第四章 MOS邏輯集成電路-6

本章主題MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理（補(bǔ)充）CMOS基本邏輯單元靜態(tài)邏輯和動(dòng)態(tài)CMOS電路BiCMOS邏輯集成電路MOS存儲(chǔ)器

2/2/2023MOS存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲(chǔ)器ROM非易失性存儲(chǔ)器2/2/2023存儲(chǔ)器分類存放數(shù)據(jù)和程序的部件MOS工藝主流主要指標(biāo)：存儲(chǔ)量和工作速度揮發(fā)性（Volatile）RAMDRAM（內(nèi)存）用電容存儲(chǔ)信息SRAM：靜態(tài)存儲(chǔ)方式，雙穩(wěn)態(tài)電路不揮發(fā)性（Nonvolatile）ROMMaskROMPROMEPROMEEPROMFlash（閃存）集成度高2/2/20232/2/2023隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAMRandomAccessMemory可以進(jìn)行寫(xiě)入和讀出的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)在斷電后消失，具有揮發(fā)性只讀存儲(chǔ)器ROMReadOnlyMemory專供讀出用的存儲(chǔ)器，一般不具備寫(xiě)入，或只能特殊條件下寫(xiě)入。數(shù)據(jù)在斷電后仍保持，具有非揮發(fā)性。2/2/2023L1CacheL2/L3CacheMainMemoryHardDiskDriveCPU現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器體系結(jié)構(gòu)DRAML3，MainMemorySRAMCache(L1,L2)2/2/2023存儲(chǔ)器集成電路可讀寫(xiě)存儲(chǔ)器RWM非易失讀寫(xiě)存儲(chǔ)器NVRWM只讀存儲(chǔ)器ROM隨機(jī)存取非隨機(jī)存取

2/2/2023總體結(jié)構(gòu)單元陳列—存儲(chǔ)信息譯碼器—選擇單元地址緩沖器—輸入緩沖，產(chǎn)生正、反碼；提高足夠大的驅(qū)動(dòng)電流（扇出很大）靈敏放大器—放大位線傳出的信號(hào)數(shù)據(jù)I/O緩沖器控制電路—用少量幾個(gè)外部控制信號(hào)產(chǎn)生一系列內(nèi)部控制信號(hào)容量=行數(shù)×列數(shù)地址緩沖控制緩沖單元陣列單元陣列行譯碼器列譯碼器靈敏放大器（S/A）I/ODATA外圍電路2/2/2023存儲(chǔ)器的總體結(jié)構(gòu)2/2/20232/2/2023存儲(chǔ)器的時(shí)序RWM的時(shí)序2/2/2023MOS存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲(chǔ)器ROM非易失性存儲(chǔ)器2/2/2023DRAM的結(jié)構(gòu)ITICDRAM的工作原理ITICDRAM的設(shè)計(jì)DRAM的總體結(jié)構(gòu)DRAM的外圍電路2/2/2023DRAM的結(jié)構(gòu)2/2/2023ITICDRAM的結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)電容的上極板poly接VDD，保證硅中形成反型層存儲(chǔ)電容下極板上電位的不同決定了存儲(chǔ)信息，0，12/2/2023DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器由于存儲(chǔ)在電容中的電荷會(huì)泄露，需要刷新。2/2/2023ITICDRAM的工作原理x存儲(chǔ)電容Cs＝A（COX＋Cj）寫(xiě)信息（字線）WL為高，M1導(dǎo)通，BL（位線）對(duì)電容充放電，寫(xiě)1時(shí)有閾值損失存信息：WL為低，M1關(guān)斷，信號(hào)存在Cs上。由于pn結(jié)有泄漏，所存信息不能長(zhǎng)期穩(wěn)定保存，一般要求保持時(shí)間內(nèi)，所存高電平下降不小于20％，否則刷新讀信息：WL為高，M1導(dǎo)通，所存電荷在Cs和位線上再分配，讀出信號(hào)微弱，而且是‘破壞性’的。2/2/2023刷新操作漏電流：1納安；存儲(chǔ)電容：500fF求高電平變化1伏時(shí)的時(shí)間？2/2/2023工作原理續(xù)（圖4-47）MOS管柵電容上的電荷來(lái)存儲(chǔ)信息單管單元結(jié)構(gòu)成為標(biāo)準(zhǔn)的DRAM單元電路形式動(dòng)態(tài)單管存儲(chǔ)器：1T1C單元MOS管T做為門(mén)控制管，控制數(shù)據(jù)進(jìn)出電容Cs作為存儲(chǔ)信息柵接讀/寫(xiě)選擇線（字線）源和漏分別接數(shù)據(jù)線（位線）和存儲(chǔ)電容寫(xiě)入過(guò)程字線輸入高電平寫(xiě)“1”：既是位線接高電平，所以T工作在飽和區(qū)=上升沿時(shí)間寫(xiě)“0”：既是位線接低電平，放電過(guò)程，T工作在線性區(qū)=下降沿時(shí)間保持過(guò)程字線輸入低電平漏電流造成高電平下降；“0”：穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)、“1”：不穩(wěn)定狀態(tài)讀出過(guò)程位線寄生電容的影響：導(dǎo)致存儲(chǔ)電容上電荷的再分配讀出信號(hào)微弱：根據(jù)電荷量相等，得輸出電壓VR的值為公式（4-25）缺點(diǎn)讀出數(shù)據(jù)將破壞原來(lái)的存儲(chǔ)信息讀出信號(hào)微弱字線位線存儲(chǔ)電容電路圖2/2/2023ITICDRAM讀信息時(shí)的電荷分配Cs存“1”時(shí)M1未開(kāi)啟時(shí)Cs上存的電荷為Qs1＝CsVs1BL被預(yù)充到VR，其上的電荷為QB1＝CBLVRM1導(dǎo)通后，Cs與CBL間電荷再分配，但總電荷不變結(jié)果BL上的電位為VB1同理，Cs存“0”時(shí)BL上的電位VB0讀出電路必須分辯的電位差對(duì)于大容量DRAM，CBL遠(yuǎn)大于Cs，一般十幾倍，因此DRAM的讀出信號(hào)VB很微弱，需要使用靈敏放大器（SA）問(wèn)題：1、電荷再分配破壞了Cs原先存的信息2、讀出信號(hào)非常微弱T<1電荷傳輸效率2/2/2023ITICDRAM的設(shè)計(jì)存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)目標(biāo)高密度，提高存儲(chǔ)容量，減小單元面積提高性能，盡量增大T，以降低讀出電路的要求減小單元面積減小Cs，下限由讀出電路最小可分辯的電壓Vsense決定提高性能增大T減小CBL，增加Cs例由Vsense估算Cs的下限通常Vsense為百毫伏存儲(chǔ)電容Cs＝A（COX＋Cj）不可能簡(jiǎn)單地通過(guò)增大面積A提高性能，只能改變Cs結(jié)構(gòu)－A提高CoxCs結(jié)構(gòu)：槽型(Trench)結(jié)構(gòu)疊層(Stack)結(jié)構(gòu)2/2/2023考題如下圖所示電路：1T1CDRAM單元電路。設(shè)VDD=5V，VTH=1V。求在寫(xiě)入時(shí)VWL=？若寫(xiě)入“1”電平，則VBL=？在完成“1”寫(xiě)入后，CS上的電壓VS=？為什么？若CS=30fF，位線寄生電容CB=0.6PF，由于電荷分享，位線放大器得到的輸入信號(hào)Vsense為何值？字線WL位線BL存儲(chǔ)電容電路圖NMOSCSCB2/2/2023槽型(Trench)結(jié)構(gòu)先做電容，后形成器件、電路2/2/2023先做器件，后形成電容，沒(méi)有pn結(jié)電容泄漏減少疊層(Stack)結(jié)構(gòu)2/2/20232/2/20232/2/2023總體結(jié)構(gòu)行Row（字線WL）、列column（位線BL）的地址線公用，分時(shí)送入。減少封裝管腳數(shù)地址緩沖器行、列譯碼器SA存儲(chǔ)單元數(shù)據(jù)輸入、輸出緩沖器時(shí)鐘及控制電路2/2/2023DRAM單元設(shè)計(jì)密度優(yōu)值面積小、工藝簡(jiǎn)單性能優(yōu)值CS/CB大設(shè)計(jì)改進(jìn)把平板電容改為立體電容新材料：采用高介電常數(shù)介質(zhì)立體電容和立體晶體管2/2/2023MOS存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲(chǔ)器ROM非易失性存儲(chǔ)器2/2/2023SRAM的結(jié)構(gòu)2/2/2023電路圖2/2/2023工作原理靜態(tài)存儲(chǔ)方式（以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元）如圖，共有六個(gè)管子組成保持狀態(tài)時(shí)，字線WL為低電平，M5和M6都截止若單元原來(lái)存“0”，則V1=0、V2=VOH=VDD。M1導(dǎo)通、M2截止，維持V1=0若單元原來(lái)存“1”，則V1=1、V2=VOL=0。M3導(dǎo)通、M4截止，維持V1=1讀操作時(shí)，選中單位的字線WL為高電平，M5和M6都導(dǎo)通，把單元的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)輸出若單元原來(lái)存“0”，則M1和M5管導(dǎo)通，形成反向電位差若單元原來(lái)存“1”，則M2和M6管導(dǎo)通，形成正向電位差寫(xiě)操作時(shí)，選中單位的字線WL為高電平若寫(xiě)“1”，VBL=VOH、VBL=VOL，形成V1=1、V2=0若寫(xiě)“0”，VBL=VOL、VBL=VOH，形成V1=0、V2=12/2/2023SRAM讀操作讀操作時(shí)，選中單元WL為高，M5，M6導(dǎo)通。位線BL，!BL預(yù)充到高電平。若讀1，BL保持VDD，!BL通過(guò)導(dǎo)通的M1、M5放電，使!BL上的電位下降。若讀0，！BL保持VDD，BL通過(guò)導(dǎo)通的M3、M6放電，使BL上的電位下降。SRAM讀1在兩側(cè)位線上形成電位差讀‘1’>0讀‘0’<0為提高速度并不等一側(cè)位線下降為低電平，而是只要位線間建立一定的信號(hào)差就送讀出放大器，放大輸出。需要靈敏放大器，不用再生2/2/2023SRAM寫(xiě)操作寫(xiě)操作時(shí)，選中單元WL為高，M5，M6導(dǎo)通。位線BL，!BL準(zhǔn)備好待寫(xiě)入的信號(hào)。寫(xiě)1，BL＝1＝VDD，寫(xiě)0，BL＝0。BL、!BL通過(guò)M6、M5對(duì)Q、!Q強(qiáng)迫充放電，與單元內(nèi)原先存儲(chǔ)的狀態(tài)無(wú)關(guān)。寫(xiě)操作結(jié)束后，雙穩(wěn)單元將信息保存。SRAM寫(xiě)02/2/2023SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器工作原理不需要刷新。2/2/2023電路設(shè)計(jì)問(wèn)題保持狀態(tài)的穩(wěn)定性反相器單元的轉(zhuǎn)折電壓工作速度重要的設(shè)計(jì)參數(shù)2/2/2023VDDGNDQQWLBLBLM1M3M4M2M5M66TSRAM2/2/2023電流鏡負(fù)載CMOS差分放大器v1v2作用提高讀出速度。放大微小的電壓差。差分輸入信號(hào)Vin＝v1－v2，放大后產(chǎn)生的差分輸出電流為iout＝i1－i2i1i2IsVout＝RLiout是M1，M2的導(dǎo)電因子要求：M4，M5完全對(duì)稱。M1,M2完全對(duì)稱為了在提高靈敏度的同時(shí)，又能抗干擾，有時(shí)采用二級(jí)放大2/2/2023SRAM及其外圍電路位線負(fù)載晶體管列選擇靈敏放大器（列公用）數(shù)據(jù)讀寫(xiě)電路2/2/2023SRAM中的地址探測(cè)技術(shù)提高速度、節(jié)省功耗利用地址變化探測(cè)電路，一旦地址變化，產(chǎn)生ATD信號(hào)，并用ATD觸發(fā)其它時(shí)鐘及控制信號(hào)開(kāi)始讀/寫(xiě)操作。使SRAM工作于異步模式，按需操作，不必受同步時(shí)鐘的控制。ATD為正脈沖時(shí)，SRAM開(kāi)始工作2/2/2023MOS存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲(chǔ)器ROM非易失性存儲(chǔ)器2/2/2023ROM陣列例1高電平有效的行譯碼器多輸入的或非門(mén)例2采用類NMOS結(jié)構(gòu)由物理設(shè)計(jì)來(lái)完成2/2/2023結(jié)構(gòu)與原理只讀存儲(chǔ)器（ROM)分為掩膜式編程式可擦寫(xiě)式掩膜和編程式ROM的結(jié)構(gòu)2/2/2023NORROM選中的行Ri為高電平，其余維持低無(wú)nMOS的存“1”有nMOS的存“0”2/2/2023ROM的編程方式離子注入掩膜版編程通過(guò)離子注入產(chǎn)生增強(qiáng)和耗盡型MOSFET，用這兩種晶體管表示所存的信息。有源區(qū)掩膜版編程通過(guò)有源區(qū)是否跨越多晶硅行線區(qū)分是否形成MOSFET。引線孔掩膜版編程通過(guò)MOSFET的漏是否有接地的引線孔，來(lái)區(qū)分所存的信息。2/2/20232/2/20232/2/2023ROM及其外圍電路2/2/2023MOS存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲(chǔ)器ROM非易失性存儲(chǔ)器2/2/2023非易失存儲(chǔ)器NVM作為可編程、可擦除的ROM，需要滿足的基本條件：編程時(shí)間短（<<1秒）、編程信息保存時(shí)間長(zhǎng)（大于10年）2/2/2023浮柵存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)和信息存儲(chǔ)原理利用浮柵上是否存在電荷來(lái)表示“0”和“1”利用溝道閾值電壓不同區(qū)分信息“0”和“1”CONTROLGATEFLOATINGGATEDRAINSOURCE電可擦寫(xiě)的ROM熱電子效應(yīng)隧道擊穿2/2/2023浮柵存儲(chǔ)器單元未編程時(shí)所有單元存儲(chǔ)信息“1”存儲(chǔ)信息的編程（寫(xiě)“0”）：向浮柵中注入電子存儲(chǔ)信息的擦除：從浮柵中排出電子注入電子編程的時(shí)間要很短注入到浮柵中的電子在不擦除時(shí)能夠長(zhǎng)時(shí)間停留（大于十年）因此對(duì)浮柵的的電子注入和擦除過(guò)程具有不對(duì)稱特性由于對(duì)可編程、可擦除的ROM，要求：2/2/2023IMEPKU熱電子注入隧穿注入2/2/2023Floating-gateAvalanche-injectionMOS浮柵雪崩注入MOSEPROM可以逐位寫(xiě)2/2/2023浮柵雪崩注入MOS浮柵上存負(fù)電荷的pMOS閾值低，足夠多將導(dǎo)通，表示存1，否則存0擦除時(shí)用光，擦1。寫(xiě)入時(shí)需要很高的電壓。2/2/2023浮柵隧道氧化層MOSFloating-GateTunnelOxide(FLOTOX)EEPROM浮柵上沒(méi)有電荷時(shí)對(duì)應(yīng)的閾值電壓為Vtn0，示存0浮柵上有電荷時(shí)對(duì)應(yīng)的閾值電壓為Vtn1，示存1Vtn1=Vtn0－QF/CFVtn1>Vtn0讀操作時(shí)，WL上的偏壓VR滿足Vtn1>VR>Vtn02/2/2023Floating-GateTunnelOxide(FLOTOX)擦寫(xiě)時(shí)WL接高電平，BL接低電平，其它字線接低電平，位線接高電平。低高高高高2/2/2023閃存結(jié)構(gòu)與EEPROM相同，是單管結(jié)構(gòu)，編程和擦除是以模塊形式進(jìn)行2/2/2023FlashEEPROM存儲(chǔ)器編程方式與EPROM相同，采用熱電子注入擦除方式采用FN隧穿機(jī)制浮柵氧化層厚度約10nmT型單元FlashEEPROM結(jié)構(gòu)2/2/2023DINOR（分割位線的或非結(jié)構(gòu)）

寫(xiě)（編程）將選中單元的閾值電壓Vth設(shè)置為低，擦除操作把所選扇區(qū)的單元管的閾值電壓Vth設(shè)置為高

2/2/2023非易失性存儲(chǔ)器掩膜ROM只由一個(gè)MOS管構(gòu)成，管子的柵極接字線、漏極接位線、源極共同接地。通過(guò)不同的光刻掩模版實(shí)現(xiàn)ROM中單元結(jié)構(gòu)不同離子注入掩模版編程（截止：0，導(dǎo)通：1）有源區(qū)掩模版編程引線孔掩模版編程FPROM（FusePROM）多晶硅電阻編程的PROMEPROM（ErasablePROM）浮柵雪崩注入MOS編程：在柵和漏上加高電壓（20伏）、源和襯底接地，使形成溝道、漏和襯底結(jié)雪崩擊穿，產(chǎn)生熱電子效應(yīng)。有電子穿過(guò)薄氧化層存儲(chǔ)在浮柵上，提高了器件的閾值電壓擦除：紫外線照射，可在SiO2上產(chǎn)生電子-孔穴對(duì)，使浮柵電子消除而恢復(fù)正常EEPROM（在浮柵和襯底