GB/T 24582-2009酸浸取-電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質(zhì)

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標準

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質(zhì)

ＧＢ／Ｔ２４５８２—２００９

中國標準出版社出版發(fā)行

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２００９年１２月第一版２００９年１２月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９５８３

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書

犌犅／犜２４５８２—２００９

前言

本標準由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出并歸口。

本標準負責(zé)起草單位：新光硅業(yè)科技責(zé)任有限公司。

本標準主要起草人：王波、過惠芬、吳道榮、梁洪、敖細平。

Ⅰ

書

犌犅／犜２４５８２—２００９

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定

多晶硅表面金屬雜質(zhì)

１范圍

１．１本標準規(guī)定了用酸從多晶硅塊表面浸取金屬雜質(zhì)，并用電感耦合等離子質(zhì)譜儀定量檢測多晶硅表

面上的金屬雜質(zhì)痕量分析方法。

１．２本標準適用于堿金屬、堿土金屬和第一系列過渡元素如鈉、鉀、鈣、鐵、鎳、銅、鋅以及其他元素如鋁

的檢測。

１．３本標準適用于各種棒、塊、粒、片狀多晶表面金屬污染物的檢測。由于塊、片或粒形狀不規(guī)則，面積

很難準確測定，故根據(jù)樣品重量計算結(jié)果，使用的樣品重量為５０ｇ～３００ｇ，檢測限為０．０１ｎｇ／ｍＬ。

１．４酸的濃度、組成、溫度和浸取時間決定著表面腐蝕深度和表面污染物的浸取效率。在這個實驗方

法中腐蝕掉的樣品重量小于樣品重量的１％。

１．５本標準適用于重量為２５ｇ～５０００ｇ的樣品的測定，為了達到仲裁的目的，該實驗方法規(guī)定樣品的

重量為約３００ｇ。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＩＳＯ１４６４４１潔凈室和相應(yīng)的受控環(huán)境第１部分：空氣中的懸浮粒子的分類

ＳＥＭＩＣ２８氫氟酸的詳細說明和指導(dǎo)

ＳＥＭＩＣ３０過氧化氫的詳細說明和指導(dǎo)

ＳＥＭＩＣ３５硝酸的詳細說明和指導(dǎo)

ＡＳＴＭＤ５１２７電子和半導(dǎo)體工業(yè)中用超純水指南

３術(shù)語、定義和縮略語

３．１術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標準。

３．１．１

酸空白犪犮犻犱犫犾犪狀犽

用