GB/T 19403.1-2003半導(dǎo)體器件集成電路第11部分：第1篇：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢(不包括混合電路)

犐犆犛３１．２００

犔５６

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

犙犆７９０１０１

半導(dǎo)體器件集成電路第１１部分：

第１篇：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢

（不包括混合電路）

犛犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狏犻犮犲狊—犐狀狋犲犵狉犪狋犲犱犆犻狉犮狌犻狋狊—

犘犪狉狋１１：犛犲犮狋犻狅狀１：犐狀狋犲狉狀犪犾狏犻狊狌犪犾犲狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀

犳狅狉狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犻狀狋犲犵狉犪狋犲犱犮犻狉犮狌犻狋狊

（犲狓犮犾狌犱犻狀犵犺狔犫狉犻犱犮犻狉犮狌犻狋狊）

（ＩＥＣ６０７４８１１１：１９９２，ＩＤＴ）

２００３１１２４發(fā)布２００４０８０１實(shí)施

中華人民共和國發(fā)布

國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

書

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

目次

前言!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!Ⅲ

１范圍和目的!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

２設(shè)備!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３程序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０介紹!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．１總則!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．２檢驗(yàn)順序!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．３空氣潔凈度等級!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!１

３．０．４檢驗(yàn)控制!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３．０．５放大倍率!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３．０．６定義（僅為檢驗(yàn)之目的）!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!２

３．０．７說明!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

３．１試驗(yàn)條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!３

３．１．１金屬化層缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!４

３．１．２擴(kuò)散和鈍化層缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

３．１．３劃片和芯片缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

３．１．４鍵合檢驗(yàn)，低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!５

３．１．５內(nèi)引線，低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!７

３．１．６封裝條件，低倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!７

３．１．７玻璃鈍化層缺陷，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!７

３．１．８介質(zhì)隔離，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

３．１．９膜電阻，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

３．１．１０激光修正的膜電阻器，高倍!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!８

３．２規(guī)定的條件!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!９

４圖!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!９

Ⅰ

書

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

前言

本部分為ＧＢ／Ｔ１９４０３的一部分，等同采用國際電工委員會標(biāo)準(zhǔn)ＩＥＣ６０７４８１１１：１９９２《半導(dǎo)體器

件集成電路第１１部分：第１節(jié)：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢（不包括混合電路）》（英文版）。

由于ＩＥＣ６０７４８１１１標(biāo)準(zhǔn)原文中無圖１、圖２，為保證與國際標(biāo)準(zhǔn)的一致性，故本部分的圖例從圖３

開始。

本部分由中華人民共和國信息產(chǎn)業(yè)部提出。

本部分由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化分技術(shù)委員會歸口。

本部分起草單位：信息產(chǎn)業(yè)部第四研究所。

本部分主要起草人：魏華、王靜

Ⅲ

犌犅／犜１９４０３．１—２００３／犐犈犆６０７４８１１１：１９９２

半導(dǎo)體器件集成電路第１１部分：

第１篇：半導(dǎo)體集成電路內(nèi)部目檢

（不包括混合電路）

１范圍和目的

進(jìn)行內(nèi)部目檢的目的是檢驗(yàn)集成電路的內(nèi)部材料、結(jié)構(gòu)和工藝，驗(yàn)證與適用的規(guī)范要求的一致性。

通常應(yīng)在封帽或密封之前對器件進(jìn)行１００％內(nèi)部目檢，以發(fā)現(xiàn)可能導(dǎo)致器件在正常使用時(shí)失效的

內(nèi)部缺陷并剔除相應(yīng)器件。本試驗(yàn)也可按抽樣方式在封帽之前使用，以確定承制方對半導(dǎo)體器件質(zhì)量

控制和操作程序的有效性。

２設(shè)備

試驗(yàn)設(shè)備包括：具有規(guī)定的放大倍率的光學(xué)設(shè)備；必須的目檢判據(jù)（量規(guī)、圖紙、照片等）以保證檢驗(yàn)

效果和使操作人員對被檢器件能否接收做出客觀判斷；為提高工作效率在檢查期間固定器件且不引起

器件損傷的合適夾具。

３程序

３．０介紹

３．０．１總則

在規(guī)定的放大倍率范圍內(nèi)按適當(dāng)?shù)挠^察順序檢驗(yàn)器件，以確定器件是否與本部分和適用的規(guī)范的

要求相一致。本試驗(yàn)方法的檢驗(yàn)和判據(jù)適用于所有器件和工序。本試驗(yàn)方法給出了預(yù)定用于具體器

件、工藝或技術(shù)的判據(jù)。

對于如金屬覆蓋層、氧化物和擴(kuò)散缺陷等目檢較為困難的復(fù)雜器件的檢驗(yàn)，可選擇替代篩選程序代

替目檢判據(jù)。這些可選擇替代的篩選方法和程序在詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。

要求適用于線寬在２μｍ以上的工藝技術(shù)。

３．０．２檢驗(yàn)順序

本部分列出的檢驗(yàn)順序不是要求的檢驗(yàn)順序，制