公司

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人曹孜孫燕黃黎高英石宇樓春蘭王世進(jìn)張靜雯

:、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T26068—2010

硅片載流子復(fù)合壽命的無接觸微波反射

光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法

1范圍

11本方法適用于測(cè)量均勻摻雜經(jīng)過拋光處理的型或型硅片的載流子復(fù)合壽命本方法是非破

.、np。

壞性無接觸測(cè)量在電導(dǎo)率檢測(cè)系統(tǒng)的靈敏度足夠的條件下本方法也可應(yīng)用于測(cè)試切割或者經(jīng)過研

、。,

磨腐蝕硅片的載流子復(fù)合壽命

、。

12被測(cè)硅片的室溫電阻率下限由檢測(cè)系統(tǒng)靈敏度的極限確定通常在之間

.,0.05Ω·cm~1Ω·cm。

注本檢測(cè)方法適用于測(cè)量到范圍內(nèi)的載流子復(fù)合壽命最短可測(cè)壽命值取決于光源的關(guān)斷特性

:0.25μs>1ms。

及衰減信號(hào)測(cè)定器的采樣頻率最長可測(cè)值取決于試樣的幾何條件以及樣片表面的鈍化程度配以適當(dāng)?shù)拟g

,。

化工藝如熱氧化或浸入適當(dāng)?shù)娜芤褐袑?duì)于硅單晶拋光片中規(guī)定厚度的拋光片長到數(shù)十毫秒

,,GB/T12964《》,

的壽命值也可被測(cè)定

。

13分析工藝過程檢查沾污源以及對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行解釋以判別雜質(zhì)中心的形成機(jī)理和本質(zhì)不在本方

.、

法范圍內(nèi)本方法僅在非常有限的條件下例如通過比對(duì)某特定工藝前后載流子復(fù)合壽命測(cè)試值可以

。,,

識(shí)別引入沾污的工序識(shí)別某些個(gè)別的雜質(zhì)種類

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測(cè)試方法

GB/T1550

硅鍺單晶電阻率測(cè)定直排四探針測(cè)量方法

GB/T1552、

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553—2009

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)定非接觸渦流法

GB/T6616

硅片厚度和總厚度變化測(cè)試方法

GB/T6618

電子級(jí)水

GB/T11446.1

摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜濃度換算規(guī)則

GB/T13389、

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