第五章微波混合集成技術電子科大-5.3MCM

5.3.1概述5.3.2LTCC工藝和技術5.3.3微波LTCC電路設計5.3.4微波毫米波LTCC系統(tǒng)應用第五章微波混合集成電路5.3微波多芯片組件MCM5.3.1概述多芯片組件（MultichipModule）技術多芯片組件（MCM）：將多個裸芯片、微型封裝元器件、貼片元器件集成在同一塊多層高密度互連基板上,并封裝在同一外殼內，構成具有一定部件或系統(tǒng)功能的高密度微電子組件。5.3.1概述MCM基本構成：(1)電路/系統(tǒng)小型化，輕重量：MCM特點：MCM中，無源電路制作在多層互連基板中，形成3-D多層高密度集成無源電路結構；將多個IC裸芯片、片式或微型封裝元器件集成在同一多層互連基板上，封裝在同一外殼內的電路/系統(tǒng)結構；元器件組裝密度高，芯片面積與基板面積之比可在20%以上，同一功能的部件，重量可減輕80%～90%5.3.1概述(2)電路/系統(tǒng)性能在同一封裝內可集成模擬、數(shù)字電路，功率、光電、微波器件及各類片式元器件，可實現(xiàn)部件、子系統(tǒng)或系統(tǒng)功能;各種無源電路一體化設計，減小了系統(tǒng)連接接口，具有綜合性能更優(yōu)良；各功能電路單元互連線長度短，信號傳輸延時小，傳輸速度可大幅提升，可滿足高速電路需求；微系統(tǒng)MCM特點：(3)可靠性提升MCM避免了單塊IC封裝的熱阻、引線及焊接等一系列問題；MCM為一體封裝結構，電路組裝層次，可靠性高5.3.1概述MCM分類MCM-L（Laminate）：疊層MCM，使用傳統(tǒng)PCB工藝和材料制造高密度疊層基板的MCM與PCB技術的根本區(qū)別在于:(1)安裝裸芯片、微封裝/片式元件;(2)無源功能電路埋置于多層特點：（1）

成本低、工藝基礎好、工藝靈活性高；（2）一般用于＜30MHz系統(tǒng)MCM-L、MCM-C、MCM-D5.3.1概述MCM-C（Ceramic）：厚膜陶瓷型MCM，采用絲網(wǎng)印刷成膜工藝，制成的高密度多層厚膜布線和高密度多層布線陶瓷基板結構的多芯片組件。（2）具有較高的布線層數(shù)、布線密度、封裝效率和優(yōu)良的可靠性、電性能與熱性能。（3）成本適中特點（1）有兩種類型：高溫共燒陶瓷（HTCC）工藝（燒結溫度>1500°C）

采用高熔點金屬W/Mo，但損耗大，難以用于高頻電路低溫共燒陶瓷（LTCC）工藝（燒結溫度850~900°C）

Ag-Pd，Au-Pd-Cu，低電阻率材料布線，可用于微波毫米波5.3.1概述MCM-D（Deposited）：淀積薄膜型MCM，是在Si、陶瓷或金屬基板上采用薄膜工藝形成高密度互連布線而構成的多芯片組件。（2）布線線寬和線間距最小，具有更高的布線密度、封裝效率以及更好的傳輸特性，適用于要求組裝密度高、體積小的高頻高性能系統(tǒng)。特點（1）薄膜工藝，電路性能最佳采用真空蒸發(fā)、濺射、電鍍等成膜工藝，涂覆聚酰亞胺PI（εr=3.4）或苯并環(huán)丁烯BCB（εr=2.7）介質，采用光刻、反應離子刻蝕等技術制作電路圖形。（3）成本高5.3.2LTCC近些年發(fā)展起來的多層集成電路技術，即LTCC技術，具有優(yōu)異的高頻性能，已成為微波毫米波高密度集成技術研究發(fā)展的熱點微系統(tǒng)，SOP低溫共燒陶瓷（LowTemperatureCo-firedCeramic：LTCC）技術：以厚膜技術和陶瓷多層技術為基礎，在生瓷帶上利用激光打孔、微孔注漿、精密導體漿料印刷等工藝制出所需要的電路圖形，并將多個無源元件埋入其中，然后疊壓在一起，在850℃左右燒結，制成三維電路網(wǎng)絡的無源集成組件；也可制成內置無源元件的三維電路基板，在其表面貼裝IC和有源器件，制成無源/有源集成的功能模塊。應用領域包括：雷達T/R組件、移動通信前端設備、無線互連網(wǎng)絡設備、醫(yī)療電子設備等5.3.2LTCCLTCC工藝流程生瓷帶制備常見的生瓷帶制造商如下：Dupont,Ferro,Heraeus,IKTS,CERAMTEC,NAMICS,……DupontHERAEUSDP·951PXCT2000DP·951A2/P2HL2000DP·951AT/PTCT700DP·951C2CT701DP·951C1CT702DP943P5CT703DP9K7VAHT03-003DP951RTCT707Pb-frei5.3.2LTCC毫米波LTCC系統(tǒng)應用舉例接收機輸入信號頻率為35GHz±500MHz,中頻輸出信號為60MHz

接收前端原理框圖

LTCC應用指標分配參量過渡SPSTLNAMixerLPF中放增益分配(dB)-1.5-1.521-6.5-120總增益(dB)-1.5-31811.510.5

30.5部件噪聲(dB)1.51.52.66.514.5總噪聲(dB)1.535.65.665.69

5.87LTCC應用13工藝及布局LTCC基板采用FERROA6生瓷帶，共燒后單層厚度為0.094mm基板共9層，4層介質層，5層金屬層層間內層金屬及通孔填充采用銀漿料,基板表面金屬導體采用金毫米波傳輸線采用厚膜光刻技術，提高厚膜導體的分辨率。LTCC接收前端橫截面示意圖LTCC應用14LTCC基板形狀為規(guī)則的矩形表面電路背面電路LTCC應用15LTCC接收前端第二次加工裝配圖加工樣品LTCC應用16測試結果射頻輸入功率：-15dBm，本振輸入功率：2dBm系統(tǒng)增益大于24.8dB，噪聲系數(shù)小于9.4dB。

制作出的LTCC接收前端外形尺寸約為60mm×50mm×10mm，該模塊的設計實現(xiàn)為LTCC技術在毫米波部件和系統(tǒng)中的應用提供了重要的技術基礎和實踐經(jīng)驗。LTCC應用LTCCAnsoft仿真設計實例——帶通濾波器的設計技術指標：多層基板；通帶頻率：L波段相對帶寬：40%;

插入損耗<3dB;LTCC應用18

Designer-電路圖的設計濾波器電路原理圖濾波器電路仿真結果LTCC應用19

Designer-LTCC原理圖設計LTCC濾波器原理圖LTCC應用20

Designer-拓撲結構的導出物理拓撲圖濾波器三維結構LTCC應用21導入Hfss驗證在Designer主菜單layout項選擇exporttoHFSS,出現(xiàn)exporttoHFSS對話框，顯示VBScriptScript腳本文件。在存儲位置雙擊文件類型為VBScriptScriptFile圖標，AnsoftHfss自動生成相應的LTCC濾波器模型。VBScriptScript腳本文件LTCC應用22設定變量進行仿真優(yōu)化

Hfss-三維調諧和優(yōu)化LTCC應用23

Hfss-三維EM驗證濾波器立體模型LTCC濾波器S11和S21參數(shù)圖LTCC應用24帶通濾波器設計3的S21實測數(shù)據(jù)和濾波器外形圖LTCC應用X波段LTCC接收前端LTCC應用根據(jù)系統(tǒng)設計需要，選取器件如下：前兩級低噪聲放大器均選用HMC516，第一個混頻器選用HMC130，第二個混頻器選用HMC277MS8，兩個中頻放大器均采用ERA-5，X波段鏡頻抑制帶通濾波器采用多層五級切比雪夫交指型帶通濾波器結構實現(xiàn)，L波段鏡頻抑制帶通濾波器采用一種新型的四級準橢圓函數(shù)帶通濾波器結構實現(xiàn)，最后的中頻帶通濾波器采用集總電感電容實現(xiàn)（外購）。LTCC應用工藝實現(xiàn)方面，介質材料FerroA6M，介電常數(shù)5.7，每層厚度0.094mm（燒結后）。根據(jù)以上所選器件的性能指標（部分為估算），可以大約估算出接收前端的增益和噪聲系數(shù)，分別是44dB和3.1dB。估算過程未考慮傳輸線，接頭，互聯(lián)，器件裝配引入的損耗，所以，實際測試結果與估算值之間會有些出入。LTCC應用接收前端中關鍵部件設計X波段LTCC交指型帶通濾波器設計目標：中心頻率9.5GHz，帶寬1GHz，帶內回波損耗優(yōu)于20dB，對6.76-7.76GHz抑制優(yōu)于25dB。該濾波器的介質基板有二十層介質，帶通濾波器被埋置在上面的四層介質內，微帶地在第五層金屬層，剩余的十六層介質可以埋置其它電路結構和走線。LTCC應用測試樣品仿真結果與測試結果整個濾波器的面積是8.1×7.4mm2。測試結果波形與仿真結果吻合的非常好。實測結果顯示，在9-10GHz的頻率范圍內，插入損耗小于2.9dB（包括兩個SMA接頭），回波損耗優(yōu)于11dB，對6.76-7.76GHz抑制優(yōu)于35dB，達到了設計要求。LTCC應用新型的準橢圓函數(shù)帶通濾波器立體結構圖設計目標：中心頻率1.14GHz，帶寬0.08GHz，帶內回波損耗優(yōu)于15dB，對1GHz的抑制優(yōu)于25dB，對7.88-8.88GHz的抑制優(yōu)于20dB。LTCC應用仿真結果顯示，通帶插入損耗小于4.5dB，回波損耗優(yōu)于16.2dB，在阻帶內，對1GHz的抑制優(yōu)于53dB，對7.88-8.88GHz的抑制優(yōu)于21dB。另外，在濾波器的阻帶內有四個傳輸零點，分別是：0.85GHz，1GHz，1.28GHz和2.48GHz，其中，傳輸零點1GHz和1.28GHz是由于諧振器1和4之間的跨偶產(chǎn)生的，而傳輸零點0.85GHz和2.48GHz是由于輸入輸出結構引入的。顯然，本文設計的L波段帶通濾波器達到了設計要求。LTCC應用X波段LTCC接收前端系統(tǒng)布局X波段LTCC接收前端的截面圖正面板圖背面板圖1.包含二十層介質層和十二層金屬層。2.為了方便安裝MMIC芯片，在介質基板1到3層內預留有小空腔。3.整個介質基板的尺寸26×16×2mm3，結構非常緊湊。X波段LTCC接收前端實現(xiàn)測試樣品1.介質基板是FerroA6M，介電常數(shù)5.7，每層厚度0