標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 19199-2015 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法》相比于其前版《GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法》，主要在以下幾個方面進(jìn)行了更新和調(diào)整：

  1. 技術(shù)內(nèi)容的修訂：新版標(biāo)準(zhǔn)對測試原理、儀器要求、樣品制備、測試步驟及數(shù)據(jù)處理等方面進(jìn)行了詳細(xì)修訂，以更準(zhǔn)確地反映當(dāng)前技術(shù)水平和測試需求。這些修訂旨在提高測試精度和可重復(fù)性，確保測試結(jié)果的可靠性。

  2. 測量精度提升：通過引入更先進(jìn)的紅外光譜分析技術(shù)和數(shù)據(jù)處理算法，2015版標(biāo)準(zhǔn)提高了對半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度測定的精確度，有助于更好地控制材料質(zhì)量，滿足高性能電子器件制造的需求。

  3. 儀器設(shè)備規(guī)范：對用于測試的紅外光譜儀和其他輔助設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)提出了更具體、嚴(yán)格的要求，確保測試環(huán)境和條件的一致性，減少因設(shè)備差異導(dǎo)致的測試誤差。

  4. 樣品處理方法優(yōu)化：更新了樣品的制備和處理流程，包括切割、拋光、清洗等步驟的具體指導(dǎo)，以減少樣品處理過程中的污染和損傷，保證測試結(jié)果的有效性。

  5. 校準(zhǔn)與驗證：新增或細(xì)化了校準(zhǔn)程序和驗證方法，強調(diào)了定期校準(zhǔn)儀器的重要性，以及如何通過標(biāo)準(zhǔn)樣品進(jìn)行測試結(jié)果的驗證，以持續(xù)監(jiān)控和保證測試系統(tǒng)的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。

  6. 術(shù)語和定義：對相關(guān)專業(yè)術(shù)語進(jìn)行了更新和明確，使得標(biāo)準(zhǔn)的表述更加準(zhǔn)確，便于使用者理解和執(zhí)行。

  7. 參考文獻(xiàn)更新：引用了最新的科研成果和技術(shù)資料作為支撐，反映了該領(lǐng)域研究進(jìn)展和國際標(biāo)準(zhǔn)化趨勢。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-12-10 頒布
  • 2016-07-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 19199-2015半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法_第1頁
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文檔簡介

ICS77040

H17.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T19199—2015

代替

GB/T19199—2003

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的

紅外吸收測試方法

Testmethodsforcarbonacceptorconcentrationinsemi-insulatinggallium

arsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-07-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的

紅外吸收測試方法

GB/T19199—2015

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

書號

:155066·1-52352

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T19199—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法

GB/T19199—2003《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有以下變化

GB/T19199—2003,:

增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語和定義干擾因素和測試環(huán)境章

———“”“”“”“”4;

擴(kuò)展了半絕緣砷化鎵單晶電阻率范圍將電阻率大于7修改為大于6

———,10Ω·cm10Ω·cm;

將范圍由非摻雜半絕緣砷化鎵單晶修改為非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶

———“”“”;

去除了厚度測試樣品的解理制樣方法

———0.4mm~2mm;

室溫差示法測量時將儀器分辨率為-1或-1修改為儀器分辨率-1

———,“0.5cm1cm”,“1cm”。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司中

:、、

國電子材料行業(yè)協(xié)會

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人何秀坤李靜張雪囡

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T19199—2003。

Ⅰ

GB/T19199—2015

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的

紅外吸收測試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于6的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的測定測量

10Ω·cm。

范圍室溫下從153到代位碳原子的最大溶解度時檢測下限為

:1.0×10atoms/cm,77K

143

4.0×10atoms/cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

碳為半絕緣砷化鎵中主要淺受主雜質(zhì)其局域模振動譜帶室溫譜帶峰位為-1譜帶峰

,(580cm,77K

位為-1吸收系數(shù)與代位碳濃度具有對應(yīng)關(guān)系由測得的吸收系數(shù)根據(jù)經(jīng)驗公式即可計算出碳

582cm),

濃度

。

5干擾因素

51雜散光到達(dá)檢測器將導(dǎo)致碳濃度測試結(jié)果出現(xiàn)偏差

.,。

52測試樣品的測試面積應(yīng)大于光闌孔徑否則可能導(dǎo)致錯誤的測試結(jié)果

.,。

53室溫測試時砷化鎵中碳帶半高寬可接受的數(shù)值應(yīng)小于-1在光譜計算時較大的半高寬將

.,2cm。,

導(dǎo)致測試誤差半高寬的確定方法見

,9.2.7。

6儀器設(shè)備

61傅里葉變換紅外光譜儀儀器的最低分辨率應(yīng)

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