GB/T 19199-2015半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法

ICS77040

H17.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T19199—2015

代替

GB/T19199—2003

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的

紅外吸收測(cè)試方法

Testmethodsforcarbonacceptorconcentrationinsemi-insulatinggallium

arsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspectroscopy

2015-12-10發(fā)布2016-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的

紅外吸收測(cè)試方法

GB/T19199—2015

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

書(shū)號(hào)

:155066·1-52352

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

GB/T19199—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法

GB/T19199—2003《》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有以下變化

GB/T19199—2003,:

增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語(yǔ)和定義干擾因素和測(cè)試環(huán)境章

———“”“”“”“”4;

擴(kuò)展了半絕緣砷化鎵單晶電阻率范圍將電阻率大于7修改為大于6

———,10Ω·cm10Ω·cm;

將范圍由非摻雜半絕緣砷化鎵單晶修改為非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶

———“”“”;

去除了厚度測(cè)試樣品的解理制樣方法

———0.4mm~2mm;

室溫差示法測(cè)量時(shí)將儀器分辨率為-1或-1修改為儀器分辨率-1

———,“0.5cm1cm”,“1cm”。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)專(zhuān)用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司中

:、、

國(guó)電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人何秀坤李靜張雪囡

:、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T19199—2003。

Ⅰ

GB/T19199—2015

半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的

紅外吸收測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于6的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的測(cè)定測(cè)量

10Ω·cm。

范圍室溫下從153到代位碳原子的最大溶解度時(shí)檢測(cè)下限為

:1.0×10atoms/cm,77K

143

4.0×10atoms/cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

碳為半絕緣砷化鎵中主要淺受主雜質(zhì)其局域模振動(dòng)譜帶室溫譜帶峰位為-1譜帶峰

,(580cm,77K

位為-1吸收系數(shù)與代位碳濃度具有對(duì)應(yīng)關(guān)系由測(cè)得的吸收系數(shù)根據(jù)經(jīng)驗(yàn)公式即可計(jì)算出碳

582cm),

濃度

。

5干擾因素

51雜散光到達(dá)檢測(cè)器將導(dǎo)致碳濃度測(cè)試結(jié)果出現(xiàn)偏差

.,。

52測(cè)試樣品的測(cè)試面積應(yīng)大于光闌孔徑否則可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)試結(jié)果

.,。

53室溫測(cè)試時(shí)砷化鎵中碳帶半高寬可接受的數(shù)值應(yīng)小于-1在光譜計(jì)算時(shí)較大的半高寬將

.,2cm。,

導(dǎo)致測(cè)試誤差半高寬的確定方法見(jiàn)

,9.2.7。

6儀器設(shè)備

61傅里葉變換紅外光譜儀儀器的最低分辨率應(yīng)