標準解讀

GB/T 15615-1995是一項中國國家標準，全稱為《硅片抗彎強度測試方法》。此標準規(guī)定了測定硅片抗彎強度的具體試驗步驟、所用設(shè)備要求、試樣制備方法以及測試結(jié)果的處理方式，旨在為硅材料及其制品的質(zhì)量控制和性能評估提供統(tǒng)一的測試指導。

標準適用范圍

本標準適用于單晶硅或多晶硅切割而成的硅片，主要應(yīng)用于半導體器件及太陽能電池等領(lǐng)域。它為這些硅片的機械強度，特別是抗彎強度的測定提供了標準化流程。

測試原理

測試基于三點彎曲法原理，通過在硅片表面施加集中載荷，直至硅片發(fā)生斷裂，以此來測量其抵抗彎曲破壞的能力。抗彎強度通過計算最大載荷與試樣截面的最小矩形面積之比獲得。

設(shè)備要求

  • 彎曲測試機：需具備穩(wěn)定加載速率和足夠精度以確保測試結(jié)果的準確性。
  • 支撐座與加載頭：確保測試過程中試樣的支撐穩(wěn)固且加載點準確。
  • 測微計或電子天平：用于測量試樣尺寸和重量，以便計算截面面積。
  • 夾具：適配硅片尺寸，保證加載均勻且不易滑脫。

試樣制備

  • 試樣應(yīng)從完整的硅片上切割獲取，要求邊緣平整、無明顯缺陷。
  • 規(guī)定試樣尺寸，通常包括長度、寬度和厚度的具體要求。
  • 對試樣進行編號記錄，確保測試數(shù)據(jù)的可追溯性。

測試步驟

  1. 試樣安裝：將試樣放置于測試機的兩個支撐點之間，確保中心對齊。
  2. 加載測試：以恒定速率施加垂直力至試樣斷裂，記錄最大載荷。
  3. 數(shù)據(jù)記錄：測量斷裂后的試樣尺寸，計算抗彎強度。

結(jié)果處理

  • 根據(jù)測試數(shù)據(jù)計算每個試樣的抗彎強度，并統(tǒng)計分析所有試樣的平均值、標準偏差等統(tǒng)計指標。
  • 對異常數(shù)據(jù)進行識別和處理，必要時進行原因分析。

重復(fù)性和再現(xiàn)性

標準中可能包含有關(guān)測試重復(fù)性和再現(xiàn)性的要求或建議，以確保不同實驗室間測試結(jié)果的一致性。


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  • 廢止
  • 已被廢除、停止使用，并不再更新
  • 1995-07-12 頒布
  • 1996-02-01 實施
?正版授權(quán)
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文檔簡介

9D.669.782-41：620.173.26百23中華人民共和國國家標準GB/T15615—1995硅片抗彎強度測試方法Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices1995-07-12發(fā)布1996-02-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準硅片抗彎強度測試方法GB/T15615-1995Testmethodformeasuringflexurestrengthofsiliconslices主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了硅單品切割片、研磨片和地光片(簡稱硅片)的抗彎強度測試方法。本標準適用于晶向為<111>和<100>的直拉、懸浮區(qū)熔硅單晶片的常溫下抗彎強度的測量。硅片厚度為250～900rm。2引用標準GB12964硅單晶拋光片GB12965硅單晶切割片和研磨片3術(shù)語3.1抗彎強度flexurestrength試樣破碎時的最大彎曲應(yīng)力,對脆性材料通常是凸表面最大徑向張應(yīng)力，表征抗破碎的性能、3.22小攪度Iittledeflection圓片受到中心載荷彎曲時，圓片中心面彎曲前后的最大位移與圓片厚度比為小量方法原理本標準采用簡支圓片集中載荷沖擊法測定硅片抗彎強度。用一鋼球從1/4圓形軌道上滾下，沖擊軌道末端垂直放置的硅圓片試樣，不斷升高鋼球高度直到打碎硅片為止。根據(jù)由薄板理論及彈性力學理論推導出的公式(1)計算試樣抗彎強度：·（1）式中：0-硅片抗彎強度測試值,N/mm2；P-鋼球質(zhì)量kg；A試樣簡支半徑：mm；試樣厚度，m田打破試樣時鋼球下滾垂直高度，mm；X（kg·mm-")、Y、Z:與硅材料彈性模量和泊松比有關(guān)的系數(shù)，對<111)硅單晶片，分別為182.0.621及1.146；對<100)硅單晶片，分別為207,0.621及1.146。公式(1)是在薄板小曉度情況下導出，即要求圓片破碎時的最大抗度與試樣厚度比小于1/5,因此對不符合小攪度條

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