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2023/2/21第三章電介質(zhì)的電導(dǎo)
本章講解實(shí)際介質(zhì)在電場(chǎng)作用下的有限電導(dǎo)過程及微觀機(jī)理。
概述氣體介質(zhì)的電導(dǎo)液體介質(zhì)的電導(dǎo)固體介質(zhì)的電導(dǎo)2023/2/22§3-1概述一、載流子
離子從能帶理論可知,主要為弱聯(lián)系離子、本征離子
帶電的分子團(tuán)-膠粒液體介質(zhì)中的水珠
電子極少,在特殊條件下出現(xiàn)二、導(dǎo)電機(jī)構(gòu)離子電導(dǎo)由(晶格)結(jié)點(diǎn)上的離子產(chǎn)生的本征離子電導(dǎo);由雜質(zhì)離子產(chǎn)生的雜質(zhì)離子電導(dǎo)。電泳電導(dǎo)帶電膠粒形成的基團(tuán)產(chǎn)生的電導(dǎo)。電子電導(dǎo)一般是由光輻照產(chǎn)生的電子形成電子電導(dǎo)。2023/2/23AL三、電導(dǎo)率與遷移率的關(guān)系2023/2/24欲提高介質(zhì)的絕緣性能,可以從兩個(gè)方面著手:減小電介質(zhì)的載流子數(shù),
降低遷移率。極化和電導(dǎo)的區(qū)別:離子微小位移——產(chǎn)生離子從一個(gè)電極位移至另一個(gè)電極——形成電導(dǎo)2023/2/25介質(zhì)的電導(dǎo)有:體積電導(dǎo):西門子/米(用s/m或者s/cm表示)表面電導(dǎo):西門子與電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān),與電介質(zhì)表面吸附的導(dǎo)電雜質(zhì)有關(guān)。2023/2/26§3-2氣體介質(zhì)的電導(dǎo)一、氣體介質(zhì)的電流-電壓關(guān)系(伏-安特性曲線)IIIIII氣體介質(zhì)的電流-電壓關(guān)系2023/2/27二、氣體介質(zhì)中的載流子濃度2023/2/28在電流很小時(shí),載流子的濃度與無電場(chǎng)的載流子濃度相同。2023/2/29高電場(chǎng)區(qū)如電場(chǎng)很高,例如E>106V/cm,離子在電場(chǎng)中獲得很高的能量而產(chǎn)生新的碰撞和電離,使n隨E的增大指數(shù)增加,導(dǎo)致電流的指數(shù)增大。2023/2/210
氣體介質(zhì)多處于飽和電流區(qū)工作,氣體介質(zhì)飽和電流大小的估算是有實(shí)際意義的.如何估算?請(qǐng)同學(xué)考慮2023/2/211上次課內(nèi)容:
●電導(dǎo)率宏觀與微觀的關(guān)系
●提高介質(zhì)的絕緣性能的方法
●氣體介質(zhì)的電流-電壓關(guān)系
2023/2/212§3-3液體介質(zhì)的電導(dǎo)液體介質(zhì)結(jié)構(gòu)特點(diǎn):具有固定的體積,較大的密度(近似固體,是氣體介質(zhì)的1000多倍),具有較大的流動(dòng)性。常見的液體電介質(zhì):礦物油——變壓器油、電容器油;植物油——蓖麻油、桐油;有機(jī)溶劑——苯、甲苯、四氯化碳;新型液體介質(zhì)——十二烷基苯、硅油、酯類油。液體電介質(zhì)的電導(dǎo)率:純液體介質(zhì)具有很低的電導(dǎo)率=10-13~10-15(cm)-1,含有雜質(zhì)的液體介質(zhì)的電導(dǎo)率=10-9~10-13(cm)-1。液體電介質(zhì)的電導(dǎo)種類:離子電導(dǎo),電泳電導(dǎo)2023/2/213一、液體介質(zhì)的離子電導(dǎo)離子的來源:本征離子:液體本身的基本分子熱離解.
雜質(zhì)離子:外來雜質(zhì)分子離解,液體本身的基本分子老化的產(chǎn)物二、離子電導(dǎo)率與溫度的關(guān)系2023/2/2142023/2/215本征雜質(zhì)液體介質(zhì)中雜質(zhì)離子電導(dǎo)與本征離子電導(dǎo)過程相同2023/2/216二、液體介質(zhì)的電泳電導(dǎo)1.載流子——膠粒來源:1)加樹脂(提高粘度、穩(wěn)定性)——懸浮離子;
2)過量的水——細(xì)小水珠。特點(diǎn):1)膠粒為分子的聚集體,大小在10-6~10-10m;
2)膠粒為分散體系,作布朗熱運(yùn)動(dòng);
3)膠粒為帶電體,帶電規(guī)律:膠粒的介電常數(shù)比液體大,帶正電膠粒的介電常數(shù)比液體小,帶負(fù)電2023/2/2172.華爾頓定律電場(chǎng)力F摩擦力f運(yùn)動(dòng)方向2023/2/218華爾頓定律適用范圍有限:①溫度范圍有限②不適合雜質(zhì)離子電導(dǎo)2023/2/2193.液體電導(dǎo)主要是雜質(zhì)和膠粒,這都不是液體介質(zhì)的本征特性??梢酝ㄟ^在液體介質(zhì)中加硅膠和活性劑的精制方法來改善液體介質(zhì)的性能。液體的本征離子電導(dǎo)是不能去除的,是其本身特性.符合華爾頓定律.液體介質(zhì)的電泳電導(dǎo)注意兩點(diǎn):
電導(dǎo)率與介電常數(shù)的平方成正比電泳電導(dǎo)對(duì)液體電導(dǎo)率的影響高于液體的離子性電導(dǎo)2023/2/220§3-4固體介質(zhì)的電導(dǎo)固體介質(zhì)按結(jié)構(gòu)可分為:晶體非晶體固體介質(zhì)的電導(dǎo)按導(dǎo)電載流子的種類可分為:離子電導(dǎo)在弱場(chǎng)中主要是離子電導(dǎo)電子電導(dǎo)某些物質(zhì),例如鈦酸鋇,鈦酸鈣,鈦酸鍶等鈦酸鹽類,在常溫時(shí),除離子電導(dǎo)外也呈現(xiàn)出電子電導(dǎo)的特性。固體介質(zhì)導(dǎo)電性質(zhì)的判斷:霍爾效應(yīng)―――判斷電子電導(dǎo)法拉第效應(yīng)―――判斷離子電導(dǎo)2023/2/221SNI-+PalmFBI霍耳效應(yīng)2023/2/222法拉第效應(yīng):上次課內(nèi)容:●液體介質(zhì)的離子電導(dǎo)率與溫度的關(guān)系
●華爾頓定律●液體介質(zhì)的電泳電導(dǎo)特點(diǎn)●
固體介質(zhì)的本征離子電導(dǎo)來源
2023/2/225參與電導(dǎo)的離子為本征和雜質(zhì)離子SchottkyFrenkel一、晶體介質(zhì)的離子電導(dǎo)2023/2/2262023/2/2272023/2/2282023/2/229本征雜質(zhì)低溫時(shí)主要由活化能低的雜質(zhì)離子引起電導(dǎo);高溫時(shí)主要由活化能高的本征離子引起電導(dǎo)。2023/2/230二、無定形固體介質(zhì)的電導(dǎo)
玻璃為典型的無定形固體介質(zhì),它沒有固定的活化能,活化能U為平均值。激活能大,電導(dǎo)率低2023/2/231LiNaKR2.含堿玻璃的電導(dǎo):雜質(zhì):Na2O,K2O,Li2O(典型的弱束縛離子)形成斷鍵引入一價(jià)金屬離子的影響:1.結(jié)構(gòu)松散,使U下降,電導(dǎo)增加。2.缺陷離子數(shù)增加
,電導(dǎo)增加,也與R2O的濃度成正比2023/2/232KNa40%60%中和效應(yīng):當(dāng)玻璃中堿金屬氧化物的總濃度較高,而用另一種堿金屬來部分取代(總濃度保持不變),可降低玻璃的電導(dǎo)率和損耗,這種效應(yīng)稱為“中和效應(yīng)”。壓抑效應(yīng):在堿金屬氧化物玻璃中,加入二價(jià)堿土金屬氧化物(CaO、BaO等),由于二價(jià)堿土金屬可使玻璃結(jié)構(gòu)比單一含一價(jià)堿金屬時(shí)的結(jié)構(gòu)更緊密,并使勢(shì)壘增高,從而降低玻璃的電導(dǎo)率和損耗。3)降低玻璃的電導(dǎo)方法:2023/2/233三、固體介質(zhì)的表面電導(dǎo)2023/2/234絕緣電阻與體積、表面電阻的關(guān)系芯片電容器不同工藝斷面圖2023/2/236注:1測(cè)量電極2.高壓電極3.保護(hù)電極4.被測(cè)試樣三電極系統(tǒng)2023/2/237體積電流的測(cè)量表面電流的測(cè)量(M—主電極;H—對(duì)電極;G—保護(hù)電極。)體積電流和表面電流的測(cè)量2023/2/2381.表面吸附的水膜對(duì)表面電導(dǎo)的影響2.表面清潔度對(duì)表面電導(dǎo)的影響表面污染,特別是含有電解質(zhì)的污染,將會(huì)引起介質(zhì)表面導(dǎo)電水膜的電阻率下降,從而使表面電導(dǎo)率上升。3.分子結(jié)構(gòu)對(duì)表面電導(dǎo)的影響親水介質(zhì)疏水介質(zhì)親水介質(zhì):浸潤角<90疏水介質(zhì):浸潤角>90強(qiáng)極性對(duì)水分子的吸引力強(qiáng),超過水分子之間的分子內(nèi)聚力,這類介質(zhì)表面所吸附的水分子容易形成連續(xù)的水膜,使表面電導(dǎo)增加。非極性對(duì)水分子的吸引力小于水分子之間的內(nèi)聚力,吸附水在介質(zhì)表面成為孤立的水滴,大氣濕度對(duì)表面電導(dǎo)的影響很小影響表面電導(dǎo)的因素:2023/2/239六、固體介質(zhì)的電子電導(dǎo)主要為:禁帶寬度(Eg)較小的電介質(zhì)和薄膜介質(zhì)。來源:金屬電極、熱電子發(fā)射、場(chǎng)致冷發(fā)射和碰撞電離。運(yùn)動(dòng)形式:能帶模型(EnergyBandModel);跳躍模型(HoppingModel);自由電子氣模型(FreeElectronGasModel)2023/2/2401.能帶模型ECmaxECEVEVminEFEg2023/2/2412023/2/242
當(dāng)Eg>3ev時(shí),本征激發(fā)的電子和空穴濃度很低,故電子電導(dǎo)不明顯。但介質(zhì)中同樣存在類似半導(dǎo)體的雜質(zhì),這些雜質(zhì)形成淺能級(jí)。2023/2/2432.跳躍模型
各分子的電子越過分子間的勢(shì)壘,形成導(dǎo)電。越過勢(shì)壘的方式有:高電場(chǎng)下的隧道效應(yīng);溫度引起的熱激發(fā)。aU2023/2/2443.自由電子氣模型
在強(qiáng)電場(chǎng)下,出現(xiàn)場(chǎng)致冷發(fā)射,電子通過電極注入方式引起——電荷注入型電流。ChildLaw2023/2/2451.試分析氣體介質(zhì)的載流子來源?解釋氣體介質(zhì)的j—E曲線?2.試分析液體介質(zhì)的載流子來源?并推導(dǎo)液體介質(zhì)中離子的平均遷移率公式。3.什么是華爾屯定律?闡述它的用途及應(yīng)用范圍?4.電泳電導(dǎo)的定義?
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